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公开(公告)号：CN111180528B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202010092906.6
申请日：2020-02-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si3N4、氧化层SiO2、N‑低浓度外延层、N+高浓度衬底、阴极金属Ni接触区。该结终端结构特点在于：阳极金属Ni接触区1和三阶斜台面金属Ni场板短接在一起，分别作为元胞区阳极和结终端金属场板。氧化层SiO2夹在氮化层Si3N4中间，形成三明治结构。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过利用三阶斜台面场板结终端区结构，能够有效地提高器件的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN116225989A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211603051.4
申请日：2022-12-13
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F13/16 , G06F15/78 , G06F9/50 , G06N3/063 , G06N3/0464
Abstract: 本发明涉及一种卷积神经网络数据流切片尺寸的优化方法，属于数据传输技术领域。通过采用“计算通信比”模型为指定的加速器平台，在一定量的片上存储空间约束条件下，分析设计最适合其的切片数据流尺寸，使所部署的卷积神经网络模型能够发挥出平台最大理论算力，避免因卷积神经网络大量并行计算所造成的密集片外数据交互，所需峰值传输带宽超出片外存储器最大有效带宽，推理性能受到内存墙瓶颈限制等一系列问题。本发明具有适应性广、易于实现等优点，能够有效的提升卷积神经网络加速器的推理速度，减少由数据传输所带来的系统延迟，由此来解决密集计算类应用的工程实践中内存墙限制问题。
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公开(公告)号：CN112859611B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110069427.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种自适应预失真系统及方法，包括第一预失真模块、第二预失真模块、功放模块、衰减模块和自适应模块；第一预失真模块用于对输入信号进行预失真处理，得到预失真输出信号；功放模块用于对预失真输出信号进行功率放大处理，得到功放输出信号；衰减模块用于对功放输出信号进行衰减处理，第二预失真模块用于对衰减处理后的功放输出信号进行预失真处理，得到预失真输出信号；自适应模块用于对预失真输出信号进行自适应处理，得到自适应信号；根据预失真输出信号和自适应信号的差值信号，对自适应模块进行调整。本发明具有稳定性高，收敛快，可离线学习，实现难度低的特性。
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公开(公告)号：CN116112009A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211603045.9
申请日：2022-12-13
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Sigma‑delta调制器的小数分频锁相环电路，属于电子电路领域。锁相环的整体电路结构包括时钟分频器、鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和Sigma‑delta调制器。采用基于MASH结构的优化设计，Sigma‑Delta调制器级联实现高阶结构，然后将小数分频的信号输出整合在锁相环当中。通过本发明优化设计的Sigma‑Delta调制器在提高小数分频精度的同时，提高了调制器的信噪比。在锁相环里通过Sigma‑delta调制器输出信号与分频信号进行整合，再传输到PFD与参考信号进行相位比较来控制VCO的频率输出，完成相位噪声良好的高精度高性能锁相环电路。
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公开(公告)号：CN110571264B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910877635.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，属于功率半导体器件领域。本发明的多通道电流栓的SA‑LIGBT器件主要是在器件的集电极区域设置n个横向P柱，形成多个电子通道，构成电流栓结构，具有以下作用：(1)正向导通时，电流栓相对于对电子电流呈关闭状态，使得晶体管的集电极短路电阻增大，从而完全消除传统SA‑LIGBT的snapback效应；(2)正向导通时降低压降Von；(3)关断时，P柱之间形成的三条电子通道可有效提高电子的抽取效率，减少关断时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112803920B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011624163.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03H21/00
Abstract: 本发明公开了基于改进LMS算法的稀疏系统辨识方法和滤波器和系统，用于辨识无线通信信道的系数和解决无线通信系统中因为稀疏信道产生的回波问题，通过对估计滤波器迭代更新方程的ZA函数进行改进，使得需要调整参数更少，复杂度比LMS算法更低，但是其性能表现与l0‑ILMS算法一致，从而使得该算法在硬件处理数据速度更快，延迟更低，其硬件的稳定性更高，风险更低，有利于该算法在硬件中实现。
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公开(公告)号：CN114638347A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210430624.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种低片外传输带宽需求的卷积神经网络加速方法，属于传输技术领域。通过对基于“切片”调度策略的数据流进行复用性分析，在FPGA片上计算、存储、逻辑等资源的约束下，为卷积神经网络模型每一个卷积层设计单独的调度策略等方式，降低高吞吐量对传输带来的压力，避免有限的带宽成为系统整体性能的瓶颈，从而解决实际应用中访存拥塞的问题，提升卷积神经网络模型在FPGA平台上部署的适配的，扩宽其应用场景。本发明具备低成本、高集成度、硬件资源消耗低、结构简单、可靠性高、易于实现等优点，能有效的降低高吞吐量对传输带来的压力，避免有限的带宽成为系统整体性能的瓶颈，从而解决实际应用中访存拥塞的问题。
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公开(公告)号：CN114300537A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111506390.6
申请日：2021-12-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本发明提出一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明的LIGBT器件集成了表面和体内双二极管，其中P+表面层为阳极，P型浮空层为漂移区，N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成表面二极管结构；P+表面层为阳极，P‑top区域为漂移区，N型漂移区和N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成体内二极管结构。该器件正向导通时，空穴可以通过体内二极管抽取，降低了器件的饱和电流密度，增强了器件的短路安全工作特性；反向导通时，体内和表面二极管同时承担反向电流；在关断时刻，体内二极管抽取存储的载流子，减小关断时间和关断损耗。
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公开(公告)号：CN111417042B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010187382.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种兼具实时耳温监测功能的无线耳机系统，属于电子医疗器械领域，包括无线耳机、耳温计，所述无线耳机为骨传导方式，所述耳温计连接在无线耳机的USB接口并可热插拔，佩戴时所述无线耳机佩戴在耳朵外部，所述耳温计塞入耳道，耳温计的测温结果通过无线耳机传输至智能终端；还通过智能终端连接云平台记录数据并进行异常提问提醒。本发明可有效解决非居家且需要重点跟踪人员的体温实时测量和监控的技术难题。相比于常用的耳温枪、额温枪、皮肤体温计等手动式体温测量装置，本发明可以实现自动的、连续的、实时的测量，同时还可以把测量结果实时传输到云端，便于云端的实时分析和监控。
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公开(公告)号：CN113517942A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110797001.3
申请日：2021-07-14
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种面向应急通信的多通道数字短波发射基带系统，属于通信技术领域。包括数据输入转换模块、FPGA部分、ARM硬核部分以及AD9957部分；实现多路数字短波发射机基带信号调制以提高信息传输速率，采用SoC架构来搭建这个信号传输的发射系统，提高了系统集成度，同时结合设计的上变频电路实现基带信号的上变频，将基带信号调制到合适的短波波段发送，达到数字短波发射机的基本功能。本发明可同时实现多任务，多通道的数据业务的传送，即在一套发射机板上完成多套节目的发送。发射机的节目传输数量可由控制电路灵活配置以满足不同的应用场景。
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