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公开(公告)号：CN117234310B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311508903.6
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶上处理器的辅助系统，该系统主要由水冷结构件基座、晶圆连接器、高速供电底板、晶上系统管理单元、加强筋和晶上供电子系统组成。其中高速供电底板上采用中心安装供电阵列、四边安装对外高速互连接口阵列、四个角落安装区域管理单元的布局，晶上供电子系统采用3D堆叠垂直供电架构，其供电单元阵列中内含多层水冷散热结构件。本发明可提升晶上系统的计算密度、功率密度和对外通信带宽，降低供电子系统的配电损耗，增强供电子系统的散热密度和安装维护的便捷性。
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公开(公告)号：CN116259606A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310543699.5
申请日：2023-05-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L23/58
Abstract: 本申请提供一种TSV结构及其制备方法，封装结构包括晶圆，晶圆的正面开设有容纳孔，容纳孔的中部设有呈圆柱形的第一金属层。沿容纳孔的径向，晶圆和第一金属层之间设有同轴的至少一个截面呈环形的第二金属层。晶圆与相邻的第二金属层之间、相邻的两个第二金属层之间、第一金属层与相邻的第二金属层之间均设有截面呈环形的电介质层。电介质层与晶圆之间、电介质层与第二金属层之间、电介质层与第一金属层之间均设有截面呈环形的绝缘层。至少两个电介质层设有截面呈扇环形的空气间隙。第一金属层传递信号，第二金属层接地屏蔽信号干扰，保证了TSV的传输性能。多层空气间隙可以降低整体的互联电容，缓解热应力。
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公开(公告)号：CN117895203B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410048495.9
申请日：2024-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构及设备，该serdes差分对结构包括至少五层二氧化硅基板，第一层和最后一层二氧化硅基板设置有金属地层，中间层二氧化硅基板分别设置为serdes信号线层和介质层；serdes信号线层设置有serdes差分对，serdes差分对与上下层金属地层的网状部分构成带状线结构；介质层用于隔离金属地层和serdes信号线层。本发明通过在serdes差分对垂直上下地采用镂空加网状结构的组合方式，有效降低了serdes差分对在晶圆的走线过程中寄生而成的电感电容数值，从而优化serdes的回波损耗，同时也能进一步提高传输功率，使得信号传输更加安全。
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公开(公告)号：CN117466240A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311711891.7
申请日：2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上集成的耐高温静电驱动垂直微镜光开关芯片，包括晶圆及其上的固定电极、可静电驱动垂直微镜、反射镜，可静电驱动垂直微镜为悬臂式或梳齿式，可静电驱动垂直微镜或反射镜为平面、凸面或凹面，通过固定电极和可静电驱动垂直微镜之间的排斥或吸引实现出射光线的移动，其中凹面镜或凸面镜实现出射光线角度的偏转，实现光信号切换；光开关芯片的制备工艺包括：在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极、垂直微镜及反射镜，对垂直侧壁进行平坦化抛光；在晶圆、固定电极、垂直微镜和反射镜表面沉积二氧化硅绝缘层；在固定电极、垂直微镜及反射镜表面沉积金属层，通过剥离的方法形成互连线及金属化的固定电极、垂直微镜、反射镜。
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公开(公告)号：CN117234310A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311508903.6
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶上处理器的辅助系统，该系统主要由水冷结构件基座、晶圆连接器、高速供电底板、晶上系统管理单元、加强筋和晶上供电子系统组成。其中高速供电底板上采用中心安装供电阵列、四边安装对外高速互连接口阵列、四个角落安装区域管理单元的布局，晶上供电子系统采用3D堆叠垂直供电架构，其供电单元阵列中内含多层水冷散热结构件。本发明可提升晶上系统的计算密度、功率密度和对外通信带宽，降低供电子系统的配电损耗，增强供电子系统的散热密度和安装维护的便捷性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219518B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311466364.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。
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公开(公告)号：CN117080352A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311330498.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法，包括：第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层，第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠，第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层，第二衬底的第二面处设有第二微通道，第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层，至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性，可以快速散去芯片产生的热量，第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热，进一步提高了散热效果，减小温度不均匀性。
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公开(公告)号：CN116259606B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310543699.5
申请日：2023-05-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L23/58
Abstract: 本申请提供一种TSV结构及其制备方法，封装结构包括晶圆，晶圆的正面开设有容纳孔，容纳孔的中部设有呈圆柱形的第一金属层。沿容纳孔的径向，晶圆和第一金属层之间设有同轴的至少一个截面呈环形的第二金属层。晶圆与相邻的第二金属层之间、相邻的两个第二金属层之间、第一金属层与相邻的第二金属层之间均设有截面呈环形的电介质层。电介质层与晶圆之间、电介质层与第二金属层之间、电介质层与第一金属层之间均设有截面呈环形的绝缘层。至少两个电介质层设有截面呈扇环形的空气间隙。第一金属层传递信号，第二金属层接地屏蔽信号干扰，保证了TSV的传输性能。多层空气间隙可以降低整体的互联电容，缓解热应力。
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公开(公告)号：CN117895203A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410048495.9
申请日：2024-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构及设备，该serdes差分对结构包括至少五层二氧化硅基板，第一层和最后一层二氧化硅基板设置有金属地层，中间层二氧化硅基板分别设置为serdes信号线层和介质层；serdes信号线层设置有serdes差分对，serdes差分对与上下层金属地层的网状部分构成带状线结构；介质层用于隔离金属地层和serdes信号线层。本发明通过在serdes差分对垂直上下地采用镂空加网状结构的组合方式，有效降低了serdes差分对在晶圆的走线过程中寄生而成的电感电容数值，从而优化serdes的回波损耗，同时也能进一步提高传输功率，使得信号传输更加安全。
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公开(公告)号：CN117594966A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202410071736.1
申请日：2024-01-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P3/08
Abstract: 本发明公开了一种具有低损耗高鲁棒性的serdes差分线结构及电子设备，该serdes差分线结构通过光刻工艺制备获得的金属网状结构构建了金属网状等效地，包括至少五层二氧化硅基板，金属网状等效地设置在第一层二氧化硅基板和最后一层二氧化硅基板上，中间层二氧化硅基板分别设置为布线层和隔离层，布线层设置有serdes差分线对，隔离层用于隔离金属网状等效地和布线层。本发明提高了serdes线的信号抗干扰能力，同时，金属网状等效地有效降低了serdes线的耦合，使得信号在传输过程中插损下降，实现了serdes线在信号传输过程中的高稳定性和低损耗性，从而提升馈电网络质量，具有较高的鲁棒性。
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