公开(公告)号：CN106083053A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610464242.5

申请日：2016-06-24

Applicant: 中国科学院地球化学研究所

Inventor： 梁文 ,  王璐颖 ,  尹远 ,  李和平

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  G01N17/02 ,  G01N27/30

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/656 ,  G01N17/02 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种铁闪锌矿电极的制备方法，它包括挑选铁闪锌矿颗粒；将挑选的铁闪锌矿颗粒清洗后烘干备用；称取烘干后的铁闪锌矿颗粒0.8~1.0g，研磨成200目以上的粉末，在粉末压片机中1MPa条件下压成铁闪锌矿圆柱体后用银箔包裹；将氯化钠研磨成200目以上的粉末置于烘箱中150℃温度下烘干2小时；用烘干后的氯化钠粉末制备内含铁闪锌矿圆柱体的氯化钠圆柱体样品；将内含铁闪锌矿圆柱体的氯化钠圆柱体样品放入高压组装块内，进行加温加压烧结；烧结完成后的样品打磨抛光即得铁闪锌矿电极；本发明解决了现有技术铁闪锌矿性脆，延展性差以及铁闪锌矿与其他硫化物矿物共生影响铁闪锌矿电化学腐蚀结果等因素，存在的铁闪锌矿电极很难加工制备等技术问题。

公开(公告)号：CN105541330A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510967147.2

申请日：2015-12-22

Applicant: 广西有色金属集团有限公司 ,  湖南英捷高科技有限责任公司

Inventor： 李益民 ,  刘晨 ,  何浩 ,  申珍珍 ,  詹海鸿 ,  甘培原 ,  乐卫和 ,  满露梅

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6581

Abstract: 本发明公开了一种太阳能薄膜电池靶材的制备方法，包括以下步骤：1.原料准备：以纯度大于99.99％、平均粒径0.01-10微米的Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末作为靶材原料；2.制浆：将纯水、甲基丙烯酰胺单体、N-N’二甲基丙烯酰胺充分溶解组成预混液，以四甲基氢氧化氨做分散剂，加入靶材原料，搅拌制浆并经研磨后得到浆料；3.浇注脱水：将得到的浆料经浇注后，再将浆料进行抽真空脱水，得到中间产物；4.致密化处理：将得到的中间产物进行致密化处理，即得到一种太阳能薄膜电池靶材。本发明生产效率和成品率大大提高，所得的太阳能薄膜电池靶材密度高，且不受尺寸和形状的约束。且合成过程简单易操作，成本低。

公开(公告)号：CN102741458B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201080049913.2

申请日：2010-09-08

Applicant: 成都方舟久远光伏科技有限公司

Inventor： 刘焕明 ,  丁志峰 ,  大卫·安东尼·洛夫 ,  穆罕默德·哈拉迪 ,  杨军

IPC: C25D3/38 ,  B32B15/00 ,  B32B18/00 ,  C25D3/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C25D3/66 ,  C25D3/665 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明描述了生产光伏太阳能电池的方法，所述光伏太阳能电池具有化学计量p型铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2)(简写为CIGS)作为其吸收层和II-VI半导体层作为n型层，并电沉积所有这些层。所述方法包括采用离子液体方法的一系列新步骤和电沉积条件以克服本领域的技术挑战用于低成本和大面积生产CIGS太阳能电池，与现有技术相比所述方法具有下列创新优点：(a)以一锅法低成本并大面积电沉积CIGS而不需要沉积后的热烧结或硒化；(b)低成本并大面积电沉积n型II-VI半导体用于完成所述CIGS太阳能电池生产；以及(c)采用简单化学浴方法低成本并大面积沉积CdS或其它化合物的缓冲层。

公开(公告)号：CN102132430B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN200980131220.5

申请日：2009-08-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  加利福尼亚大学董事会

Inventor： 李相睦 ,  普拉布哈卡·班达鲁 ,  陈成浩

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/28 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/34 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/781 ,  H01L35/22 ,  H01L35/26

Abstract: 各向异性伸长的热电纳米复合材料包括热电材料。

公开(公告)号：CN101971381B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN200980109109.6

申请日：2009-03-18

Applicant: 国立大学法人山梨大学 ,  国立大学法人京都大学 ,  学校法人东京理科大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  佳能株式会社

Inventor： 林润平 ,  张祖依 ,  伊福俊博 ,  和田智志 ,  大和庆祐 ,  熊田伸弘 ,  东正树 ,  舟洼浩 ,  饭岛高志 ,  冈村总一郎

