公开(公告)号：CN107093624A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710206665.1

申请日：2017-03-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘琛 ,  吕红亮 ,  余维健 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/201 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78681 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明公开了一种基于柔性衬底的低In组分InGaAs MOSFET器件及制作方法，主要为了解决传统Ⅲ‑V材料的MOSFET只能应用于硬质平面环境，无法应用于柔性及高频环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、半导体功能薄膜层(2)、氧化层(3)和金属电极(4)，其中衬底采用聚酰亚胺柔性衬底；半导体功能薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有高工作频率的同时，具有良好的延展和弯曲性，可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。

公开(公告)号：CN106129106A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610512432.X

申请日：2016-07-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  崔晓然 ,  张玉明 ,  刘琛 ,  芦宾 ,  张义门

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0684 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，自下而上包括衬底(9)、沟道层(7)，沟道层(7)的两端分别为源区(5)和漏区(6)，源区和漏区的正上方分别为源极(1)和漏极(3)，源极与漏极之间为栅氧化层(4)，栅氧化层的正上方为栅极(2)，其中衬底与沟道层之间增设有缓冲层(8)，该缓冲层(8)采用GaAs材料；沟道层(7)采用In0.53Ga0.47As材料，掺杂材料为硼或磷，掺杂浓度为1015～1017cm‑3；栅氧化层(4)采用介电常数大于3.9的高K材料。本发明减少了沟道层与高K栅氧化层的界面陷阱电荷，改善了金属氧化物半导体场效应晶体管的电学特性退化现象，可用于制作大规模集成电路。

公开(公告)号：CN103943774A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410121051.X

申请日：2014-03-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  张玉明 ,  张义门 ,  娄永乐

IPC: H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种基于镁靶的磁隧道结制备方法，主要解决现有技术制备的磁隧道结中MgO薄膜结晶度低，导致隧穿磁电阻不高的问题。其实现步骤是：先在清洗后的Si衬底基片上淀积一层SiO2薄膜；再在SiO2薄膜上磁控溅射Ta/Ru/Ta/CoFeB金属层；然后利用金属Mg靶，通入3-30sccm的O2，在CoFeB上淀积一层MgO薄膜；最后在MgO薄膜上溅射CoFeB/Ta/Ru金属层，得到磁隧道结结构并置于真空中退火。本发明制备的磁隧道结具有绝缘层MgO结晶度高，隧穿磁电阻率高的优点，可用于制作自旋存储器。

公开(公告)号：CN103515196A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310374360.3

申请日：2013-08-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  孙哲 ,  张玉明 ,  贾仁需 ,  张义门

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/2236

Abstract: 发明公开了一种材料外延掺杂的方法，主要包括如下步骤：在含有氢气的容器中加入碳化硅化合物并加热，当温度达到第一阈值后，在所述容器中加入预设流速的丙烷；当所述容器温度达到第二阈值后，利用所述丙烷和氢气的混合气体对所述碳化硅化合物进行刻蚀；将氮气和硅烷加入至所述容器中，并冷却至室温。本发明通过改变容器中氢气、甲烷、氮气及硅烷的量的不同，有效地解决现有技术难以控制碳化硅材料高质量掺杂的问题，而且操作简单方便，制备的碳化硅外延层掺杂均匀，表面平整。

公开(公告)号：CN103217638A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310161377.0

申请日：2013-05-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  魏志超 ,  张金灿 ,  张玉明 ,  张义门 ,  刘敏

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种测试γ辐照后GaAs HBT器件性能的方法，主要解决现有方法的实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）辐照前器件测试；3）对器件进行辐照实验；4）辐照后器件测试；5）对比实验前后器件性能及数据的差异，改变GaAs HBT器件等效电路中的参数，建立辐照后GaAs HBT器件的新等效电路。6）将这个新的等效电路嵌入回射频集成电路仿真软件ADS的GaAs HBT器件模型库中，以实现使用计算机对GaAs HBT器件以及由该器件组成的电路进行抗辐照特性分析,提高辐照实验的通用性，减小辐照实验对人体的危害。

