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公开(公告)号：CN114400427A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210103290.7
申请日：2022-01-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明一种基于阶梯阻抗耦合线的四频功分器，包括介质基板，以及设置其表面的两个双段阶梯阻抗耦合线，所述双段阶梯阻抗耦合线包括两段相连且不耦合的阶梯阻抗耦合线，两段阶梯阻抗耦合线呈夹角布置，两个双段阶梯阻抗耦合线对称设置并通过隔离电阻连接，两个双段阶梯阻抗耦合线的夹角相互靠近；两个双段阶梯阻抗耦合线的输入端连接输入端口馈线，双段阶梯阻抗耦合线的输入端分别连接第一输出端口馈线和第二输出端口馈线；该四频功分器利用阶梯阻抗耦合线结构，具有尺寸小、宽带宽、频点跨度大等优点以及良好的端口隔离特性、功率分配特性，非常适用于现代移动通信系统和毫米波雷达系统。
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公开(公告)号：CN102194885B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110122724.X
申请日：2011-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件的反型层电子迁移率低和减小导通电阻与提高击穿电压之间的矛盾问题。其特点是在传统VDMOS器件结构的SiO2隔离介质(2)和P-层(7A)之间引入厚度为0.1μm、氮离子掺杂浓度为5×1015cm-3的N-隐埋沟道层(3)，在P+层(7B)和N-外延层(10)之间引入厚度为0.5～0.6μm、氮离子掺杂浓度为5×1016～1×1017cm-3的N型电流扩散层(8)，并将P阱分为P-层(7A)和P+层(7B)两层，其中P-层(7A)的厚度为0.5μm、铝离子掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3，P+层(7B)的厚度为0.2μm，铝离子掺杂浓度为3×1018cm-3。本发明器件具有反型层电子迁移率高、开关反应速度快和功耗低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能模块以及混合燃料电动车。
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公开(公告)号：CN102227000B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110169285.8
申请日：2011-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO2氧化物介质(2)、源极(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、JFET区(7)、N-外延层(9)、N+衬底(10)和漏极(11)，其中：N-外延层(9)的两侧，且在P阱(6)的正下方设有厚度为0.5～5μm，铝离子掺杂浓度为5×1015～1×1016cm-3的P-基(8)，以使P阱(6)和JFET区(7)拐点处的电场分布能更加均匀，提高器件的击穿电压。本发明器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快和功耗低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能发电模块以及混合燃料电动车。
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公开(公告)号：CN102184964A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110122219.5
申请日：2011-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种N沟道积累型SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。其技术特点是：在已有的SiC IEMOSFET器件结构的基础上将注入形成的导电沟道层改为由外延形成的厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为4×1016cm-3的N-外延积累层(6′)，该外延积累层(6′)横向位于左源区N+接触(4a)与右源区N+接触(4b)之间，纵向位于隔离介质(2)和JFET区域(8)之间。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可应用于汽车电子、电脑和通讯等领域。
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公开(公告)号：CN102244099A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110171696.0
申请日：2011-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。本发明的器件包括栅极(1)、SiO2隔离介质(2)、源极(3)、源区N+接触(4)、P+接触(5)、P-外延层(7)、JFET区域(8)、P阱(9)、N-漂移层(10)、N+衬底(11)和漏极(12)，其中：SiO2隔离介质(2)和JFET区域(8)之间设有一层厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为3×1016cm-3的上外延沟道层(6′)，使得器件在工作状态下的导电沟道远离SiO2和SiC界面，减少表面散射对电子迁移率的影响。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可用于开关稳压电源、汽车电子以及功率放大器领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227000A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110169285.8
申请日：2011-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO2氧化物介质(2)、源极(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、JFET区(7)、N-外延层(9)、N+衬底(10)和漏极(11)，其中：N-外延层(9)的两侧，且在P阱(6)的正下方设有厚度为0.5～5μm，铝离子掺杂浓度为5×1015～1×1016cm-3的P-基(8)，以使P阱(6)和JFET区(7)拐点处的电场分布能更加均匀，提高器件的击穿电压。本发明器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快和功耗低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能发电模块以及混合燃料电动车。
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公开(公告)号：CN119845172A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411971544.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01B11/16 , G01R29/10 , G06N3/084 , G06N3/0985
Abstract: 一种柔性天线形变监测与性能预测系统，包括形变监测模块与形变性能预测模块；变监测模块包括光纤光栅传感器阵列、光栅解调子模块、计算机；其中，光纤光栅传感器阵列采集柔性天线的形变数据信号，通过FC接头连接光栅解调子模块解调出柔性天线的波长信息；光栅解调子模块得出的波长信息，通过Ethernet接口与计算机进行数据信号交互，由计算机实时处理数据，通过形变性能预测模块将波长变化信息实时处理为曲率数据信息，经曲面重构算法重构出整个曲面，由计算机通过形变监测曲面显示界面和天线性能预测界面分别对形变监测模块与形变性能预测模块的数据进行实时显示；本发明在柔性天线形变时不仅能够实时显示当前弯曲形变状态，通过神经网络的部署还能够实时预测当前弯曲状态下的天线性能；能够在复杂环境下对天线形变状态实时显示，快速响应当前形变下的性能，使得柔性天线在穿戴使用下能较好避免性能损失的情况发生。
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公开(公告)号：CN116073096B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211534820.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种双层基片集成波导带通滤波器及设计方法，包括由上而下依次设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层，在介质层和金属层中制作金属化通孔和金属层开窗图案，采用四阶直接耦合形式；本发明打破了传统SIW滤波器的双盲孔限制，大幅度降低了滤波器的加工难度，可以通过PCB技术实现，具有低成本、小型化的优点。
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公开(公告)号：CN114759336B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210101827.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开的基于耦合线的四频功分器及其设计方法，利用耦合线的双谐振特性，将双段耦合线进行组合，形成等效于四谐振单元的多谐振结构，并将其作为四频功分器的实现基础。输入信号从功分器的输入端口输入进行等分，分别经过双段耦合线和两个隔离电阻，产生了四个频点，最后由功分器的两个输出端口输出，解决现有技术中存在的小型化要求不足、设计结构复杂、隔离度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN116073096A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211534820.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种双层基片集成波导带通滤波器及设计方法，包括由上而下依次设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层，在介质层和金属层中制作金属化通孔和金属层开窗图案，采用四阶直接耦合形式；本发明打破了传统SIW滤波器的双盲孔限制，大幅度降低了滤波器的加工难度，可以通过PCB技术实现，具有低成本、小型化的优点。
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