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公开(公告)号：CN102891433A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210374777.5
申请日：2012-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/026
Abstract: 一种可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法，包括如下制作步骤：选择一衬底；在该衬底上外延生长增益区量子阱材料层，该增益区量子阱材料层分为第一和第二光栅区，增益区，相位区以及放大区；选择性腐蚀掉第一和第二光栅区，相位区以及放大区位置的增益区量子阱材料层，保留增益区部分的增益区量子阱材料层；在第一和第二光栅区，相位区及放大器区上依次生长相位区材料层及量子阱材料层；选择性腐蚀掉除放大器区以外的放大器量子阱材料层；在第一和第二光栅区上的相位区体材料层表面制作光栅；在制作完光栅的结构上生长接触层。本发明利用接生长在得到可独立优化的光栅区及相位区所需的体材料的同时获得用于制作高饱和输出功率放大器的量子阱材料。
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公开(公告)号：CN102162968B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010591447.2
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/39
Abstract: 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层，在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN102162968A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010591447.2
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/39
Abstract: 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层，在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN102055133A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237090.5
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤2：在激光器区域制作布拉格光栅，然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层；步骤3：在外延片上刻蚀脊型光波导，使用He离子注入提高隔离区电阻，然后钝化及平坦化表面，最后制作p型和n型电极。本发明工艺简单，可靠性高，消除了热电子对激光器性能的影响，提高了激光器的特征温度，可实现对激光器和调制器一定程度的独立优化。
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公开(公告)号：CN102023455A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910093299.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F3/00
Abstract: 一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P型重掺杂的InP电子阻挡层和P型重掺杂InGaAs接触层，依次制作于n型稀释波导层之上，形成单行载流子探测器的结构；一n型金属电极层制作于n型释波导层之上；一氮化硅或氧化硅绝缘覆盖层制作于n型金属电极层之上，并将电吸收调制器结构和单行载流子探测器结构的侧面及其周围覆盖；一聚合物包层制作于氮化硅或氧化硅绝缘覆盖层之上；一薄膜电阻制作于聚合物包层之上；一P型微带线状金属电极和P型电极板制作于聚合物包层之上，并通过薄膜电阻连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101888060A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010196147.4
申请日：2010-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101807616A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010113777.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101621179A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810116039.4
申请日：2008-07-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括：在n型InP衬底上分别外延InP缓冲层和介质膜；在介质膜上刻出条形凹槽，并依次生长InGaAsP下限制层、InGaAsP/InGaAsP多量子阱、InGaAsP上限制层和InP光栅制作保护层；去除介质膜；刻出多条取样光栅窗口；制作取样光栅；腐蚀保护层；依次生长p-InP层、p-InGaAsP刻蚀阻止层、p-InP层和p + -InGaAs层；形成脊形波导；刻蚀形成电隔离沟；在p-InGaAsP刻蚀阻止层上进行He离子注入；在上述步骤制作的器件结构的上表面和脊形波导的侧面淀积介质绝缘层；在器件的上表面溅射p电极；将衬底减薄，并蒸发n电极，解理管芯，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101316024A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710099862.4
申请日：2007-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种模式相干的双模半导体激光器结构，其中包括：一基底；一缓冲层，该缓冲层制作在基底上；一下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下限制层上，该多量子阱有源层为五段结构，两端为锯齿状，中间为平面结构，在中间与锯齿状结构之间的两段结构内注入磷；一上限制层，该上限制层制作在多量子阱有源层上的锯齿状的上面及中间部分；一盖层，该盖层制作在多量子阱有源层及上限制层的上面；一刻蚀阻止层，该刻蚀阻止层制作在盖层上；一欧姆接触层，该欧姆接触层分为五段制作在刻蚀阻止层上；一金属电极层，该金属电极层制作在分为五段的欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN101154791A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200610152272.9
申请日：2006-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于产生毫米波的集成芯片，该集成芯片包括：第一分布反馈激光器1、第二分布反馈激光器2和3dB耦合器3，所述第一分布反馈激光器1和第二分布反馈激光器2分别集成在3dB耦合器3相互平行的双臂上，且所述第一分布反馈激光器1、第二分布反馈激光器2和3dB耦合器3集成制作在同一磷化铟基片上。本发明提供的用于产生毫米波的集成芯片，具有结构紧凑，并且通过调谐两个分布反馈激光器的驱动电流快速调谐毫米波的频率，通过3dB耦合器把两个DFB激光器分开减少了它们之间的光串扰，增强了电学隔离，从而产生了连续可调的毫米波。
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