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公开(公告)号：CN119968089A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510452055.4
申请日：2025-04-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供了复合金属碳酸盐界面层、制备方法及钙钛矿太阳能电池。所述复合金属碳酸盐界面层设置在钙钛矿太阳能电池的钙钛矿活性层和电子传输层之间，由两种不同的碱金属碳酸盐层组成，分别为第一碱金属碳酸盐层和第二碱金属碳酸盐层；所述第一碱金属碳酸盐层形成在靠近所述钙钛矿活性层的一侧，选自碳酸铯、碳酸钾或碳酸钠；所述第二碱金属碳酸盐层形成在靠近所述电子传输层的一侧，选自碳酸铷、碳酸钾或碳酸钠。本申请的双层结构不仅能够协同提升器件的开路电压和填充因子，而且突破了现有界面层厚度通常限制在2nm以内的设计约束，使界面总厚度可稳定达到1nm‑5nm，并在此厚度范围内仍保持优异的电荷传输性能与界面功能整合能力。
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公开(公告)号：CN119653968A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411830977.6
申请日：2024-12-12
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，所述有机薄膜晶体管包括：基底；位于基底上方的源极和漏极，所述源极和/或漏极为贱金属电极、贱金属氧化物电极、贱金属氮化物电极或贱金属碳化物电极；SAMs修饰层，至少位于源极和/或漏极上；有机半导体层，位于基底上方且至少部分覆盖于源极和/或漏极上的SAMs修饰层上；栅极，位于有机半导体层的上方或有机半导体层与基底之间。本发明通过在以贱金属材料制成的电极上制备SAMs修饰层，使其能够替代贵金属电极作为有机薄膜晶体管的源极和漏极，降低了成本，促进了有机薄膜晶体管的进一步发展。
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公开(公告)号：CN119154715A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411259169.9
申请日：2024-09-10
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种水伏器件及其制备方法，该水伏器件包括：纳米线层、设于所述纳米线层顶部的顶电极、以及设于所述纳米线层底部的底电极；其中，所述顶电极包括分布于所述纳米线层顶部的导电微球，所述导电微球与所述纳米线层的顶部电接触，以导通所述纳米线层中的纳米线。本发明提供的水伏器件及其制备方法，通过以导电微球作为器件的顶电极，能够与器件的纳米线顶端形成良好电接触，高效收集纳米线中的电荷，进而通过导电微球之间的连通将电荷导出，能够显著提升器件的输出性能，从而推动其在可再生能源领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN118812577A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411028637.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种多硼氮衍生物及其深蓝光器件、发光设备，该多硼氮衍生物具有式（I）的结构，其中，R1、R2各自独立的表示C1‑C36的烷基或芳基取代基；R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立的表示氢或C1‑C36的取代基；所述C1‑C36的取代基以单键或成环的方式进行取代；A1、A2各自独立的表示氧、硫、硒、亚砜基、砜基、C1‑C36的烷基或芳基取代基的碳取代基、C1‑C36的烷基或芳基取代基的氮取代基或不存在。本发明采用的多硼氮衍生物，具有发光效率高、高色纯度、适用于溶液法器件的特性。
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公开(公告)号：CN118406073A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410524906.7
申请日：2024-04-28
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种多硼氮衍生物及其红光器件、发光设备，该多硼氮衍生物具有式(I)的结构，其中，R11、R12各自独立的表示氢或C1‑C24的取代基，所述C1‑C24的取代基数量为1‑5个；R13、R14、R15、R16各自独立的表示氢或C1‑C36的取代基；所述C1‑C36的取代基以单键或成环的方式进行取代；A1、A2各自独立的表示氧、硫、硒、亚砜基、砜基、双键、C1‑C36的烷基或芳基取代的碳取代基、C1‑C36的烷基或芳基取代的氮取代基或不存在，当A1、A2不存在时，A1、A2连接的两个芳环直接通过单键相连；A3表示氧、硫、硒、亚砜基、砜基、双键、C1‑C36的烷基或芳基取代的碳取代基、C1‑C36的烷基或芳基取代的氮取代基或不存在或不取代。本发明的多硼氮衍生物具有高溶解度、高色纯度以及抵抗浓度猝灭等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114773366B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210284023.4
申请日：2022-03-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于发光器件领域，涉及一种羰基稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用，该羰基稠合的硼氮衍生物是在硼氮结构的基础上稠合一个影响其HOMO与LUMO能级电子云分布的羰基。本发明提出了一类新型羰基稠合的硼氮衍生物B/N/C＝O的制备方法，并将其应用于有机电致发光器件中，获得了极佳的效果；该体系扩展了TADF材料分子库，推动了具有高效率、高色纯度以及低效率滚降的有机发光二极管的应用，为日后能设计更接近商业化需求的热活化延迟荧光OLED(有机发光二极管)材料提供了一定的基础。
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公开(公告)号：CN115000303A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210555197.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法包括：在n型SiO2/Si基底上制备形成绝缘层，以得到基材；将基材放置在刮涂机的基板上，且使得基材与位于基板上方的刮刀之间的间距为预设间距；向基材和刮刀之间的间隙施加预设混合溶液，预设混合溶液为预设溶液与聚乙二醇辛基苯基醚的混合溶液，预设溶液为C8‑BTBT溶解在预设有机溶剂中的溶液；控制刮刀以预设速度运动，以使间隙附近形成的弯液面在刮刀的引导下快速结晶，从而形成二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜。制备获得的二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜晶界和缺陷少，迁移率较高，足够实现很多应用，如有源矩阵、有机发光二极管、传感器和放大电路等的应用。
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公开(公告)号：CN114447225A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210043521.X
申请日：2022-01-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机小分子单晶的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：利用光刻法制备获得图案化模板，图案化模板上具有阵列排布的多个凹槽；将有机小分子的墨水溶液打印至图案化模板的多个凹槽内，以获得有机小分子单晶，墨水溶液为将有机小分子溶解在良溶剂和不良溶剂中的溶液，不良溶剂的沸点高于良溶剂的沸点，且良溶剂和不良溶剂互溶；每个凹槽的形状构造成具有尖端部，且使墨水溶液在尖端部的挥发速度大于凹槽的其他部位，以使墨水溶液优先在尖端部结晶，并随着良溶剂的挥发，使得晶体在不良溶剂的表面外延生长，从而得到有机小分子单晶。本发明方法为一步法打印，能够制备出较高集成度和高结晶质量的有机晶体。
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公开(公告)号：CN111682109B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010501247.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置疏水绝缘层，以获得具有亲疏水性分布的图案化基底；提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；利用双刮刀技术，将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在图案化基底上，制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度，无需晶体的转移过程。
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公开(公告)号：CN112573478A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011475382.5
申请日：2020-12-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米锥阵列及其制备方法，采用全湿法金属催化化学刻蚀的方法在硅晶圆表面刻蚀出均匀的硅纳米锥阵列，催化剂金属银颗粒直径在硅微纳结构刻蚀过程中逐渐减小，从而实现了大面积硅纳米锥阵列的可控制备。该方法具有低成本、高效率和适用于大规模生产的优势，所制得的硅纳米锥阵列在光电领域、防水、自清洁窗户以及场发射领域都具有广阔的应用前景。
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