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公开(公告)号：CN109244176A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811176475.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p-n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p-n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。
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公开(公告)号：CN108922898A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810945391.2
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
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公开(公告)号：CN105762221B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610236474.5
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p‑n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p‑n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。
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公开(公告)号：CN106449377A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611061341.5
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/0331
Abstract: 本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀的终点。掩膜的去除方法采用浓盐酸浸泡，通过去除牺牲层，可以将掩膜整体完全去除。该掩膜使得干法刻蚀技术可以被用于二氧化硅掩膜的成形，能够解决现有的湿法腐蚀掩膜工艺面临的尺寸均匀性差，侧壁倾斜，工艺窗口小等缺点。
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公开(公告)号：CN105762221A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236474.5
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p?n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p?n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762209A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236574.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
CPC classification number: H01L31/1032 , H01L31/03529
Abstract: 本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p?n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
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公开(公告)号：CN102928194A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210405502.3
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法。它是基于激光辐照在碲镉汞材料上产生光生载流子，载流子扩散至离子注入n区、汞填隙扩散区和p吸收区形成的pn结处被结电场分开形成光电流信号的原理，对pn结光敏元阵列进行一维线性扫描，获得不同温度条件下电流和位置的关系曲线。曲线具有两对光电流峰，曲线的峰间间距代表了光敏元的结区宽度和pn的位置。结合数值模拟，提取获得不同温度下的离子注入区的有效陷阱浓度。本发明对长波碲镉汞红外探测器离子注入区材料优劣的判断具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN102818639A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210275848.6
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于采集与处理短波红外探测器阵列弱信号的高帧频读出集成电路系统模拟信号链路，属于集成电路设计技术领域。其特征在于：读出电路采用了一种模拟信号链路结构。具体为：在单元结构中采用了电流源负载的共源共栅结构的CTIA结构输入级，在列公用结构中配置了相关双采样CDS模块、电荷放大模块，公共输出级采用了互补型输出级。模拟信号链中集成了CDS相关双采样结构，滤去红外探测器读出电路比较严重的低频噪声，为短波红外探测器器件在高分辨率等应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN101740501B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198960.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。
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公开(公告)号：CN101740662B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910198969.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。
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