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C01G29/00

CPC classification number: H01L41/187 ,  C01G23/003 ,  C01G23/006 ,  C01G29/00 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/499 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明提供包括无铅钙钛矿型复合氧化物的压电材料，该无铅钙钛矿型复合氧化物具有优异的压电特性和温度特性并且由通式(1)表示：xABO3-yA′BO3-zA″B′O3其中A为Bi元素；A′为包括La的稀土元素；B为选自Ti、Zn、Sn和Zr中的至少一种元素；A″为选自Ba、Sr和Ca中的至少一种元素；B′为选自二价、三价、五价、四价和六价元素中的至少一种元素；并且x为0.10-0.95的值，y为0-0.5的值，和z为0-0.7的值，条件是x+y+z＝1。

公开(公告)号：CN103917689A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054849.6

申请日：2012-11-01

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  H01L31/0445

CPC classification number: C23C14/0623 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6266 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C22C9/00 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法形成良好地添加有Na的由Cu-In-Ga-Se构成的膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下的成分组成：含有Cu、In、Ga及Se，另外，以NaF化合物、Na2S化合物或Na2Se化合物中的至少一种状态并以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05～5原子％的比例来含有Na，氧浓度为200～2000重量ppm，剩余部分由不可避免的杂质构成。

公开(公告)号：CN102099937B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980128068.5

申请日：2009-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟洙 ,  李相睦

IPC: H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/547 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明公开了热电材料。所述热电材料由下式表示：(A1-aA′a)4-x(B1-bB′b)3-y。A为XIII族元素，和A′可为XIII族元素、XIV族元素、稀土元素、过渡金属、或者其组合。A和A′彼此不同。B可为S、Se、Te，和B′可为XIV族、XV族、XVI族或者其组合。B和B′彼此不同。a等于或大于0且小于1。b等于或大于0且小于1。x在-1和1之间和其中y在-1和1之间。

公开(公告)号：CN103443658A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280015519.6

申请日：2012-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 吉田克仁 ,  栗巢贤一 ,  京谷达也

IPC: G02B1/02 ,  C01B19/04 ,  C23C16/30 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9638 ,  G02B3/00

Abstract: 本发明的光学部件由ZnSe多晶体构成，所述ZnSe多晶体由晶粒构成，所述晶粒具有50μm以上且1mm以下的平均粒径，且所述ZnSe多晶体具有99%以上的相对密度。

公开(公告)号：CN101815563B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880107528.1

申请日：2008-07-14

Applicant: 新加坡南洋理工大学 ,  利兰斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： D·D·孙 ,  P·F·李 ,  X·张 ,  J·杜 ,  J·O·莱基

IPC: B01D1/18 ,  B01J35/08 ,  C01G23/04 ,  A61K9/14 ,  B01J35/10 ,  C03B19/10 ,  B01J21/00 ,  B01J37/08 ,  C08J5/04

CPC classification number: C03B19/107 ,  A61K9/0092 ,  B01J35/002 ,  B01J35/004 ,  B01J35/06 ,  B01J35/08 ,  B01J35/1052 ,  B01J35/1061 ,  B01J35/1066 ,  B01J35/1071 ,  B01J35/1076 ,  B01J37/0045 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/053 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/34 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/17 ,  C02F1/32 ,  C02F1/725 ,  C04B30/02 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/632 ,  C04B38/009 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2111/00827 ,  C04B2235/441 ,  C08J5/005 ,  Y02W10/37 ,  Y10T428/2982 ,  C04B35/00 ,  C04B38/0045 ,  C04B38/0054 ,  C04B35/52 ,  C04B35/547

Abstract: 本发明涉及具有由纳米丝组成的多孔周壁的空心微球。

公开(公告)号：CN102630254A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080053733.1

申请日：2010-11-24

Applicant: AQT太阳能公司

Inventor： 迈克尔·巴塞洛缪兹 ,  布赖恩·约瑟夫·巴塞洛缪兹 ,  马里安娜·穆特安祐 ,  伊洛·戈特

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/115

CPC classification number: C22C1/0491 ,  B22F2998/10 ,  C04B35/547 ,  C04B35/6455 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  C22C1/1084 ,  B22F3/10

Abstract: 在本发明一个示例性的实施方式中，描述了一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构。所述溅射靶包括：靶体，其具有包含Cu1-x(Se1-y-zSyTez)x的靶体组合物，其中：x值大于或等于约0.5；y值在约0到约1之间；z值在约0到约1之间；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。