公开(公告)号：CN107086180B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201710152423.9

申请日：2017-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  王吉米 ,  王军转

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，1)采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约100±10nm，8μm*2μm周期性回环的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成单根纳米线多通道复用形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在纳米线特定位置的两侧制作80‑120nm厚度的金属块作为金属电极；5)利用ALD在纳米线阵列上方定义覆盖介质层；6)通过光刻热蒸发在介质层上方特定位置定义栅极，厚度为100nm。

公开(公告)号：CN107202829A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710301511.0

申请日：2017-05-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  王吉米 ,  王军转

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/4146

Abstract: 本发明公开了一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，步骤包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约80‑350nm作为金属探针的形状的引导沟道；3)再次使用光刻对准技术在沟道的特定位置上定义催化剂区域，形成生物探针形状的纳米线；蒸镀电极金属膜，在于引导沟道特定位置形成几十至一百纳米的金属膜图案作为金属探针的电极；本发明使用常规的PECVD，CVD等多种薄膜沉积系统和微加工系统实现。解决了以硅为代表的各种半导体纳米线，在特定引导沟道中大规模引导生长，并制作成生物探针的关键技术问题。

公开(公告)号：CN105239156A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510586924.9

申请日：2015-09-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  许明坤 ,  薛兆国 ,  王吉米 ,  李成栋

IPC: C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B29/08 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02

Abstract: 外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时进行处理，使金属膜收缩成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米金属催化颗粒；4)继续在PECVD系统中覆盖生长一层几纳米至几百纳米的非晶硅层作为前驱体介质层；5)非晶硅层在真空中或非氧化性气氛中退火，利用IP-SLS生长模式在非晶硅层生长获得外延硅或锗纳米线。为基于平面半导体纳米线的场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术。

公开(公告)号：CN106645357B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201610899426.4

申请日：2016-10-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  王吉米 ,  薛兆国 ,  王军转 ,  徐骏

IPC: G01N27/414

Abstract: 一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。

公开(公告)号：CN107086180A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710152423.9

申请日：2017-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  王吉米 ,  王军转

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，1)采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约100±10nm，8μm*2μm周期性回环的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成单根纳米线多通道复用形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在纳米线特定位置的两侧制作80‑120nm厚度的金属块作为金属电极；5)利用ALD在纳米线阵列上方定义覆盖介质层；6)通过光刻热蒸发在介质层上方特定位置定义栅极，厚度为100nm。

公开(公告)号：CN106645357A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610899426.4

申请日：2016-10-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  王吉米 ,  薛兆国 ,  王军转 ,  徐骏

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4146 ,  G01N27/4145

Abstract: 一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。