公开(公告)号：CN110544656A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910885207.4

申请日：2019-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  李澄 ,  董泰格 ,  严江 ,  黄凯 ,  张荣 ,  王军转

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-LED巨量转移的方法，包括以下步骤：利用PECVD或者PVD工艺在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层；利用光刻、电子束直写或者掩膜板技术定义台阶边缘，以及与Micro-LED接触固定的区域，利用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层形成弹簧状垂直台阶侧壁；并沿着台阶刻蚀制作引导通道；在制备好的台阶一端，通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层催化金属层；升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；本发明方法突破了长期以来限制微发光二极管的大规模制备和巨量转移的问题。

公开(公告)号：CN110544656B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201910885207.4

申请日：2019-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  李澄 ,  董泰格 ,  严江 ,  黄凯 ,  张荣 ,  王军转

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro‑LED巨量转移的方法，包括以下步骤：利用PECVD或者PVD工艺在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层；利用光刻、电子束直写或者掩膜板技术定义台阶边缘，以及与Micro‑LED接触固定的区域，利用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层形成弹簧状垂直台阶侧壁；并沿着台阶刻蚀制作引导通道；在制备好的台阶一端，通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层催化金属层；升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；本发明方法突破了长期以来限制微发光二极管的大规模制备和巨量转移的问题。