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公开(公告)号：CN106783857A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610907219.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L23/528 , H01L21/8244
Abstract: 本发明公开了一种存储器件，包括：存储器位单元、第一字线、成对的金属岛状件和成对的连接金属线。第一字线设置在第一金属层中并且电连接至存储器位单元。成对的金属岛状件在第一金属层中设置在字线的相对两侧处并且电连接至电源。成对的连接金属线设置在第二金属层中并且配置成将金属岛状件分别电连接至存储器位单元。本发明还提供了用于制造存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN102376356B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201010566035.3
申请日：2010-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/82385 , G11C8/08 , G11C8/14
Abstract: 半导体器件包括第一导体、第二导体和第三导体。第一导体是形成在基板上并且具有接触点的氧化区域上的栅极导体。第二导体与该接触点相连接，并且横跨该氧化区域的宽度进行延伸。该第二导体的电阻比该栅极导体的电阻低。第三导体是字线导体，该第二导体的线路不与该字线导体相交叉。
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公开(公告)号：CN102623436B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210011810.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/768 , H01L21/76832 , H01L23/4824 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种分布式金属布线方法和系统。一个实施例包括金属_0层，该金属_1层位于金属_0层上方。金属_1层包括间单独的多个并联线，其中，并联线中都具有不同的信号，并且分布在整个金属_1层上。这种布局缩短了电流经过的距离，从而减小了金属_0层中的寄生电阻。另外，金属_1层中的这种分布式布局使得金属_2层中的连接不必带有通孔的锤头连接。
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公开(公告)号：CN104700888A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410743598.3
申请日：2014-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C11/417
CPC classification number: G11C7/1075 , G11C11/413 , H01L27/11 , H01L2924/0002
Abstract: 一种三端口三维位单元，通常包括设置在第一层级上的单元的读部分。读部分包括多个读端口元件。三端口位单元还包括设置在相对于第一层级垂直堆叠的第二层级上单元的写部分。第一层级和第二层级使用至少一个通孔耦合。写部分包括多个写端口元件。本发明还提供了三维三端口位单元的组装方法。
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公开(公告)号：CN104425007A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310551997.5
申请日：2013-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/16 , G11C5/06 , G11C5/063 , G11C8/08 , G11C8/14 , G11C11/41 , G11C11/412 , G11C11/413 , G11C11/417
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器，其包括具有被布置为多行和多列的多个交叉存取双端口位单元的双端口存储阵列，多个交叉存取双端口位单元中的每一个都具有两个交叉存取端口以用于从交叉存取双端口位单元读出和写入一位或多位数据。半导体存储器还包括与双端口存储阵列的多个行中的至少一行相关的字线对，字线对被配置为传输行选择信号对以用于在行中的一个或多个交叉存取双端口位单元上启动一个或多个读出和写入操作。半导体存储器还包括与双端口存储器阵列的多个列中的至少一列相关的列选择线对，列选择线对被配置为传输列选择信号对以用于在列中的交叉存取双端口位单元上启动读出和写入操作。本发明还提供了一种对双端口存储阵列实施的方法。
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公开(公告)号：CN102738065B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110232185.5
申请日：2011-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1116 , H01L21/768 , H01L27/0207 , H01L27/11 , H01L2027/11887
Abstract: 一种用于形成字线解码器器件和具有字线解码器单元的其他器件的方法和布局，提供了使用非DPL光刻操作形成金属互连层，并且提供了使用下部金属层或中部金属层或者相邻引线材料缝合设置在末端的晶体管。可以将晶体管设置在纵向配置的字线解码器或者其他单元中或者附近，并且使用金属或引线材料连接的引线降低了晶体管之间的栅极电阻并且避免了RC信号延迟。本发明还公开了一种用于在半导体器件中形成器件单元的布局方案和方法。
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公开(公告)号：CN101740116B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200910140788.5
申请日：2009-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/412
Abstract: 本发明揭露一种静态随机存取内存(static random access memory，SRAM)单元，包含一对交错耦合反向器，含有第一储存节点，以及第一N型金属氧化物半导体晶体管，含有栅极，第一与第二源/漏极，分别与第一储存节点，读入字符线(read word-line，RWL)以及第一读入位线(read bit-line，RBL)相连，读入字符线以及第一读入位线在进行读取动作时被启动，而在进行写入动作时不被启动。
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公开(公告)号：CN103219035A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210192149.5
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C11/417
CPC classification number: G11C11/419
Abstract: 本发明涉及存储电路和将数据写入存储电路的方法。该电路包括第一节点、第二节点、存储单元、第一数据线、第二数据线和写驱动器。存储单元连接至第一节点和第二节点，并通过第一节点处的第一电压和第二节点处的第二电压供电。第一数据线和第二数据线连接至存储单元。在写操作期间，写驱动器具有承载小于第一电压的第三电压的第三节点。写驱动器连接至第一数据线和第二数据线，并被配置为在写操作期间选择性地将第一数据线和第二数据线中的一条连接至第三节点并且将第一数据线和第二数据线中的另外一条连接至第一节点。
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公开(公告)号：CN101770805B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910143857.8
申请日：2009-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/40 , G11C11/412 , G11C11/413
CPC classification number: G11C11/412 , H01L27/0207 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L29/7855
Abstract: 一种集成电路结构包括静态随机存取存储器(SRAM)单元。SRAM单元包括上拉晶体管和与该上拉晶体管形成反相器的一下拉晶体管。该下拉晶体管包括连接到该上拉晶体管的栅极的前栅极，和与该前栅极解耦的后栅极。
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公开(公告)号：CN102623436A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210011810.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/768 , H01L21/76832 , H01L23/4824 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种分布式金属布线方法和系统。一个实施例包括金属_0层，该金属_1层位于金属_0层上方。金属_1层包括间单独的多个并联线，其中，并联线中都具有不同的信号，并且分布在整个金属_1层上。这种布局缩短了电流经过的距离，从而减小了金属_0层中的寄生电阻。另外，金属_1层中的这种分布式布局使得金属_2层中的连接不必带有通孔的锤头连接。
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