-
公开(公告)号：CN103217638A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310161377.0
申请日：2013-05-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种测试γ辐照后GaAs HBT器件性能的方法，主要解决现有方法的实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）辐照前器件测试；3）对器件进行辐照实验；4）辐照后器件测试；5）对比实验前后器件性能及数据的差异，改变GaAs HBT器件等效电路中的参数，建立辐照后GaAs HBT器件的新等效电路。6）将这个新的等效电路嵌入回射频集成电路仿真软件ADS的GaAs HBT器件模型库中，以实现使用计算机对GaAs HBT器件以及由该器件组成的电路进行抗辐照特性分析,提高辐照实验的通用性，减小辐照实验对人体的危害。
-
公开(公告)号：CN103138715A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310028043.6
申请日：2013-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于晶体管器件的高速D触发器，主要解决现有D触发器相位噪声高和工作频率低的问题。其主要由第一锁存器（1）、第二锁存器（2）、预置电路（3）、第一电流源电路（4a）和第二电流源电路（4b）组成。由差分电路构成的预置电路（3）分别与第二锁存器（2）的输出端和第二锁存器（2）的电流输入端相连，预置电路（3）受外部信号控制实现预置功能；第一电流源电路（4a）与第一锁存器（1）的电流输入端相连，为第一锁存器（1）提供稳定的电流，第二电流源电路（4b）与第二锁存器（2）的电流输入端相连，为第二锁存器（2）提供稳定的电流。本发明电路简单，具有相位噪声低及工作频率高等优点，可应用于高速程序分频器中。
-
公开(公告)号：CN102254065A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110179933.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双极型晶体管参数提取方法及其等效电路。该方法先对双极型晶体管进行直流测试和S参数测试，然后应用ADS软件和origin软件进行曲线拟合，得到双极型晶体管的参数。基于双极型晶体管参数提取方法所建立的等效电路包括三个电感、五个电容、六个电阻和本征模块BJT，本征模块BJT包括两个电阻、三个电荷控件、三个电流控件。本发明的方法可用于建立适用于不同情况电路的双极型晶体管等效电路，同时还可用于建立适用于高频电路的双极型晶体管等效电路。基于本发明方法建立的双极型晶体管等效电路能反映双极型晶体管一组工作点的器件特性，可用于不同情况的电路仿真；本发明的等效电路能反映双极型晶体管的高频特性，可用于高频电路仿真。
-
公开(公告)号：CN103077290B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310028044.0
申请日：2013-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种InP HBT小信号模型的参数提取方法，主要解决现有技术的提取过程繁杂、提取结果不够精确的问题。其技术方案是，采用开路焊点结构和短路焊点结构，对等效电路分析，进行寄生参数的提取；采用集电极开路状态，对等效电路分析，进行外部电阻参数的提取；运用电路网络理论，分析InP HBT器件本征部分的散射参数S、阻抗参数Z、导纳参数Y；采用层层剥离的方法，为每一个本征模型参数确定一个固定的表达式，进行提取本征参数。本发明具有提取参数精确、快速且直观的优点。仿真结果表明，本发明提取的小信号模型结果与实际器件测试结果的散射参数S能很好的拟合，可用于指导电路设计以及确定大信号模型外围电路。
-
公开(公告)号：CN103077290A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310028044.0
申请日：2013-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种InP HBT小信号模型的参数提取方法，主要解决现有技术的提取过程繁杂、提取结果不够精确的问题。其技术方案是，采用开路焊点结构和短路焊点结构，对等效电路分析，进行寄生参数的提取；采用集电极开路状态，对等效电路分析，进行外部电阻参数的提取；运用电路网络理论，分析InP HBT器件本征部分的散射参数S、阻抗参数Z、导纳参数Y；采用层层剥离的方法，为每一个本征模型参数确定一个固定的表达式，进行提取本征参数。本发明具有提取参数精确、快速且直观的优点。仿真结果表明，本发明提取的小信号模型结果与实际器件测试结果的散射参数S能很好的拟合，可用于指导电路设计以及确定大信号模型外围电路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102324930A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110122835.0
申请日：2011-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的超高速8/9双模预分频器，主要解决现有技术工作频率低、相位噪声高的问题。它包括一个2/3双模分频器、一个异步除4分频器、一个模式选择逻辑电路。2/3双模分频器由两个嵌入与非门的D触发器构成，除4分频器由两异步连接的D触发器构成，模式选择逻辑电路由一个三输入或非门和一个非门构成。该预分频器路中的所有晶体管均采用异质结材料为InGaP/GaAs的GaAs单异质结双极晶体管。本发明在模式控制信号的控制下能实现8分频或9分频功能，具有工作频率高、相位噪声低、工作速度快和优良的高低温特性及较好的抗辐照性能，可应用在高频段收发系统中的频率合成器中。
-
公开(公告)号：CN102324913A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110182612.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预置电路用于对外部电路输入的预置信号进行采样并输出，第一锁存器、第二锁存器和预置电路的电流信号输入端与选择电路连接，该选择电路用于选择工作电路；所述单元电路中所有晶体管均采用异质结双极晶体管。本发明在选择信号的控制下能实现触发器功能或预置功能，具有工作速度快、相位噪声低以及工作频率高等优点，可应用于高速程序分频器中。
-
公开(公告)号：CN102324913B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110182612.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预置电路用于对外部电路输入的预置信号进行采样并输出，第一锁存器、第二锁存器和预置电路的电流信号输入端与选择电路连接，该选择电路用于选择工作电路；所述单元电路中所有晶体管均采用异质结双极晶体管。本发明在选择信号的控制下能实现触发器功能或预置功能，具有工作速度快、相位噪声低以及工作频率高等优点，可应用于高速程序分频器中。
-
公开(公告)号：CN103364705A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310292136.X
申请日：2013-07-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于SDD模型测试GaAs HBT抗辐照性能的方法，主要解决现有方法实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）选择实验样品进行辐照前器件测试；3）对器件进行辐照实验并进行辐照后器件测试；4）对比实验前后器件性能及数据的差异，改变GaAs HBT器件SDD模型端口公式中的参数；5）用修改后的GaAs HBT器件SDD模型代替射频集成电路仿真软件ADS的GaAs HBT器件，以实现使用计算机对GaAs HBT器件以及由该器件组成的电路进行抗辐照特性分析,提高辐照实验的通用性，减小辐照实验对人体的危害。
-
公开(公告)号：CN102254065B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110179933.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双极型晶体管参数提取方法及其等效电路。该方法先对双极型晶体管进行直流测试和S参数测试，然后应用ADS软件和origin软件进行曲线拟合，得到双极型晶体管的参数。基于双极型晶体管参数提取方法所建立的等效电路包括三个电感、五个电容、六个电阻和本征模块BJT，本征模块BJT包括两个电阻、三个电荷控件、三个电流控件。本发明的方法可用于建立适用于不同情况电路的双极型晶体管等效电路，同时还可用于建立适用于高频电路的双极型晶体管等效电路。基于本发明方法建立的双极型晶体管等效电路能反映双极型晶体管一组工作点的器件特性，可用于不同情况的电路仿真；本发明的等效电路能反映双极型晶体管的高频特性，可用于高频电路仿真。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.024 seconds)
