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公开(公告)号：CN103972128A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410222244.4
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法，该方法包括：在刻蚀肖特基接触孔的同时，在刻蚀肖特基接触孔的同一个衬底沉积有金属的区域上刻蚀两组圆形监控图形；以及在刻蚀肖特基接触孔一定时间后，通过在扫描电镜下观察这两组圆形监控图形的形貌来确定目标肖特基接触孔的最优刻蚀时间。利用本发明，可以最优化刻蚀时间，且本发明具有工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN102824902B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201110163803.5
申请日：2011-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种TiO2光催化消解装置，属于环保技术领域。该装置包括涂覆有TiO2的石英玻璃片Ⅰ，在与石英玻璃片Ⅰ上涂覆的TiO2区域相对应的区域涂覆有TiO2的石英玻璃片Ⅱ，石英玻璃片Ⅰ上装设有密封圈，石英玻璃片Ⅱ与装设有密封圈的石英玻璃片Ⅰ相互契合，于相对应涂覆的TiO2区域之间形成流道。同时，本发明还公开了该装置的制备方法。该TiO2光催化消解装置能够提高接受紫外光强度，并且，能够增加废水与TiO2的接触面积，从而缩短光催化消解时间，提高光催化消解效率。
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公开(公告)号：CN102445809B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010504162.0
申请日：2010-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体自准直效应的光模数转换器量化方法，该方法包括：在二维介质基板中填充一种填充介质，并在介质基板上引入正三角晶格的另一种填充介质，形成光子晶体自准直结构；依据该光子晶体自准直结构的透射谱确定透射率的低点和高点，判定为逻辑状态0或1，实现量化。利用本发明，有效地避免了光子晶体传统线缺陷产生的损耗，有利于实现器件的微型化、低损耗和集成化，并将推进光模数转换器在高速集成化信息技术中的实用化进程，对信息技术的发展具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN102832145A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210319726.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种高频内匹配功率器件的封装方法，包括：将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内；将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连；将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。本发明提供的一种高频内匹配功率器件的封装方法，采用两级LCL输入匹配的封装方式，降低了输入匹配电路的Q值，从而增大了内匹配功率器件的带宽、增益和输出功率，此外，本发明分别采用金锡、金锗将高频功率器件、陶瓷电容和匹配电路共晶在管壳内，保证了物理连接的牢固性，并增加了功率器件的热导率。
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公开(公告)号：CN102487024A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574339.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法，属于硅基光电异质集成技术领域。该三维排气孔装置包括垂直排气孔和水平排气槽两部分组成，垂直排气孔呈圆柱形，深度穿透顶层硅直达埋氧层，它可以使键合过程中产生的H2O和H2气体通过疏松多孔的埋氧层被吸收和扩散。水平排气槽是与孔同心的有一个十字形浅槽，它作为水平的通气装置，起到收集气体，使其快速有效地通过排气孔被吸收和扩散。三维排气孔装置结构的采用大大降低键合界面上的因气泡产生的缺陷，可以有效提高晶片键合质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102486550A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574449.0
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基复合介质模斑转换器及其制备方法。该模斑转换器在沿光传输方向上交替由硅和氧化硅两种材料按不同的组分比例排列在一起，构成周期结构。通过两种材料组分比例的变化实现模斑转换器等效折介质射率的变化，进而实现光斑模场从光纤端到硅微纳波导端的逐渐转变。该复合介质模斑转换器具有波长不敏感的性质，且其制作方法能够更好的与传统工艺相兼容，可重复制作性高。
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公开(公告)号：CN102485965A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574410.9
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对深盲孔进行电镀的方法，该方法适用于电镀金、镍、铜、银等金属及其合金的深盲孔的电镀，包括清洗半导体芯片；在半导体芯片上生长一层刻蚀阻挡层；在阻挡层上涂上光刻胶，曝光、显影，光刻出腐蚀区；通过干法、湿法等方法刻蚀出没有被光刻胶覆盖的阻挡层；采用乙醇、丙酮去掉光刻胶；采用ICP刻蚀出需要的深度，去掉多余的阻挡层；蒸发/溅射启镀层；根据盲孔的深度与宽度调节喷镀所需要气体与溶液所需要的强度。本发明解决了深盲孔电镀的问题，满足了集成电镀的背金的电镀，特别是在大功率的集成电路的散热的需要。
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公开(公告)号：CN102116901A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244524.4
申请日：2009-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有阶梯状V型槽结构的硅基光学基板及其制作方法。该硅基光学基板由制作于单晶硅片上的具有不同宽度和深度的V型槽级连在一起构成的，该些V型槽通过一次各向异性湿法腐蚀完成，在光轴方向上严格准直并在对接处形成台阶结构。本发明的优点是便于实现在具有不同轴向尺寸的光学元件之间形成精密的对准定位和可靠的固定安装，且其制作方法简便，成本低廉。
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公开(公告)号：CN101382623A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121503.4
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及光纤通信技术领域，公开了一种带光纤定位槽的斜面接收光电探测器的制作方法，在斜面接收光电探测器SVPD的制作过程中增加光纤定位槽腐蚀工艺，在SVPD的相对一侧朝向SVPD有源区的方向上腐蚀半导体衬底形成用于容纳对准光纤的光纤定位槽，将光纤定位槽与SVPD集成为一体，位于光纤定位槽的光纤的中心精确对准SVPD的有源区中心。本发明同时公开了一种带光纤定位槽的斜面接收光电探测器阵列的制作方法。利用本发明，使光纤和SVPD的对准精度在微米量级，克服了定位精度的漂移问题，提高了定位精度的可靠性，并降低了光纤对准定位的难度，降低了光纤对准定位的成本。
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公开(公告)号：CN118348376A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410425697.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/26 , G06F30/20 , G06F111/06
Abstract: 本公开提供了一种功率器件地面模拟空间环境下带电粒子辐照协同效应的试验方法。该方法包括：基于针对不同结构类型的器件的多次单一辐照试验的试验结果，确定不同结构类型的器件的单粒子、总剂量、质子辐照时对功率器件失效瞬态内部物理变化过程的对应关系数据库，得到第一对应关系；基于针对不同结构类型的器件的多次双辐照协同耦合试验的试验结果，确定器件结构与多个双重辐照协同效应之间的对应关系，得到第二对应关系；基于针对不同结构类型的器件的退火试验的试验结果，确定器件在试验后存在的缺陷类型；基于不同结构类型的器件的缺陷类型、第一对应关系和第二对应关系，确定与器件结构的缺陷机制对应的辐照协同效应。
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