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公开(公告)号：CN102810465B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110147251.9
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。
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公开(公告)号：CN102486550B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201010574449.0
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基复合介质模斑转换器及其制备方法。该模斑转换器在沿光传输方向上交替由硅和氧化硅两种材料按不同的组分比例排列在一起，构成周期结构。通过两种材料组分比例的变化实现模斑转换器等效折介质射率的变化，进而实现光斑模场从光纤端到硅微纳波导端的逐渐转变。该复合介质模斑转换器具有波长不敏感的性质，且其制作方法能够更好的与传统工艺相兼容，可重复制作性高。
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公开(公告)号：CN102810465A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110147251.9
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。
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公开(公告)号：CN102496559A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110379705.5
申请日：2011-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/266
Abstract: 公开了一种三层复合离子注入阻挡层，包括：三层复合结构SiO2/Ti/Ni；所述三层复合结构的最上层为Ni金属层，所述Ni金属层为离子注入阻挡层；所述三层复合结构中层为Ti金属层，用于增加Ni金属层与下层SiO2的黏附性；所述三层复合结构下层为SiO2牺牲层，置于底层衬底之上，用于将Ti/Ni金属层与衬底分隔开。本发明还公开了一种制备、去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法。通过本发明提供的制备方法制备的三层复合离子注入阻挡层不仅能够实现对半导体材料高温注入Al工艺的阻挡要求，同时，SiO2牺牲层还能够有效减少注入半导体表面的损伤。去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法简单有效，解决了半导体衬底上Ti/Ni金属去除中的金属残留问题。
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公开(公告)号：CN103021840B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201110284796.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明公开了防止钝化层过刻蚀的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上制备两层致密性不同的钝化层，靠近衬底侧的钝化层为致密钝化层，远离衬底侧的钝化层为疏松钝化层；步骤B，在钝化层上旋涂光刻胶，按照预设的元件模板对光刻胶进行曝光和显影；步骤C，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对疏松钝化层进行干法刻蚀；步骤D，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对致密钝化层进行湿法刻蚀。本发明通过生长两层致密性不同的SiO2层，结合湿法刻蚀和干法刻蚀两者的优点分别对上述两层致密性不同的SiO2层分别进行刻蚀，不仅避免了底层SiC的过刻蚀，并且保证了刻蚀质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021840A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110284796.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明公开了防止钝化层过刻蚀的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上制备两层致密性不同的钝化层，靠近衬底侧的钝化层为致密钝化层，远离衬底侧的钝化层为疏松钝化层；步骤B，在钝化层上旋涂光刻胶，按照预设的元件模板对光刻胶进行曝光和显影；步骤C，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对疏松钝化层进行干法刻蚀；步骤D，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对致密钝化层进行湿法刻蚀。本发明通过生长两层致密性不同的SiO2层，结合湿法刻蚀和干法刻蚀两者的优点分别对上述两层致密性不同的SiO2层分别进行刻蚀，不仅避免了底层SiC的过刻蚀，并且保证了刻蚀质量。
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公开(公告)号：CN102824902A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110163803.5
申请日：2011-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种TiO2光催化消解装置，属于环保技术领域。该装置包括涂覆有TiO2的石英玻璃片Ⅰ，在与石英玻璃片Ⅰ上涂覆的TiO2区域相对应的区域涂覆有TiO2的石英玻璃片Ⅱ，石英玻璃片Ⅰ上装设有密封圈，石英玻璃片Ⅱ与装设有密封圈的石英玻璃片Ⅰ相互契合，于相对应涂覆的TiO2区域之间形成流道。同时，本发明还公开了该装置的制备方法。该TiO2光催化消解装置能够提高接受紫外光强度，并且，能够增加废水与TiO2的接触面积，从而缩短光催化消解时间，提高光催化消解效率。
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公开(公告)号：CN102487046A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574355.3
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/77 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种适用于芯片内光互连系统的硅基光电异质集成方法，包括：在硅基CMOS芯片内集成光互连系统中有源部件的驱动电路；在硅基CMOS芯片上生长光子材料层，在光子材料层中制作出光互连系统无源部件，并在硅基CMOS集成电路的电窗口上方刻蚀出电连接孔；在III-V衬底上外延生长芯片内部光互连系统中有源部件的有源区结构；将III-V衬底与硅基CMOS芯片进行键合；在键合后的芯片的III-V外延层上制备光互连系统有源部件，通过电互连布线将光互连系统有源部件与驱动电路连接，形成最上层布线，并封装。本发明在硅/III-V材料平台上和CMOS工艺平台上实现III-V有源光子器件、硅基无源光子器件和硅基CMOS微电子电路的单片集成。
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公开(公告)号：CN102445809A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010504162.0
申请日：2010-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体自准直效应的光模数转换器量化方法，该方法包括：在二维介质基板中填充一种填充介质，并在介质基板上引入正三角晶格的另一种填充介质，形成光子晶体自准直结构；依据该光子晶体自准直结构的透射谱确定透射率的低点和高点，判定为逻辑状态0或1，实现量化。利用本发明，有效地避免了光子晶体传统线缺陷产生的损耗，有利于实现器件的微型化、低损耗和集成化，并将推进光模数转换器在高速集成化信息技术中的实用化进程，对信息技术的发展具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN102437201A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110380662.2
申请日：2011-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明提供SiC结势垒肖特基二极管，包括肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+-SiC和P--SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P--SiC区构成。本发明还提供SiC结势垒肖特基二极管的制作方法。本发明提供的SiC结势垒肖特基二极管的制作方法降低了工艺的复杂度，减小了两次或多次Al离子注入工艺引入不利影响因素的可能性。
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