公开(公告)号：CN103107190A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310030640.2

申请日：2013-01-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  宁旭斌 ,  张玉明 ,  张义门 ,  崔强生 ,  武利翻

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、AlGaSb缓冲层(3)、下层AlSb势垒层(4)、InAs沟道层(5)、上层AlSb势垒层(6)、InAlAs空穴阻挡层(7)和InAs帽层(8)，其中：GaAs衬底(1)的晶向为 ，偏角为0.5°；下层势垒(4)中添加有delta掺杂层(4a)；上层势垒(6)中添加有delta掺杂层(6a)或InAs插入层(6b)。本发明InAs材料具有104cm-2/V·s的电子迁移率以及1012cm-2的二维电子气面密度，可用于制备高速低功耗HEMT器件。

公开(公告)号：CN103107190B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201310030640.2

申请日：2013-01-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  宁旭斌 ,  张玉明 ,  张义门 ,  崔强生 ,  武利翻

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、AlGaSb缓冲层(3)、下层AlSb势垒层(4)、InAs沟道层(5)、上层AlSb势垒层(6)、InAlAs空穴阻挡层(7)和InAs帽层(8)，其中：GaAs衬底(1)的晶向为 ，偏角为0.5°；下层势垒(4)中添加有delta掺杂层(4a)；上层势垒(6)中添加有delta掺杂层(6a)或InAs插入层(6b)。本发明InAs材料具有104cm-2/V·s的电子迁移率以及1012cm-2的二维电子气面密度，可用于制备高速低功耗HEMT器件。