公开(公告)号：CN103199008A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310077087.8

申请日：2013-03-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  孙哲 ,  张玉明 ,  张义门 ,  吕红亮

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种零偏4H-SiC衬底上的同质外延方法，主要解决现有技术对材料的浪费的问题并且提高了SiC外延层质量，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入SH4；当温度达到1580℃-1620℃后，对衬底进行原位刻蚀20min；其后保持反应室温度和气压不变，向反应室通入流量为0.6mL/min～0.75mL/min的C3H8和流量为3mL/min～3.75mL/min的SH4，并保持30分钟；将SiH4逐渐增至15mL/min，将C3H8的流量逐渐增至3mL/min，生长外延层；生长结束后，在氢气流中冷却；最后向反应室充入氩气至常压，取出长有碳化硅外延层的衬底。本发明制备的碳化硅外延层继承了衬底的晶型，表面平整，结晶完整性好，消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错，可用于SiC的器件制造。

公开(公告)号：CN103107190A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310030640.2

申请日：2013-01-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  宁旭斌 ,  张玉明 ,  张义门 ,  崔强生 ,  武利翻

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、AlGaSb缓冲层(3)、下层AlSb势垒层(4)、InAs沟道层(5)、上层AlSb势垒层(6)、InAlAs空穴阻挡层(7)和InAs帽层(8)，其中：GaAs衬底(1)的晶向为 ，偏角为0.5°；下层势垒(4)中添加有delta掺杂层(4a)；上层势垒(6)中添加有delta掺杂层(6a)或InAs插入层(6b)。本发明InAs材料具有104cm-2/V·s的电子迁移率以及1012cm-2的二维电子气面密度，可用于制备高速低功耗HEMT器件。

公开(公告)号：CN102244099B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110171696.0

申请日：2011-06-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 汤晓燕 ,  张超 ,  张玉明 ,  张义门 ,  杨飞 ,  王文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。本发明的器件包括栅极(1)、SiO2隔离介质(2)、源极(3)、源区N+接触(4)、P+接触(5)、P-外延层(7)、JFET区域(8)、P阱(9)、N-漂移层(10)、N+衬底(11)和漏极(12)，其中：SiO2隔离介质(2)和JFET区域(8)之间设有一层厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为3×1016cm-3的上外延沟道层(6′)，使得器件在工作状态下的导电沟道远离SiO2和SiC界面，减少表面散射对电子迁移率的影响。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可用于开关稳压电源、汽车电子以及功率放大器领域。

公开(公告)号：CN102184964B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110122219.5

申请日：2011-05-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 汤晓燕 ,  张超 ,  张玉明 ,  张义门 ,  杨飞 ,  王文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种N沟道积累型SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。其技术特点是：在已有的SiC IEMOSFET器件结构的基础上将注入形成的导电沟道层改为由外延形成的厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为4×1016cm-3的N-外延积累层(6′)，该外延积累层(6′)横向位于左源区N+接触(4a)与右源区N+接触(4b)之间，纵向位于隔离介质(2)和JFET区域(8)之间。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可应用于汽车电子、电脑和通讯等领域。

公开(公告)号：CN102832248A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210332753.3

申请日：2012-09-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 汤晓燕 ,  宋庆文 ,  李华超 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于超结结构和传统漂移区相结合的半超结结构的碳化硅MOSFET，主要解决现有碳化硅MOSFET在高击穿电压时导通电阻高的问题。它包括：源极(1)、栅极(2)、SiO2氧化物介质(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、JFET区域(7)、N-外延层(11)、N+衬底(12)和漏极(13)，其中N-外延层(11)上方设有电流扩展层(10)，电流扩展层(10)上方的两侧且在P阱(6)的正下方设有掺杂浓度为1×1016~3×1017cm-3的P+柱区(8)，两个P+柱区(8)横向宽度相等，JFET区域(7)的下方设有与P+柱区掺杂浓度相等、宽度为两个P+柱区宽度之和的N+柱区(9)。本发明器件具有导通电阻低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能发电模块以及混合燃料电动车。