-
公开(公告)号：CN100511954C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510099264.8
申请日：2005-09-08
Applicant: 富士电机电子技术株式会社 , 夏普株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: H02M7/5387
CPC classification number: H02P27/06 , B60L3/003 , B60L2210/20 , H02M7/003 , Y02T10/725
Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。
-
公开(公告)号：CN101458936A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810177164.6
申请日：2008-12-04
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 津田孝一
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 本发明提供一种用于记录介质的基板，该基板在加热期间显示低热导率而在冷却期间显示高热导率、具有高机械强度、在沉积磁记录介质的组成层期间可对其自由施加偏压、并且适于热辅助记录方法。本发明的用于记录介质的基板具有带中心孔的圆盘形，并包括：主面；邻近中心孔的基板内周端面；邻近主面和基板内圆周端面的基板内圆周倒角部；置于主面与基板内圆周端面相反一侧上的基板外圆周端面；以及邻近主面和基板外圆周端面的基板外圆周倒角部，用于记录介质的基板进一步具有单晶硅支承构件和形成于该单晶硅支承构件上的SiO2膜，并且该SiO2膜的主面上的膜厚度小于10nm。本发明还提供使用这种基板的磁记录介质。
-
公开(公告)号：CN100492496C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510104012.X
申请日：2005-09-09
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 久保木孔之
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7379
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种垂直磁记录介质，它能改善写的性能，但不会破坏热稳定性和电磁转换特性，如噪音性能。本发明的垂直磁记录介质包含至少一个非磁性底层4和一个磁性层5。经过掠入射X射线衍射测定，铁磁性晶粒的比例A/B在0.2-1.5之间，其中A表示在x-轴69.5°角度上得到的fcc(111)峰的积分强度，B表示在x-轴60.2°角度上得到的hcp(101)峰的积分强度。所述介质中较好包含软磁性背衬层2和籽晶层3。籽晶层3较好由无定形结构层与fcc或hcp晶体结构层层合而成。
-
公开(公告)号：CN101419970A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810169163.7
申请日：2008-10-23
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 上野胜典
IPC: H01L27/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L21/823493 , H01L27/0248 , H01L29/0619
Abstract: 半导体配备有IGBT有源部分和用于检测IGBT异常状态的控制电路部分。集电极区以选择性方式在背表面一侧(即在IGBT集电极一侧)形成，也就是说在IGBT有源部分的正下方形成。
-
公开(公告)号：CN100474402C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510078523.9
申请日：2005-06-10
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: C23C18/1893 , C23C18/1865 , C23C18/1889 , G11B5/8404
Abstract: 本发明的一个目的是提供无电镀敷方法，该方法在表面粗糙度小的玻璃基材上形成良好粘着性镀膜。还提供采用这种无电镀敷方法制成的磁性记录介质及包括这样磁性记录介质的磁性记录器件。该方法包括：除去玻璃基材表面上过量碱金属的步骤，包括将玻璃基材浸在含锂盐溶液中；腐蚀处理步骤，用含氢氟酸，氟化铵，盐酸，或它们的混合物的溶液，处理除去了过量碱金属的玻璃基材的表面；在经腐蚀处理的玻璃基材上形成粘着层步骤，将基材浸在氨基型或巯基型的硅烷偶联剂水溶液中；形成催化剂层步骤，在基材的粘着层上用氯化钯或钯形成催化剂层；无电镀敷步骤，在催化剂层上形成无电镀膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345254A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810125902.2
申请日：2008-06-03
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/41741 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种传导层，该传导层在p型保护环上形成且绝缘薄膜介于它们之间以便与相应的p型保护环连接。每个传导层的内端部凸出于直接内接的p型保护环之上。p型保护环的杂质浓度被设置在n型半导体衬底杂质浓度和p阱区杂质浓度之间。结果，p型保护环可以被缩短且芯片大小可被减小。此外，该器件可被制成对外来电荷较不敏感。
-
公开(公告)号：CN101308871A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810096516.5
申请日：2008-05-12
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 小野泽勇一
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0834 , H01L29/66348
Abstract: 在根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件中，该器件包括具有沟槽栅结构并且均匀分布在器件整个有源区的格子单元，在夹在n+型发射区(107)和p型基区(105)之间并平行于硅衬底100的主表面的部分中，夹在n+型发射区(107)和n型漂移层100之间并且经由栅绝缘膜103与沟槽102中形成的栅电极接触的这部分p型基区(105)的杂质浓度是最低的。根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件可以将栅阈值电压的变化减到最小。
-
公开(公告)号：CN101286701A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810005418.6
申请日：2008-01-29
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 日朝信行
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M1/32 , H02M1/36 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 根据本发明的开关电源帮助减小待机时所消耗的电功率，防止开关电源启动时引起过电流，并进行防止短路的保护，所述开关电源包括开关控制电路，其功能如下：当其轻负载判断部分3基于反馈信号判断出该负载比较轻时，就进行PFM控制；当其轻负载判断部分3基于反馈信号判断出该负载并非比较轻时，就进行PWM控制；当进行PWM控制期间满足预定的条件时，设定开关器件的最小“开”周期，使得PWM控制期间的最小“开”周期比PFW控制期间开关器件的“开”周期要短；以及在最小“开”周期流逝而过之后，当流过所述开关器件的电流向更高的一侧超过可允许的数值时，关闭所述开关器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.066 seconds)
