公开(公告)号：CN119805151A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510225225.5

申请日：2025-02-27

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 孙静 ,  黄文熠 ,  阚永葭 ,  李豫东 ,  文林 ,  陈亚文 ,  刘海涛

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/25

Abstract: 本发明提供一种浮栅MOSFET漏极电流在线测量系统及方法，主要解决现有的测试设备结构复杂、测试成本高、操作繁琐等技术问题。本发明的在线测量系统包括依次连接的信号采集单元、参数配置单元、主控单元及PC上位机；信号采集单元包括多个测量通道，各个测量通道分别与待测浮栅MOSFET各个端口连接；参数配置单元通过测量通道对待测浮栅MOSFET输出激励电压并采集相应的电流信号；主控单元通过参数配置单元对各测量通道输出激励电压的大小及时间进行控制，并将参数配置单元传输的电流信号发送至PC上位机；PC上位机对主控单元发出相应的控制指令，并输出测量结果。本发明具有成本低、便携、方便操作等特点。

公开(公告)号：CN120085137A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202510225227.4

申请日：2025-02-27

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 孙静 ,  黄文熠 ,  阚永葭 ,  陈亚文 ,  于钢 ,  李豫东 ,  文林 ,  郭旗

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种用于浮栅晶体管电离总剂量辐照试验电参数的测试系统及方法，主要解决现有半导体参数测试系统结构复杂、体积较大、测试成本较高及测试精度较低等技术问题。该测试系统包括辐照偏置板、辐照测试单元、采集单元、电源及控制单元；辐照偏置板位于辐照场内，用于安装被测浮栅晶体管；辐照测试单元包括辐照测试板，以及配置模块和配置检测模块；配置模块的输入端与控制单元连接，输出端与被测浮栅晶体管连接；配置检测模块与被测浮栅晶体管连接；采集单元的输入端连接被测浮栅晶体管，输出端连接控制单元；电源分别与辐照偏置板、辐照测试板及采集单元连接。本发明的测试系统结构简单且测试精度较高。