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公开(公告)号：CN113947008B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111007779.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/39 , G06N3/084 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
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公开(公告)号：CN113486618A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110535092.3
申请日：2021-05-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件大信号特性的表征方法，该方法包括：获取半导体器件，并建立大信号模型拓扑；根据预设直流经验基模型、预设交流经验基模型和大信号模型拓扑，确定经验基宏模型；获取预先采集得到的大信号特性测试数据，并对经验基宏模型中的待拟合参数进行参数估计，得到第一参数；对第一参数进行调谐，得到第二参数；根据第二参数，对经验基宏模型进行优化，并根据优化后的经验基宏模型表征半导体器件的大信号特性。此种设计方式无需将半导体器件电流模型分为本征和非本征两部分，并且能够避免建立繁琐的耗尽电荷模型，使其提取过程更加便捷，进而节省计算机硬件资源和计算时间，同时也有利于保证待拟合参数的拟合精度。
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公开(公告)号：CN110783400B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911067748.2
申请日：2019-11-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/745 , H01L29/749 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、N+短路区(6)、P+阳极区(7)、N‑漂移区(8)、P‑漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。
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公开(公告)号：CN110896102A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911066932.5
申请日：2019-11-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/745 , H01L29/749 , H01L21/28 , H01L21/04 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、P+短路区(6)、N+阳极区(7)、P-漂移区(8)、N-漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107134405B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710235790.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法。该InP/InGaAs异质结构包括N+‑InP衬底、N‑InP层、P+‑InGaAs层、P+‑InGaAs欧姆接触层和两个欧姆接触电极，N+‑InP衬底、N‑InP层、P+‑InGaAs层和P+‑InGaAs欧姆接触层自下而上依次排列，在N+‑InP衬底上的N‑InP层和P+‑InGaAs层共同构成InP/InGaAs异质结外延层，P+‑InGaAs欧姆接触层生长于P+‑InGaAs层的顶部。本发明的InP/InGaAs异质结构在一定反向偏压下，耗尽层宽度不至于完全耗尽，从而耗尽层宽度增加使得结电容减小，进而满足深能级瞬态谱测试要求。
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公开(公告)号：CN108011168B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201711100445.7
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种可端接复数阻抗的新型Wilkinson功率分配器，包括：第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、输入端P1、第一输出端P2、第二输出端P3以及隔离电路100，其中，第一微带线TL1串接于输入端P1和第一输出端P2之间；第二微带线TL2串接于输入端P1和第二输出端P3之间；第三微带线TL3、隔离电路100、第四微带线TL4依次串接于第一输出端P2和第二输出端P3之间。本发明实施例，可以实现功率分配器输入、输出端直接连接复数阻抗而不会产生阻抗失配，同时还可以满足功率分配的要求。
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公开(公告)号：CN108011168A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711100445.7
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种可端接复数阻抗的新型Wilkinson功率分配器，包括：第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、输入端P1、第一输出端P2、第二输出端P3以及隔离电路100，其中，第一微带线TL1串接于输入端P1和第一输出端P2之间；第二微带线TL2串接于输入端P1和第二输出端P3之间；第三微带线TL3、隔离电路100、第四微带线TL4依次串接于第一输出端P2和第二输出端P3之间。本发明实施例，可以实现功率分配器输入、输出端直接连接复数阻抗而不会产生阻抗失配，同时还可以满足功率分配的要求。
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公开(公告)号：CN107194071A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710369351.3
申请日：2017-05-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明公开了一种器件的线性能量转移值的计算方法，涉及空间环境工程技术领域，利用SRIM软件来模拟空间辐射重离子入射器件过程，计算器件中LET与入射深度能量的关系，来预测重离子入射器件电离损失的能量，而且只需要很少的仿真工作就可以确定出器件中LET值，节约了试验经费和成本。
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公开(公告)号：CN103422164A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310355749.3
申请日：2013-08-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 发明公开了一种N型4H-SiC同质外延掺杂控制方法，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C3H8；当温度达到1580℃后，对衬底进行原位刻蚀10～30min；其后保持反应室温度1580℃，气压300mbar～700mbar，在80L/min的氢气流中加入流量为15～24mL/min的SiH4，流量为5～10mL/min的C3H8和流量为2L/min的N2，生长外延层；生长结束后，在氢气流中冷却；最后向反应室充入氩气至常压。本发明只改变反应室的气压，操作简单方便，制备的碳化硅外延层掺杂均匀，表面平整，可用于制作碳化硅器件。
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