-
公开(公告)号：CN1333379C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510056333.7
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。
-
公开(公告)号：CN1327283C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410054429.5
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H05B33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
-
公开(公告)号：CN1855398A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077821.0
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
-
公开(公告)号：CN1825620A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004823.7
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。
-
公开(公告)号：CN1263160C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310103678.4
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/1255 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1722922A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084815.3
申请日：2001-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 消除因电极孔46中有机EL材料的有缺陷的膜结构造成的EL元件的发光故障。象素电极上的电极孔46中埋入绝缘体后形成有机EL材料和形成保护部分41b，能防止电极孔46中的膜结构缺陷。能防止因EL元件的阴极与阳极之间短路而造成的电流集中，并能防止EL层的发光故障。
-
公开(公告)号：CN1173388C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN98108911.9
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。
-
公开(公告)号：CN1161646C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00103639.4
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
-
公开(公告)号：CN1495884A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN200310103678.4
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/1255 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
-
公开(公告)号：CN1092840C
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN96102945.5
申请日：1996-03-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/124
Abstract: 在主要由铝制成的电极上形成抗蚀掩模。在电解液中通过进行阳极氧化在不包括被掩盖的区域外的电极上形成阳极氧化膜。由于阳极氧化膜不在被掩盖处形成，在被掩盖区域中很容易形成接触孔。除去一部分与形成接触电极中的窗口对应的栅电极，在形成接触电极时可将栅电极隔开。(图7)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.032 seconds)
