公开(公告)号：CN113241376B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202110538267.6

申请日：2021-05-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  宋晓攀 ,  刘宗光 ,  王军转

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  G01N27/414 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。

公开(公告)号：CN119833705A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510099744.1

申请日：2025-01-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  宋晓攀 ,  王军转

IPC: H01M10/052 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01M10/058 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线间隙结构的微纳电池，包括衬底，所述衬底表面原位生长有正、负电极，所述正、负电极的相对端部及间隙间设有液态或固态电解质，所述正、负电极的外端部分别沉积有金属集流体。本发明通过原位生长技术定位纳米线电极，实现纳米到微米尺度的精确电极间距控制，显著减小了电池尺寸，适合微纳电子器件功能与大规模高密度微电池集成应用。

公开(公告)号：CN113241376A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110538267.6

申请日：2021-05-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  宋晓攀 ,  刘宗光 ,  王军转

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  G01N27/414 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。

公开(公告)号：CN118099181A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410219467.9

申请日：2024-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  宋晓攀 ,  晏磊 ,  王军转

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  C23C14/30 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明公开一种超高分辨率纳米光源器件的制备方法，包括第一步、通过纳米线转移技术或采取光刻、刻蚀及纳米线直接生长技术，在绝缘衬底上制备底层导电纳米线阵列通道，在通道一端沉积底层金属电极；第二步、通过旋涂法制备功能发光材料薄膜作为纳米LED光源；第三步、通过转移法在功能发光材料上覆盖与底层导电纳米线阵列交叉的顶层导电纳米线阵列，并定义顶层金属电极区域，第四步、对制备的发光器件进行引线焊接及封装保护以提高稳定性。本发明提出了全新的可高密度集成的新型纳米光源显示技术，可实现25400 PPI的超高空间分辨率，可应用于大面积高清虚拟现实（VR）技术领域。