公开(公告)号：CN103972128A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410222244.4

申请日：2014-05-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨成樾 ,  周静涛 ,  金智 ,  任田昊

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法，该方法包括：在刻蚀肖特基接触孔的同时，在刻蚀肖特基接触孔的同一个衬底沉积有金属的区域上刻蚀两组圆形监控图形；以及在刻蚀肖特基接触孔一定时间后，通过在扫描电镜下观察这两组圆形监控图形的形貌来确定目标肖特基接触孔的最优刻蚀时间。利用本发明，可以最优化刻蚀时间，且本发明具有工艺简单的特点。

公开(公告)号：CN103972128B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410222244.4

申请日：2014-05-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨成樾 ,  周静涛 ,  金智 ,  任田昊

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法，该方法包括：在刻蚀肖特基接触孔的同时，在刻蚀肖特基接触孔的同一个衬底沉积有金属的区域上刻蚀两组圆形监控图形；以及在刻蚀肖特基接触孔一定时间后，通过在扫描电镜下观察这两组圆形监控图形的形貌来确定目标肖特基接触孔的最优刻蚀时间。利用本发明，可以最优化刻蚀时间，且本发明具有工艺简单的特点。

公开(公告)号：CN106158681A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510171298.7

申请日：2015-04-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨成樾 ,  周静涛 ,  金智 ,  任田昊

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14

Abstract: 本发明提供了一种用于制作肖特基二极管空气桥的腐蚀监控方法，其特征在于，包括：a.提供待腐蚀的肖特基二极管，其中，所述待腐蚀区域位于空气桥下方；b.在所述肖特基二极管待腐蚀区域的两侧形成监测图形，所述监测图形的间距与空气桥的长度相等；c.对待腐蚀区域进行腐蚀，腐蚀过程中实时测量监测图形之间的电阻；d.当监测图形之间的电阻增加到阈值电阻时，停止腐蚀。本发明通过测试监控图形之间的电阻阻值即可准确判断出肖特基二极管空气桥的腐蚀进程，并且因为不需要破坏衬底材料，提高了衬底的使用面积，增加有效管芯的数量。