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公开(公告)号：CN103926519A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172919.9
申请日：2014-04-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电极特殊结构的栅控横向NPN双极晶体管，能够对横向NPN双极晶体管的电离辐射损伤进行测试和表征，能够定量揭示和分离双极横向NPN晶体管在遭受到电离辐射后的缺陷态数目。
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公开(公告)号：CN119805151A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510225225.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种浮栅MOSFET漏极电流在线测量系统及方法，主要解决现有的测试设备结构复杂、测试成本高、操作繁琐等技术问题。本发明的在线测量系统包括依次连接的信号采集单元、参数配置单元、主控单元及PC上位机；信号采集单元包括多个测量通道，各个测量通道分别与待测浮栅MOSFET各个端口连接；参数配置单元通过测量通道对待测浮栅MOSFET输出激励电压并采集相应的电流信号；主控单元通过参数配置单元对各测量通道输出激励电压的大小及时间进行控制，并将参数配置单元传输的电流信号发送至PC上位机；PC上位机对主控单元发出相应的控制指令，并输出测量结果。本发明具有成本低、便携、方便操作等特点。
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公开(公告)号：CN119269025A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378302.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器的辐照试验装置，可应用于电子器件辐射效应以及辐射损伤评估技术领域。该试验装置包括：辐照间、辐照板、制冷片、散热装置、程控电源、电缆、真空温箱、测试板、计算机以及橡胶塞，其中，辐照板与制冷片中间的位置用于放置待测试的图像传感器；程控电源用于控制制冷片和散热装置的通断电；辐照后的图像传感器放置于真空温箱内通过电缆与真空温箱外部的测试板连接；以及计算机与测试板相连接，用于控制测试条件以及获取测试结果。通过制冷片以及散热装置的设置能够达到良好的温控效果，同时在辐照后能够迅速将器件转移至真空温箱，避免接触室温而导致缺陷退火。本发明还提供了一种图像传感器的辐照试验测试方法。
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公开(公告)号：CN118801772A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410858758.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于高温退火效应的耐辐照电机驱动系统及其退火方法，用于解决现有的抗辐照处理方式较为复杂，处理效率较低，且处理的成本较为高昂等技术问题。该系统包括控制单元、继电器及驱动单元；控制单元与继电器连接；驱动单元包括多套结构相同的电机驱动电路，控制单元分别与每套电机驱动电路连接，用于控制对应电机驱动电路的工作状态；每套电机驱动电路上分别安装有加热装置，控制单元通过继电器控制加热装置的启动及停止，进而实现相应的电机驱动电路的退火；控制单元还通过温度传感器获取对应电机驱动电路的温度信息。本发明还提供了一种基于高温退火效应的耐辐照电机驱动系统的退火方法，保证外接驱动设备工作的正常进行。
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公开(公告)号：CN114896927B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210539926.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/337 , G06F30/3308
Abstract: 本发明涉及一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法确定氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态作为TCAD软件中电离效应模型的输入参数，通过实验获得γ射线辐照后的暗电流曲线，在对氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态进行电学校准，获得三种缺陷与累积剂量之间的比例因子，建立CMOS图像传感器像素单元电离辐射效应模型，再在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，然后在TCAD软件仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，再设置固定光强，采用瞬态模拟，提取钳位光电二极管中的变化曲线，获得满阱容量，再调用电离辐射效应模型，改变光强，模拟相同累积剂量下，不同光强对满阱容量的影响。本发明可以直观地看出不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113917513B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111188148.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号的测试方法。该方法涉及装置是由暗室和样品测试板两部分组成。将样品测试板置于暗室内，将辐照后的CMOS图像传感器固定在样品锁紧座上，盖上遮光盖，接通电源，给样品测试板供电，通过计算机软件找到工作温度、像素电压、积分时间、采图频率、采图时长、窗口大小等条件与测试结果和试验数据量之间的关系，依据计算结果确定试验条件，完成随机电报信号的测试。本发明可以在实验室条件下完成电离总剂量产生随机电报信号的准确测试，适用范围广，方法简单，可操作性强。
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公开(公告)号：CN114710659B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210455892.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于相机亮度非均匀性的图像传感器辐照后PRNU退化快速评估方法，该方法中涉及装置包括相机、图像传感器、夹具、计算机、电源和积分球。该方法首先调整夹具使相机对准积分器出光口，令积分器出光口发射出的光线均匀成像于图像传感器的焦平面上，然后进行采图，通过数据处理软件分析后代入公式计算获取图像亮度非均匀性，将辐照后图像传感器安装到相机上重复上述测试步骤，计算出相机在不同累积剂量下图像亮度非均匀性，最后根据辐照前后相机亮度非均匀性与辐照前图像传感器PRNU计算获得不同累积剂量下图像传感器PRNU退化后的估计值。本发明能够快速对辐照后图像传感器PRNU的退化值进行评估，方法简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN110702098B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201910972061.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于星对角距测量精度的星敏感器辐射损伤实验室评估方法，该方法中涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、样品调整转台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源、计算机、平行光管、自准直经纬仪、单星模拟器和成像镜头组成，利用自准直经纬仪将固定在样品测试板上的成像镜头和平行光管对齐，将单星模拟器调到零等星，样品调整转台调到回转角0°，俯仰角0°，通过成像镜头对模拟单星星点成像，再通过暗场测试，提取单个星点的质心坐标位置，然后换算成星点的方向矢量，利用星点方向矢量得到星对角距的测试值，再通过转台角度的调整得到星对角距的理论值，即为星对角距测量精度。本发明可以在实验室条件下快速评估星敏感器在不同累积辐射剂量下辐射损伤，方法简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN114900687A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210538335.3
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，再设置固定光强，采用瞬态模拟，提取钳位光电二极管中的光生载流子数目随积分时间的变化曲线，获得满阱容量，最后改变光强，重复提取光生载流子数目随积分时间的变化曲线，直到满阱容量与前一次光强条件下的满阱容量相同时停止提取，即实现了不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的模拟。本发明可以直观地看出不同光强对满阱容量的影响。
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公开(公告)号：CN114710659A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210455892.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于相机亮度非均匀性的图像传感器辐照后PRNU退化快速评估方法，该方法中涉及装置包括相机、图像传感器、夹具、计算机、电源和积分球。该方法首先调整夹具使相机对准积分器出光口，令积分器出光口发射出的光线均匀成像于图像传感器的焦平面上，然后进行采图，通过数据处理软件分析后代入公式计算获取图像亮度非均匀性，将辐照后图像传感器安装到相机上重复上述测试步骤，计算出相机在不同累积剂量下图像亮度非均匀性，最后根据辐照前后相机亮度非均匀性与辐照前图像传感器PRNU计算获得不同累积剂量下图像传感器PRNU退化后的估计值。本发明能够快速对辐照后图像传感器PRNU的退化值进行评估，方法简单，实用性强。
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