公开(公告)号：CN104900746B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510246893.2

申请日：2015-05-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  钱晟一 ,  于忠卫 ,  陆嘉文 ,  朱光耀

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构，在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅，形成两层由内而外的PIN结构；并在两层结构之间淀积一层ITO透明导电膜以探测内外两层的光电探测响应电流；基于得到的径向结结构的腔体模式耦合特性，外层PIN结构的本征非晶硅作为吸收层对短波段(偏蓝)的入射光有较强响应；内层PIN结构的本征非晶硅对长波段(偏红)的光有较强响应；当内外两层串联时，光响应波段是两者的交集部分，实现对可见光波段内三原色的分别探测；而且该探测技术利用的是两层p‑i‑n结构对不同波段的响应差。该径向结叠层结构用于视网膜三原色的光电探测技术在节约材料，缩减工艺，降低电压，提高灵敏度，以及工作稳定性等方面展示出了极大的优势。

公开(公告)号：CN104900746A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510246893.2

申请日：2015-05-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  钱晟一 ,  于忠卫 ,  陆嘉文 ,  朱光耀

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开了一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构，在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅，形成两层由内而外的PIN结构；并在两层结构之间淀积一层ITO透明导电膜以探测内外两层的光电探测响应电流；基于得到的径向结结构的腔体模式耦合特性，外层PIN结构的本征非晶硅作为吸收层对短波段(偏蓝)的入射光有较强响应；内层PIN结构的本征非晶硅对长波段(偏红)的光有较强响应；当内外两层串联时，光响应波段是两者的交集部分，实现对可见光波段内三原色的分别探测；而且该探测技术利用的是两层p-i-n结构对不同波段的响应差。该径向结叠层结构用于视网膜三原色的光电探测技术在节约材料，缩减工艺，降低电压，提高灵敏度，以及工作稳定性等方面展示出了极大的优势。