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公开(公告)号：CN101174595A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185125.6
申请日：2007-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L27/142
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117043910A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280012407.9
申请日：2022-02-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种复合晶圆的制造方法，该复合晶圆的制造方法具备以下阶段：准备支撑衬底，该支撑衬底为钽酸锂及铌酸锂的任一种，且实质上不极化；准备活性衬底，该活性衬底为贴合在支撑衬底的一面侧的钽酸锂及铌酸锂的任一种，且极化；对活性衬底注入离子而产生界面；将支撑衬底与活性衬底贴合；将贴合后的支撑衬底与活性衬底升温；以及在界面剥离活性衬底。另外，本发明还提供该复合晶圆。
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公开(公告)号：CN109891747B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780066532.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复合基板的特征在于，中间层为由无机材料构成的膜，其至少一部分为热合成二氧化硅。中间层可以沿着复合基板的接合面分为至少2层，与支承基板相接的第一中间层设为含有热合成二氧化硅的层为宜。
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公开(公告)号：CN109417367B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780040222.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使在贴合后的工序中加热到400℃以上也不会产生压电单晶膜的整面剥落的声表面波器件用复合基板。通过准备压电单晶基板和支承基板，将由无机材料构成的膜成膜于压电单晶基板和支承基板中的至少任意一方，并且将压电单晶基板与支承基板以夹持由无机材料构成的膜的方式进行接合，从而制造复合基板。
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公开(公告)号：CN115315779A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022997.9
申请日：2021-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板的待粘合的晶片具有足够小的表面粗糙度并且能够防止膜剥离的发生。本发明的复合基板(40)具有按列出顺序层叠的硅晶片(10)、夹层(11)和单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜(20a)，并且在硅晶片(10)的位于夹层(11)一侧的部分中具有损伤层(12a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108702141B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201780006333.7
申请日：2017-01-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。
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公开(公告)号：CN107636801B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201680031978.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN107615448B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201680032041.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体赋予超声波振动，沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN110957986A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910846552.7
申请日：2019-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不易在电材料层的外周端产生瑕疵，并且不易产生从外周端的剥离的声表面波器件用的复合基板及其制造方法。声表面波器件用复合基板是压电材料单晶薄膜和支承基板在接合面处接合在一起的复合基板，其特征在于，支承基板具备闭合的第一轮廓线，接合面具备闭合的第二轮廓线，压电材料单晶薄膜具备闭合的第三轮廓线，在将第一轮廓线及第三轮廓线垂直地投影到包含接合面的平面时，第一轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠外侧，第三轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠内侧。
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公开(公告)号：CN109417376A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040362.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可降低压电结晶膜和支承基板的接合界面上的波的反射造成的杂散的、温度特性良好且为高性能的表面声波器件用复合基板。表面声波器件用复合基板包含压电单晶基板和支承基板而构成，其特征在于，在压电单晶基板和该支承基板的接合界面部，至少压电单晶基板和支承基板中任一方具有凹凸构造，该凹凸构造的剖面曲线上的要素的平均长度RSm和用作表面声波器件时的表面声波的波长λ的比为0.2以上且7.0以下。
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