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公开(公告)号：CN118899346A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410850852.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种电子选择性钝化接触结构及其应用。所述电子选择性钝化接触结构设置于硅衬底的表面，包括依次制备的氧化硅隧穿层、氧化镁层和氢钝化盖层。本发明的电子选择性钝化接触结构具有优异的表面钝化性能，同时实现电子选择性传输。宽带隙氧化镁层可以避免光学寄生吸收问题，且具有高的电子浓度及体电导率，所述氧化镁层可通过掺杂进一步优化其光、电学性能，进而提高其电子选择性钝化接触性能。
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公开(公告)号：CN117690984A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311855040.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18 , H10K30/50 , H10K30/40 , H10K30/88 , H10K30/81 , H10K30/82 , H10K39/15 , H10K71/00 , H10K71/60
Abstract: 本发明揭示了一种电子钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层及透明导电层，或，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的背光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底背光面上的铝掺杂氧化钕层及金属电极层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。太阳能电池为晶硅太阳能电池、或钙钛矿太阳能电池、或钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池。本发明基于金属化合物AlNdOX作为电子钝化接触层，可以降低光学寄生吸收，能够有效避免掺杂硅薄膜钝化接触寄生光吸收导致短路电流密度损失的问题，同时通过Al掺杂能提高表面钝化性能以及对电子的选择性传输性能。
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公开(公告)号：CN115172602B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210623053.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结，该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2，ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池，具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点，既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流，还可以减小沉积损伤，进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN119653924A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411756088.X
申请日：2024-12-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种钝化接触复合层及钙钛矿‑晶硅叠层太阳电池。本发明钝化接触复合层结构可同时实现硅底电池的表面钝化、电子选择性传输以及载流子复合。该钝化接触复合层包括SiO2隧穿层、ZnO基电子选择性传输层和氢钝化盖层。宽带隙ZnO基电子选择性传输层可以避免硅薄膜钝化接触引起的光学寄生吸收问题，且具有高的电子浓度及体电导率，ZnO基电子选择性传输层可通过掺杂B、Al、Ga和H元素中一种或多种进一步优化其光、电学性能。此外，为了形成良好接触，氢钝化盖层可根据导电类型及器件结构保留或去除。ZnO基电子选择性传输层上可覆盖MgOx、Mg、Al或Ti等界面层进一步增强载流子复合效果。
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公开(公告)号：CN114937707B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210546452.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池材料领域，具体涉及一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池。本发明公开的基于氟化铝的电子钝化接触同时具有高透明度、优良的表面钝化性能以及对电子的选择性传输，能够有效避免掺杂硅薄膜的寄生吸收导致短路电流损失的问题。同时，氟化铝表现出优良的稳定性，且制备工艺简单、经济、安全，无需PECVD/LPCVD/ALD等昂贵设备，不涉及硅烷、磷烷等易燃易爆气体带来的安全问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114937706B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210499539.0
申请日：2022-05-09
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法。本发明所述的叠层钝化薄膜由B2O3层、钝化膜盖层以及含氢盖层组成，并利用激光技术实现p型局部掺杂。通过原子层沉积技术沉积B2O3层，作为钝化层兼掺杂源层，B2O3层分布均匀，因而后续在利用该B2O3层进行激光照射掺杂的时候，使得硼离子在扩散区的分布均匀；本方法直接通过激光照射的方式对硅衬底进行硼p+掺杂并同时实现了开窗，合理调控激光参数可极大减少对硅衬底的损伤。本发明的制备方法所涉及的各个工艺，基本使用当前主流的方式，因而该方法与现有产线的兼容性较高，无需专门设计新的工艺和产线即可实现，因而大大降低了本发明新方法推广的生产成本。
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公开(公告)号：CN114678430B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210148208.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 苏州大学
Inventor： 杨新波
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电子选择性钝化接触结构、太阳能电池及制备方法，包括：晶硅衬底；遂穿钝化层，沉积在所述晶硅衬底上；电子传输层，沉积在所述遂穿钝化层上，所述电子传输层为氧化镁薄膜；透明电极，沉积在所述电子传输层上，所述透明电极为氧化锌透明电极；金属电极，沉积在所述氧化锌透明电极上。本发明兼具高透明度和优良钝化接触性能，既可以有效降低金属‑晶硅接触处载流子复合损失，又能减少寄生光学吸收，提高晶硅太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115172602A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210623053.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结，该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2，ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池，具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点，既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流，还可以减小沉积损伤，进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN119300609A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411372344.5
申请日：2024-09-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种叠层太阳电池用复合层及其应用。本发明的目的在于提供一种基于金属氮氧化物的新型中间复合层材料，具体包括氮氧化钛、氮氧化钽和氮氧化钼，该复合层材料具有合适的能级匹配，良好的透光性，寄生吸收小，载流子复合性能优异，且具有制备成本低、稳定性好的优点。采用磁控溅射和原子层沉积方法制备，制备工艺简单，且沉积损伤较小，其光电性能可以通过调节沉积参数来调控，进而实现优异的载流子复合性能。与常用的掺杂氧化铟复合层和掺杂硅薄膜隧穿结相比，金属氮氧化物中间复合层具有制备工艺简单、成本低、光学寄生吸收小等优点；且其侧向电导率较低，适用于大面积钙钛矿/晶硅叠层电池的制备。
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公开(公告)号：CN114944433A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210545451.8
申请日：2022-05-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳电池材料领域，具体涉及一种晶硅太阳电池表面钝化材料。现有的SiO2、SiNx、AlOx、TiOx、HfO2、Ga2O3等介电层钝化薄膜虽然能够表现出比较好的钝化性能，但是这些薄膜大多是采用PECVD或ALD方法制备，成本较高且工艺复杂。本发明的目的是提供一种制备工艺简单、成本较低，具有较好商业化应用前景的晶硅太阳电池表面钝化材料及制备方法，该钝化材料具有较高的固定负电荷密度，能够为晶硅表面特别是p型掺杂的晶硅表面提供优良的表面钝化效果，有效降低载流子复合损失，提升太阳电池光电转换效率。
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