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公开(公告)号：CN101527318B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN103217737A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310015551.0
申请日：2013-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/18358 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/02248 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/18325 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/2018 , H01S5/2031
Abstract: 本发明提供一种用于光子集成电路的光源及其制造方法和光子集成电路。用于光子集成电路的光源可以包括：反射耦合层，形成在衬底上，在衬底中提供有光波导，反射耦合层的至少一侧光学地连接到光波导；光学模式对准层，提供在反射耦合层上；和/或上结构，提供在光学模式对准层上，并且包括用于产生光的有源层和提供在有源层上的反射层。用于光子集成电路的光源可以包括：下反射层；光学地连接到下反射层的光波导；在下反射层上的光学模式对准层；在光学模式对准层上的有源层；和/或在有源层上的上反射层。
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公开(公告)号：CN101681933B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880020930.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102130177A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010569845.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101819982A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010175802.8
申请日：2006-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/329 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。
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公开(公告)号：CN101086968B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610166770.9
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。
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公开(公告)号：CN100585899C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510098148.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F9/902 , C23C16/18 , C23C16/45531 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导体存储器件。
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公开(公告)号：CN100573336C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610106080.4
申请日：2006-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70241 , G03F7/70941
Abstract: 提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R1t和R1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R2t和R2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i1，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i2。数值R1t、R1s、R2t、R2s、i1和i2可以满足下面的等式：R1tcosi1＝R2tcosi2；R1s＝R1tcos2i1；R2s＝R2tcos2i2。
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公开(公告)号：CN100495656C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510083364.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴永洙 , 朴玩濬 , 亚历山大·A·萨拉宁 , 安德雷·V·佐托夫
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , Y10S977/742 , Y10S977/777
Abstract: 提供了形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法。所述纳米点包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的氧化硅层；均匀排列在所述氧化硅层上的多个纳米点；以及在对应于所述第一纳米点的区域中形成在所述第一纳米点之下的金属纳米点，其中所述金属纳米点形成在所述硅衬底和所述氧化硅层之间，或者形成在所述氧化硅层上。包括所述纳米点的光学器件或半导体器件的阈值电流减小并且保持特性得到改善。
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