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公开(公告)号：CN113241376A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110538267.6
申请日：2021-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44 , G01N27/414 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。
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公开(公告)号：CN112251541A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011131482.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法，包括以下几个步骤：S1：将制得的硅纳米螺旋结构样品放入浓度为0.4%的氢氟酸溶液中，使氧化硅柱快速溶解，得到含有若干笼状螺旋状硅纳米线的混合液；S2：多次过滤、清洗将笼状螺旋状硅纳米线分散在无菌溶液中；S3：加入血管紧张素转化酶II对笼状螺旋状硅纳米线进行功能化修饰；S4：再次清洗后，通过雾化吸入的方式，将含有笼状螺旋状硅纳米线的液体送至肺部，与冠状病毒结合实现俘获；S5：被笼状螺旋状硅纳米线捕获的病毒将以痰液的方式排出，形成高浓度的病毒溶液，实现高效提取。
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公开(公告)号：CN110544656A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910885207.4
申请日：2019-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-LED巨量转移的方法，包括以下步骤：利用PECVD或者PVD工艺在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层；利用光刻、电子束直写或者掩膜板技术定义台阶边缘，以及与Micro-LED接触固定的区域，利用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层形成弹簧状垂直台阶侧壁；并沿着台阶刻蚀制作引导通道；在制备好的台阶一端，通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层催化金属层；升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；本发明方法突破了长期以来限制微发光二极管的大规模制备和巨量转移的问题。
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公开(公告)号：CN106645357B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610899426.4
申请日：2016-10-17
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。
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公开(公告)号：CN108389937A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810106419.3
申请日：2018-02-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/056
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/03926 , H01L31/056 , H01L31/075
Abstract: 本发明公开了一种柔性的、自掺杂、高功率质量比的太阳能电池制备方法，对未来的手提设备及可穿戴应用具有很重要的意义。该电池采用一种成本低廉的铝箔衬底且制备工艺成熟的非晶硅(a-Si:H)，就可以获得较高性能的三维纳米结构径向结太阳能电池，且机械弯曲性能很好，经过多次弯曲仍然能够保持稳定的电池性能。该技术将柔性衬底与三维纳米结构相结合，将铝箔衬底与非人为性的铝扩散形成P型掺杂相结合，利用PECVD薄膜淀积技术在低熔点金属(Sn或In等)诱导生长的竖直硅纳米线上包裹非晶硅形成p-i-n结构，并用氧化铟锡(ITO)作为透明电极，实现完整的、柔性的及较高性能的太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107460542A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710450420.3
申请日：2017-06-15
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/60
Abstract: 基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法，1)采用包括玻璃、二氧化硅片或者硅片衬底，进行标准化清洗；2)利用光刻技术或表面图案刻蚀技在衬底表面刻蚀一定深度的台阶；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约130±20nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成纳米线弹簧阵列；4)在PECVD系统中利用包括氢气的还原性等离子体处理金属薄膜，形成直径在几十纳米到一个微米之间的纳米金属催化颗粒；5)淀积覆盖一层适当厚度的非晶半导体层作为前驱体介质；6)在真空中或者非氧化性气氛中退火生长、温度在250℃以上，吸收非晶层并沿途淀积出晶态的纳米线结构。
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公开(公告)号：CN107086180A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710152423.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，1)采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约100±10nm，8μm*2μm周期性回环的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成单根纳米线多通道复用形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在纳米线特定位置的两侧制作80‑120nm厚度的金属块作为金属电极；5)利用ALD在纳米线阵列上方定义覆盖介质层；6)通过光刻热蒸发在介质层上方特定位置定义栅极，厚度为100nm。
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公开(公告)号：CN105140398B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510382778.8
申请日：2015-07-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池，包括从下至上结构：1)导电型衬底；2)均匀电子传输层；3)介电层；4)金属层；5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层；6)钙钛矿层的保护层；导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片、金属薄片；电子传输层采用ZnO、TiO2、PCBM；厚度一般在10nm～10um；介电层采用Al2O3、SiO2、SiNx，厚度在10nm～2um；金属层采用Au、Pt、Ag、Al；厚度在10nm～2um；孔道直径0.5～1.5um。钙钛矿层采用MAPbI3等有机金属卤化物半导体钙钛矿材料；厚度在100nm～20um。保护层采用疏水防氧化聚合物。以有效保持钙钛矿材料的性能及提高电池的稳定性；采用背接触结构，可以有效的降低正面电极的遮光损失，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN106645357A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610899426.4
申请日：2016-10-17
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4146 , G01N27/4145
Abstract: 一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。
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公开(公告)号：CN104900746B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510246893.2
申请日：2015-05-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/20 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构，在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅，形成两层由内而外的PIN结构；并在两层结构之间淀积一层ITO透明导电膜以探测内外两层的光电探测响应电流；基于得到的径向结结构的腔体模式耦合特性，外层PIN结构的本征非晶硅作为吸收层对短波段(偏蓝)的入射光有较强响应；内层PIN结构的本征非晶硅对长波段(偏红)的光有较强响应；当内外两层串联时，光响应波段是两者的交集部分，实现对可见光波段内三原色的分别探测；而且该探测技术利用的是两层p‑i‑n结构对不同波段的响应差。该径向结叠层结构用于视网膜三原色的光电探测技术在节约材料，缩减工艺，降低电压，提高灵敏度，以及工作稳定性等方面展示出了极大的优势。
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