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公开(公告)号：CN109256455A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811093385.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/48 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法，包括设置于一衬底表面且呈阵列排布的LED芯片阵列，设置于一透明基板上下表面的微透镜阵列以及与其一一对应的倒梯形微结构阵列，以及连接衬底和透明基板的封框体，倒梯形微结构阵列沿LED芯片的横向方向依次构成用于显示红光的R单元、用于显示绿光的G单元以及用于显示蓝光B单元。本发明利用蓝色LED芯片激发R单元内的红色/G单元内的绿色量子点层而转换为红光/绿光；同时，利用微结构中的分布式布拉格反射层，提高Micro-LED显示出光效率，还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率和防止相邻像素色彩干扰，从而实现一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示。
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公开(公告)号：CN108807619A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810566416.8
申请日：2018-06-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于发光材料的QDEF显示装置，该显示装置包括上下设置的第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板，所述第一超薄玻璃基板的下表面涂覆有设定质量配比的红绿发光材料，所述第二超薄玻璃基板的上表面涂覆有PS小球层，利用发光材料的光致发光原理，通过蓝光激发该QDEF显示装置中的红绿发光材料，实现白光显示。与现有技术相比，本发明具有大面积白光显示、提高显示装置的色域、亮度、背光效率、以及发光效率等优点。
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公开(公告)号：CN119446047A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411531760.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/32 , H10H29/24 , H10H29/851 , G09F9/33
Abstract: 本发明还提供了一种使用Micro‑LED实现超宽色域和高均匀度色彩的显示方法，每个显示像素含有一个或多个Micro LED芯片组合，使得能产生不仅是红色、绿色、和蓝色波长的光还能够产生青色和翡翠绿色光或更多种颜色波长的光，或这些颜色光的混合。显示像素呈现的颜色是通过特别的算法控制每个不同发光波长Micro LED芯片的电流和发光时间的组合来实现超宽色域和高均匀度色彩显示。所述的超宽色域显示显示是指显示色彩覆盖人眼视觉色域范围80%以上显示效果。所述高均匀度色彩通过每个像素里多个发光波长MicroLED芯片的多组混合发光组合颜色的方式来消除传统红绿蓝三基色方法里由于芯片发光波长在不同像素里不一致导致在不同像素呈现的色彩不一致的问题。
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公开(公告)号：CN115346961B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210960149.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R27/08
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级金属凸点阵列键合测试结构，包括顶层模块和底层模块；所述顶层模块包括第一绝缘基板、第一图案化打底金属层、具有镂空孔阵列的第一透明介质层和第一微米级金属凸点；所述底层模块包括第二绝缘基板、第二图案化打底金属层、金属电极、具有镂空孔阵列的第二透明介质层和第二微米级金属凸点。本发明可以快速判断出微米级金属凸点的键合良率以及进行可靠性测试。
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公开(公告)号：CN115332400B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210960225.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于临时键合技术的Micro‑LED芯片结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S1:在图形转移工艺前，将减薄后的蓝光/绿光外延片晶圆键合至临时衬底形成临时键合片；步骤S2:在临时键合片上制备独立的Micro‑LED芯片结构；步骤S3:在Micro‑LED芯片结构上设置结构保护层；步骤S4:剥离临时衬底，并清除减薄后的蓝光/绿光外延片衬底表面临时键合残留物；步骤S5:划裂减薄后的蓝光/绿光外延片为单颗Micro‑LED芯片，并剥离结构保护层。本发明有效的保护了Micro‑LED芯片结构的完整行，极大提升Micro‑LED芯片制备良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834389B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010535556.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au‑In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1‑S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN117637934A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311672065.6
申请日：2023-12-07
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种通过湿法腐蚀或机械剥离超大金属衬底制备GaN Micro‑LED的方法，包括以下步骤：步骤一、采用难熔金属作为超大衬底，对衬底表面进行抛光及清洗；步骤二、在衬底上制备缓冲层；步骤三、在缓冲层上生长氮化镓基Micro‑LED外延层，所述氮化镓基Micro‑LED外延层由下至上依次包括u型氮化镓、n型氮化镓、有源层和p型氮化镓层；步骤四、利用湿法腐蚀或者机械法将衬底剥离。应用本技术方案可提高转移良率和衬底的利用效率，并且降低成本。
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公开(公告)号：CN117334715A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311393430.X
申请日：2023-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Micro‑LED显示阵列的制备方法。包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层、P型GaN层、ITO透明电极；采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印等方法在ITO透明电极表面制备光刻胶阵列；继续利用电镀工艺制备焊料金属阵列；然后沉积离子注入保护层并进行图案化形成离子注入保护层阵列；最后采用离子注入工艺实现电学隔离效果以形成最后的超高分辨率Micro‑LED显示像元。本发明提供了一种只需要一步光刻便可实现超高分辨率Micro‑LED显示像元的制备方法，简化了制备工艺流程，可以避免复杂光刻对位及套刻工艺中积累的误差，并且利用离子注入来实现像素隔离，可以降低刻蚀工艺中会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
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公开(公告)号：CN111834390B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN114141916B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111401694.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。
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