-
公开(公告)号：CN111682109A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010501247.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置疏水绝缘层，以获得具有亲疏水性分布的图案化基底；提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；利用双刮刀技术，将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在图案化基底上，制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度，无需晶体的转移过程。
-
公开(公告)号：CN110265549B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201910532895.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：提供有机小分子半导体材料，并选取有机小分子半导体材料的良溶剂和不良溶剂，良溶剂和不良溶剂具有不同蒸发速率、不同密度且互溶；将良溶剂和不良溶剂按照指定比例范围的体积比进行混合，形成良溶剂和不良溶剂的混合体系，指定比例范围为9:1到12:1之间；将有机小分子半导体材料加入混合体系中并进行搅拌，以形成有机小分子半导体材料的浓度范围在0.5‑1.5mg/ml的混合溶液；量取预定量的混合溶液，并将其施加在亲水性固体基底的边缘处，从而自组装生成少层且均匀的有机晶态膜。本发明方法可以一步法直接快速获得具有高度均匀特性和长程面内有序的少层有机晶态膜结构。
-
公开(公告)号：CN111682109B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010501247.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置疏水绝缘层，以获得具有亲疏水性分布的图案化基底；提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；利用双刮刀技术，将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在图案化基底上，制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度，无需晶体的转移过程。
-
公开(公告)号：CN110265549A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910532895.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：提供有机小分子半导体材料，并选取有机小分子半导体材料的良溶剂和不良溶剂，良溶剂和不良溶剂具有不同蒸发速率、不同密度且互溶；将良溶剂和不良溶剂按照指定比例范围的体积比进行混合，形成良溶剂和不良溶剂的混合体系，指定比例范围为9:1到12:1之间；将有机小分子半导体材料加入混合体系中并进行搅拌，以形成有机小分子半导体材料的浓度范围在0.5-1.5mg/ml的混合溶液；量取预定量的混合溶液，并将其施加在亲水性固体基底的边缘处，从而自组装生成少层且均匀的有机晶态膜。本发明方法可以一步法直接快速获得具有高度均匀特性和长程面内有序的少层有机晶态膜结构。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.013 seconds)
