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公开(公告)号：CN108281378A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762 , B32B7/04
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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公开(公告)号：CN106536794A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580039559.8
申请日：2015-04-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm-1且不大于2cm-1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm-1。
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公开(公告)号：CN104641453A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN102011191B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010243313.1
申请日：2010-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/36 , H01L33/0075 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104022013A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410220580.5
申请日：2007-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/673 , H01L21/20 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及GaN衬底储存方法。提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主面的表面粗糙度Ra和第二主面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主面与(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在方向上为0.05°到2°，以及在方向上为0°到1°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102137961B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080002480.5
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , C01B21/0632 , C01P2002/90 , C01P2006/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。
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公开(公告)号：CN101553605B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200780039049.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的III族氮化物衬底，以及一种制造上述衬底的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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公开(公告)号：CN1992168B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610172517.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B33/00 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN101925695A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200880125738.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , C30B29/406 , C30B33/12
Abstract: 本发明提供了Ⅲ族氮化物单晶锭、利用所述锭制造的Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法，其中降低了在长度延长生长时的裂纹发生率。所述制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法包括：腐蚀底部衬底的侧面的步骤，以及在底部衬底上外延生长侧面具有晶面的六方晶系Ⅲ族氮化物单晶的步骤。为了降低在长度延长生长时锭的裂纹发生率，有必要抑制在单晶外周上析出多晶或具有不同面取向的晶体。如上所述，通过在底部衬底的侧面上预先腐蚀去除加工变质层，在底部衬底上形成的Ⅲ族氮化物单晶锭的侧面上形成晶面，抑制了多晶或具有不同面取向的晶体的析出，从而降低了裂纹发生率。
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公开(公告)号：CN101882571A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010171268.3
申请日：2005-05-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L33/0075 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。
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