一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法

    公开(公告)号:CN112251541A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011131482.6

    申请日:2020-10-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法,包括以下几个步骤:S1:将制得的硅纳米螺旋结构样品放入浓度为0.4%的氢氟酸溶液中,使氧化硅柱快速溶解,得到含有若干笼状螺旋状硅纳米线的混合液;S2:多次过滤、清洗将笼状螺旋状硅纳米线分散在无菌溶液中;S3:加入血管紧张素转化酶II对笼状螺旋状硅纳米线进行功能化修饰;S4:再次清洗后,通过雾化吸入的方式,将含有笼状螺旋状硅纳米线的液体送至肺部,与冠状病毒结合实现俘获;S5:被笼状螺旋状硅纳米线捕获的病毒将以痰液的方式排出,形成高浓度的病毒溶液,实现高效提取。

    一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法

    公开(公告)号:CN113247860B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202010586908.0

    申请日:2020-06-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法,该方法借助选择性刻蚀和沉积技术,以诱导金属纳米颗粒为引导颗粒,采用热蒸发或EBE方法有效控制引导颗粒的尺寸,采用IPSLS纳米线生长模式制备嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋,三维纳米线螺旋结构与上下两端金属电极形成回路,从而完成有效的电路连接;本发明在形成电流回路后会在螺旋结构内部及附近区域形成高度局域化的磁场,并有效控制尺寸至百纳米级别,可使得仪器的灵敏度和空间分辨率远远优过传统的磁性探测结构,为高速精准的生物磁信号探测提供了重要基础;可与平面微加工工艺兼容,可实现批量化制备,在微纳信息电子、生物医学等领域有很大的应用前景。

    一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法

    公开(公告)号:CN113247860A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010586908.0

    申请日:2020-06-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法,该方法借助选择性刻蚀和沉积技术,以诱导金属纳米颗粒为引导颗粒,采用热蒸发或EBE方法有效控制引导颗粒的尺寸,采用IPSLS纳米线生长模式制备嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋,三维纳米线螺旋结构与上下两端金属电极形成回路,从而完成有效的电路连接;本发明在形成电流回路后会在螺旋结构内部及附近区域形成高度局域化的磁场,并有效控制尺寸至百纳米级别,可使得仪器的灵敏度和空间分辨率远远优过传统的磁性探测结构,为高速精准的生物磁信号探测提供了重要基础;可与平面微加工工艺兼容,可实现批量化制备,在微纳信息电子、生物医学等领域有很大的应用前景。

    原位集成三维纳米线的螺旋回路磁头及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN111573618B

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202010435911.2

    申请日:2020-05-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开一种螺旋回路磁头的制备方法,包括第一步,在导电衬底层上,定位制备预设高度、长度和宽度参数的基座;第二步,在所述基座上制备侧壁具有波纹状结构的硅柱;第三步,在样品表面制备一定厚度绝缘层;第四步,利用选择性刻蚀工艺,去除硅柱顶端绝缘层;第五步,定义催化金属沉积区域并沉积用作催化纳米线生长的金属层;第六步,利用IP‑SLS纳米线生长模式,制备三维纳米线螺旋结构;第七步,在硅柱顶端和衬底层的绝缘层上分别定义电极区域,两个电极区域分别与三维纳米线螺旋结构的上、下端接触,然后沉积电极实现纳米线与电极和导电衬底层之间的连通。

    原位集成三维纳米线的螺旋回路磁头及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN111573618A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010435911.2

    申请日:2020-05-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开一种螺旋回路磁头的制备方法,包括第一步,在导电衬底层上,定位制备预设高度、长度和宽度参数的基座;第二步,在所述基座上制备侧壁具有波纹状结构的硅柱;第三步,在样品表面制备一定厚度绝缘层;第四步,利用选择性刻蚀工艺,去除硅柱顶端绝缘层;第五步,定义催化金属沉积区域并沉积用作催化纳米线生长的金属层;第六步,利用IP-SLS纳米线生长模式,制备三维纳米线螺旋结构;第七步,在硅柱顶端和衬底层的绝缘层上分别定义电极区域,两个电极区域分别与三维纳米线螺旋结构的上、下端接触,然后沉积电极实现纳米线与电极和导电衬底层之间的连通。

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