公开(公告)号：CN101540321A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910138719.0

申请日：2009-02-06

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 吉川功 ,  山崎智幸 ,  小野泽勇一

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/36

Abstract: 主要半导体元件的表面结构和第一P阱24b位于N－漂移层23的主表面中。温度检测二极管22由位于第一P阱24b中的N阱25中的P+阳极区26以及位于P+阳极区26中的N+阴极区27构成，以使得温度检测二极管22通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25和P+阳极区26短路以阻止由寄生晶闸管引起的闩锁击穿。温度检测二极管22′位于N－漂移层23′的第一主表面中的第一P阱24b′中的N阱25′中。主要半导体元件位于N－漂移层23′中。温度检测二极管22′通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b′具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25′的一侧被具有比第一P阱24b′浓度高的P+高浓度区28′围绕，以使得横向npn晶体管的激活能够被抑制。结果，可以提供一种装备有主要半导体元件和温度检测元件的半导体器件，其中：温度检测元件的温度特性能够与主要半导体元件的元件状态无关而保持不变；能够获得高闩锁容限；以及获得高温度检测精度。

公开(公告)号：CN101308871A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810096516.5

申请日：2008-05-12

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 小野泽勇一

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 在根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件中，该器件包括具有沟槽栅结构并且均匀分布在器件整个有源区的格子单元，在夹在n+型发射区(107)和p型基区(105)之间并平行于硅衬底100的主表面的部分中，夹在n+型发射区(107)和n型漂移层100之间并且经由栅绝缘膜103与沟槽102中形成的栅电极接触的这部分p型基区(105)的杂质浓度是最低的。根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件可以将栅阈值电压的变化减到最小。