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公开(公告)号：CN109449221B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811629271.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶硅太阳电池，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本发明相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115207141A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210826977.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法，涉及光伏器件制造领域。本发明先提供一单晶硅片，并在单晶硅片的表面刻蚀出柱状体结构，之后将四甲基胍和邻苯二酚作为刻蚀液，以对表面刻蚀有柱状体结构的单晶硅片进行刻蚀，从而将柱状体结构刻蚀为金字塔结构，四甲基胍的质量分数为范围在1％～4％之间的任一数值，邻苯二酚的质量分数为范围在0.2％～0.8之间的任一数值。上述技术方案使用邻苯二酚作为添加剂、四甲基胍溶液作为刻蚀液进行湿法刻蚀，可以避免金属离子残留，提升了硅片品质，并且能够避免添加剂的挥发，不需要定时添加添加剂，工艺简单，成本低且加工效率高，适合大规模加工制造应用。
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公开(公告)号：CN111554812B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010408931.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层，并在绝缘层上旋涂光刻胶，以通过光刻技术在基底上得到图案化阵列位点；配置液晶小分子溶液以作为墨水，将墨水打印至图案化阵列位点上，以得到具有液晶小分子的图案化基底；对图案化基底进行热处理，以使图案化阵列位点上的液晶小分子融化和铺展，且在液晶小分子融化后进行降温处理，以使融化后的液晶小分子重结晶，得到图案化有机晶体阵列。本发明的制备方法，利用喷墨打印技术并结合液晶小分子重熔再结晶的特性得到图案化有机晶体阵列，有效防止有机晶体阵列在图案化过程中产生咖啡环效应。
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公开(公告)号：CN113921741A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111404496.5
申请日：2021-11-24
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶电致发光器件、制备方法及偏振光信号发射器件。该制备方法包括：将有机小分子单晶发光材料溶解在有机溶剂中，获得溶液样品；将溶液样品密封，进行升温‑降温程序控制，获得生长有片状单晶的溶液；提供透明导电基底，从生长有片状单晶的溶液中吸取单个片状单晶，以将作为发光层的该片状单晶转移至透明导电基底上；配置作为绝缘层的聚合物溶液，将聚合物溶液涂覆在透明导电基底上，使聚合物溶液部分覆盖片状单晶；依次蒸镀电子传输层和电极材料层，以获得稳定高效的有机单晶电致发光器件。本发明制备方法简单，获得的有机单晶电致发光器件低成本、高性能且具有本征的偏振光发射特性，可作为一种新型的偏振光信号发射器。
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公开(公告)号：CN112713255A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011602113.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了单晶电致发光器件的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底，基底的表面上覆盖有透明导电电极材料；对基底进行亲水修饰处理，并对处理后的基底进行图案化光刻，以获得图案化基底；在图案化基底上施加电致发光材料溶液，再在其上覆盖盖片，在预设温度下加热，以在图案化基底上生长析出单晶发光材料；向图案化基底的靠近单晶发光材料的边缘处施加高分子绝缘层材料溶液，并使高分子绝缘层材料溶液覆盖部分单晶发光材料的表面，从而在单晶发光材料和图案化基底之间形成高分子绝缘层；在单晶发光材料和高分子绝缘层上蒸镀功能层材料，以获得单晶电致发光器件。该方法可以与传统光刻相兼容，极大提高发光器件的分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111682109A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010501247.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置疏水绝缘层，以获得具有亲疏水性分布的图案化基底；提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；利用双刮刀技术，将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在图案化基底上，制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度，无需晶体的转移过程。
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公开(公告)号：CN110634973A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920589.X
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型晶硅太阳电池，包括：第一背面N型硅和背面N型硅，所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接，第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度；在保证P型硅片正表面钝化效果的前提下，规避硼扩散工艺，简化制备流程，此外，还减小背面N型硅区域的复合速率，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN110306243A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810231651.X
申请日：2018-03-20
Applicant: 苏州大学
IPC: C30B33/12 , H01L31/0236 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米柱的制备方法，包括如下步骤：在氧化硅片的表面铺设具有预设图案的模板，所述预设图案选择成在按照所述预设图案进行刻蚀时允许刻蚀出柱状体；将所述氧化硅片放置于一刻蚀时所用的基片上，并使其与所述基片成预设夹角；利用反应气体沿着一预设方向向所述氧化硅片的内部进行刻蚀，以在所述氧化硅片内形成以预设倾斜角度倾斜的硅纳米柱。本发明的方法解决了在正上方的入射光照射到硅纳米柱上时，如何减小反射率的技术问题。
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公开(公告)号：CN106854775A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201610991732.0
申请日：2016-11-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了利用水‑空气‑有机溶剂三相界面制备有机半导体小分子单晶薄膜的方法，该方法主要步骤为：1）对容器内壁的表面以及辅助片的表面均作表面疏水处理；2）然后向疏水的容器内注入适当第一溶液，第一溶液形成凸液面，凸液面弧形的边缘与容器内壁之间形成狭缝；将溶有有机小分子的有机溶液加入到狭缝中，将疏水的辅助片缓慢往复插入到第一溶液中，在第一溶液液面张力和辅助片的作用下，有机溶液在第一溶液液面定向铺展，随着机溶剂不断挥发，有机小分子在第一溶液表面沉积形成有机单晶薄膜。在水面张力和外力的作用下就得到大面积、均匀、超薄有机半导体小分子单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN103413760B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310381889.8
申请日：2013-08-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种模板辅助挥发诱导自组装构筑有机微米线阵列的方法，包括以下步骤：（1）基底的清洗，基底用清洗液超声清洗，再浸入piranha溶液，并用氧等离子体处理，使基底表面具有强的浸润性；（2）在基底上构筑模板；（3）模板上微米线阵列的生长，将预处理好的模板插入有机溶液中生长，通过挥发诱导自组装，得到大面积、高度对齐有机微米线阵列。本发明对于制备基于有机光电材料的大面积高性能光电子微纳器件，并进一步实现微纳器件集成具有重要的意义。
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