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公开(公告)号：CN103107190B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310030640.2
申请日：2013-01-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、AlGaSb缓冲层(3)、下层AlSb势垒层(4)、InAs沟道层(5)、上层AlSb势垒层(6)、InAlAs空穴阻挡层(7)和InAs帽层(8)，其中：GaAs衬底(1)的晶向为 ，偏角为0.5°；下层势垒(4)中添加有delta掺杂层(4a)；上层势垒(6)中添加有delta掺杂层(6a)或InAs插入层(6b)。本发明InAs材料具有104cm-2/V·s的电子迁移率以及1012cm-2的二维电子气面密度，可用于制备高速低功耗HEMT器件。
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公开(公告)号：CN102610638B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210077232.8
申请日：2012-03-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于功率集成电路的SiC-BJT及其制作方法，主要解决现有SiC-BJT不能用于功率集成电路的问题。本发明的SiC-BJT自下而上包括：SiC衬底(1)、p型缓冲层(2)、n型集电区(3)、p型基区(4)、n型发射区(5)、钝化层(6)、p型欧姆接触(7)位于p型基区(4)两侧、n型欧姆接触(8)位于n型发射区(5)两侧、发射极(9A)位于n型发射区(5)上、基极(9B)位于p型欧姆接触(7)上、集电极(9C)位于n型欧姆接触(8)上，在集电区(3)与基区(4)界面处设有长度为0.2～0.6um的保护环(10)，在基极电极(9B)处设有长度为0.5～1um场板(11)。本发明具有体积小易于集成以及击穿电压高的优点，可用于功率集成电路制备。
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公开(公告)号：CN103107190A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310030640.2
申请日：2013-01-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、AlGaSb缓冲层(3)、下层AlSb势垒层(4)、InAs沟道层(5)、上层AlSb势垒层(6)、InAlAs空穴阻挡层(7)和InAs帽层(8)，其中：GaAs衬底(1)的晶向为 ，偏角为0.5°；下层势垒(4)中添加有delta掺杂层(4a)；上层势垒(6)中添加有delta掺杂层(6a)或InAs插入层(6b)。本发明InAs材料具有104cm-2/V·s的电子迁移率以及1012cm-2的二维电子气面密度，可用于制备高速低功耗HEMT器件。
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公开(公告)号：CN102610638A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210077232.8
申请日：2012-03-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于功率集成电路的SiC-BJT及其制作方法，主要解决现有SiC-BJT不能用于功率集成电路的问题。本发明的SiC-BJT自下而上包括：SiC衬底(1)、p型缓冲层(2)、n型集电区(3)、p型基区(4)、n型发射区(5)、钝化层(6)、p型欧姆接触(7)位于p型基区(4)两侧、n型欧姆接触(8)位于n型发射区(5)两侧、发射极(9A)位于n型发射区(5)上、基极(9B)位于p型欧姆接触(7)上、集电极(9C)位于n型欧姆接触(8)上，在集电区(3)与基区(4)界面处设有长度为0.2～0.6um的保护环(10)，在基极电极(9B)处设有长度为0.5～1um场板(11)。本发明具有体积小易于集成以及击穿电压高的优点，可用于功率集成电路制备。
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