-
公开(公告)号：CN110444905A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910759509.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种二维MIMO天线阵，该MIMO天线阵通过合理布局发射天线和接收天线，形成等效虚拟接收天线阵列。本发明利用多入多出天线阵特性，通过合理布局，把多根发射天线和多根接收天线等效为单根发射天线多根接收天线的等效虚拟天线阵列。从而节省了实际天线数量，从根本上解决了天线阵体积大，数量多，接收系统复杂等问题。
-
公开(公告)号：CN117234310B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311508903.6
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶上处理器的辅助系统，该系统主要由水冷结构件基座、晶圆连接器、高速供电底板、晶上系统管理单元、加强筋和晶上供电子系统组成。其中高速供电底板上采用中心安装供电阵列、四边安装对外高速互连接口阵列、四个角落安装区域管理单元的布局，晶上供电子系统采用3D堆叠垂直供电架构，其供电单元阵列中内含多层水冷散热结构件。本发明可提升晶上系统的计算密度、功率密度和对外通信带宽，降低供电子系统的配电损耗，增强供电子系统的散热密度和安装维护的便捷性。
-
公开(公告)号：CN113032973B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110244909.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种微带稀疏天线阵列增益快速计算方法。该方法在单个天线阵列单元增益基础上，通过划分稀疏天线阵列的子阵列，考虑子阵列天线内部电磁耦合，并通过天线阵列前向区域与后向区域分开计算的方式，获得微带稀疏天线阵列的增益特性。本发明考虑了天线阵列阵元之间耦合对天线阵列增益的影响，具有较高的仿真精度；在单个天线阵列单元增益基础上，通过数据处理来获得整个阵列的增益特性，节省大量仿真时间，极大降低计算机资源耗费，具有快速与灵活特点，特别适合设计过程中对稀疏天线阵列增益性能的快速评估。
-
公开(公告)号：CN116845047B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311102899.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质，应用于晶上系统，晶上系统包括依次连接的标准预制件、晶圆基板和芯片配置基板，晶圆基板包括多个重布线层；该方法包括：获取微凸点阵列中各微凸点的位置信息、与各微凸点分别连接的标准预制件管脚的功能信息，以及微焊盘阵列中各微焊盘的位置信息、与各微焊盘分别连接的芯片配置基板管脚的功能信息；基于各微凸点的位置信息和对应的功能信息，以及与微凸点对应的微焊盘的位置信息，生成各微凸点、微焊盘对应的布线路径和通孔，以连接微凸点与对应的微焊盘，微焊盘对应的功能信息与微凸点对应的功能信息相同，实现晶圆基板的自动绕线，解决了缺少晶圆基板自动布线方法的问题。
-
公开(公告)号：CN116705756B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310966818.8
申请日：2023-08-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H05K1/02
Abstract: 本发明提供了一种晶圆集成系统基板及直流压降优化方法，包括：晶圆基板与配电板；晶圆基板内设置有若干GND硅通孔和VCC硅通孔；晶圆基板内还设置有VCC网格层；配电板的上表面设置有若干GND焊盘和VCC焊盘；配电板内设置有VCC网络层，VCC网络层上设置有若干无铜区域；GND焊盘与晶圆基板中的GND硅通孔一一对应；VCC焊盘与晶圆基板中的VCC硅通孔一一对应；通过调整若干无铜区域的分布改变配电板中VCC网络层的电压分布，进而补偿晶圆基板中VCC网格层的直流压降。本发明解决了晶圆基板设计中直流压降大的难题，为晶圆集成系统的设计、制造提供了技术支撑。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117153811A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311101171.9
申请日：2023-08-29
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/473 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种针对晶上系统的供电装置，本发明将供电网络从硅基板分离出来，使得芯粒层中的芯粒正面通过硅基板的信号线实现高密度信号互连，而芯粒的背面通过与位于IC载板内的供电网络连接以获得供电，因此，减少了芯粒和硅基板的内部金属层数，进而降低了供电损耗和电压降。由于本发明提供的硅基板仅仅用于高速信号互连，其内部不使用供电的TSV，因此不需要将硅基板减薄，极大减小了硅基板的翘曲度，增强了硅基板的韧性，使得安装过程中硅基板不易破碎。
-
公开(公告)号：CN116845047A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311102899.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质，应用于晶上系统，晶上系统包括依次连接的标准预制件、晶圆基板和芯片配置基板，晶圆基板包括多个重布线层；该方法包括：获取微凸点阵列中各微凸点的位置信息、与各微凸点分别连接的标准预制件管脚的功能信息，以及微焊盘阵列中各微焊盘的位置信息、与各微焊盘分别连接的芯片配置基板管脚的功能信息；基于各微凸点的位置信息和对应的功能信息，以及与微凸点对应的微焊盘的位置信息，生成各微凸点、微焊盘对应的布线路径和通孔，以连接微凸点与对应的微焊盘，微焊盘对应的功能信息与微凸点对应的功能信息相同，实现晶圆基板的自动绕线，解决了缺少晶圆基板自动布线方法的问题。
-
公开(公告)号：CN116705756A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310966818.8
申请日：2023-08-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H05K1/02
Abstract: 本发明提供了一种晶圆集成系统基板及直流压降优化方法，包括：晶圆基板与配电板；晶圆基板内设置有若干GND硅通孔和VCC硅通孔；晶圆基板内还设置有VCC网格层；配电板的上表面设置有若干GND焊盘和VCC焊盘；配电板内设置有VCC网络层，VCC网络层上设置有若干无铜区域；GND焊盘与晶圆基板中的GND硅通孔一一对应；VCC焊盘与晶圆基板中的VCC硅通孔一一对应；通过调整若干无铜区域的分布改变配电板中VCC网络层的电压分布，进而补偿晶圆基板中VCC网格层的直流压降。本发明解决了晶圆基板设计中直流压降大的难题，为晶圆集成系统的设计、制造提供了技术支撑。
-
公开(公告)号：CN116306455B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211663760.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种适用于2D‑Mesh拓扑的晶上系统的高速配置管理方法，包括以下步骤：晶上系统的每个芯粒通过芯粒间互连通信通道完成物理坐标的自动生成；管理服务器通过晶上系统的对外高速数据通信接口，通过芯粒间互连通道并根据物理坐标定位到每个芯粒，实现对每个芯粒的配置管理。采用的带内管理模式利用晶上系统传输数据的对外高速接口，无需其他接口就可以完成芯粒的配置，节省了晶上系统中配置电路的面积和能耗，芯粒在上电后自动生成物理坐标，无需在芯粒外部引出大量的地址线，降低了配置电路的复杂度，进而降低了晶上系统的故障率，也无需设计者针对每个芯粒手动分配不同的地址值，降低了配置电路的设计工作量。
-
公开(公告)号：CN116230654B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310521113.5
申请日：2023-05-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/32 , H01L21/66 , H01L23/544 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供一种晶上系统组装结构及其组装方法。其中，该晶上系统组装结构包括依次层叠的晶圆层、介质层和电路板层，各层分别设有键合区、测试区和对位区。晶上系统组装结构还包括第一组装件和第二组装件，第一组装件设置于晶圆层远离介质层的一侧，第一组装件包括相互连接的承载部和至少一个闩部，承载部与晶圆层可拆卸连接。第二组装件至少部分围绕第一组装件设置，第二组装件具有用于容置闩部的孔部，孔部的内径大于闩部的外径，第二组装件靠近承载部的一侧与承载部之间具有间隙。可实现晶上系统组装并进行精确对位，可避免出现接触不良、焊盘错位或层间蠕动等问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
110
records
(took 0.025 seconds)
