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公开(公告)号：CN114659706A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210544153.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN114486062A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
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公开(公告)号：CN114323355A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251300.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规，其包括：膜片；陶瓷基体,设置在膜片一侧；固定电极组，设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上，用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息；多个形变检测电极，设置在陶瓷基体上，且圆周阵列在固定电极组外侧，分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息；控制器，与固定电极组和形变检测电极电性连接，用于获取检测电容信息，还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀，还用于在膜片形变均匀时，获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值；有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN113739989A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111284298.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于机械加工技术领域，公开了一种电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法，包括以下步骤：把感应膜片焊接在电容式薄膜真空计的圆筒状的腔体的下端；腔体的材料的屈服强度比感应膜片的材料的屈服强度低；在腔体的内壁施加压力后卸载压力，使施加压力时腔体的腔壁的内侧部分、腔体的腔壁的外侧部分和感应膜片分别处于塑性变形状态、弹性变形状态和弹性张紧状态，从而使卸载压力后的感应膜片上具有所需的张紧力；该电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法有利于实现对感应膜片焊接后的张紧力的精准控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113442459B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111000257.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种电容薄膜真空计膜片张紧机构、系统、方法及装置，其中，张紧机构包括：压紧机构，用于压紧中心膜片外周以固定中心膜片；多点顶出机构，设置在所述压紧机构下方，其设有通过顶出而张紧固定在所述压紧机构上的中心膜片的顶杆组；对位机构，安装在所述压紧机构与多点顶出机构之间，用于对位调节压紧机构和多点顶出机构，所述顶杆组包括若干通过液压驱动伸缩的顶杆；该张紧机构通过多点顶出机构的顶杆组顶出对中心膜片进行张紧即可完成中心膜片的张紧处理，使得中心膜片达到预定张紧力，具有张紧度可控、中心膜片各区域张紧效果均匀等优点。
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公开(公告)号：CN113442459A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202111000257.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种电容薄膜真空计膜片张紧机构、系统、方法及装置，其中，张紧机构包括：压紧机构，用于压紧中心膜片外周以固定中心膜片；多点顶出机构，设置在所述压紧机构下方，其设有通过顶出而张紧固定在所述压紧机构上的中心膜片的顶杆组；对位机构，安装在所述压紧机构与多点顶出机构之间，用于对位调节压紧机构和多点顶出机构，所述顶杆组包括若干通过液压驱动伸缩的顶杆；该张紧机构通过多点顶出机构的顶杆组顶出对中心膜片进行张紧即可完成中心膜片的张紧处理，使得中心膜片达到预定张紧力，具有张紧度可控、中心膜片各区域张紧效果均匀等优点。
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公开(公告)号：CN111778484A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010513293.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置，包括：一管体，所述管体包括第一端和第二端，所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化；一导电线，其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕，以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场，可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难，大颗粒杂质过滤效果差，沉积端离子束光斑不可变等问题，同时可以提高等离子体的利用效率，可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。
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公开(公告)号：CN111074342A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911379924.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111020693A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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