一种集成光收发器
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112383358A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011254630.3

    申请日:2020-11-11

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种集成光收发器,该集成光收发器包括集成连接的滤波件、交织滤波器和温度传感器;该滤波件用于实现不同波长的光的合波或者分波;该温度传感器用于监测该集成光收发器的温度;该滤波件与该交织滤波器波导连接,该交织滤波器用于接收该温度传感器监测的温度,当该温度小于预设温度时,调整波长偏离的光的波长于原波长的位置,从而本申请提供的集成光收发器具有成本高、尺寸小和性能好的特点。

    一种激光冗余的光电集成电路

    公开(公告)号:CN112289884A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011254632.2

    申请日:2020-11-11

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种激光冗余的光电集成电路。该光电集成电路包括激光器和多模干涉器,激光器的数量为N个,N为大于等于2的整数;多模干涉器包括输入端和至少两个输出端,输入端的数量为M个,M为大于等于N的整数;N个激光器与该M个输入端中的N个输入端一一对应波导连接;多模干涉器用于当N个激光器中存在L个激光器故障时,将剩余N‑L个非故障的激光器确定为目标激光器,并利用目标激光器对应的N‑L个输入端接收该目标激光器产生的光,并将接收到的该光均等分配到该至少两个输出端,L为小于N的自然数。从而使得本发明提供的光电集成电路具有可靠性高和成本低的优点。

    一种硅基多模光接收器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN112285826A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011249404.6

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本申请公开了一种硅基多模光接收器件及其制备方法,所述方法包括:获取SOI晶圆;制备探测器,包括:在所述SOI晶圆上定义探测器区域;在所述探测器区域形成锗材料层;通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成锗波导,所述锗波导的宽度为2.0~5.0μm;对所述探测器区域进行掺杂处理;在所述探测器区域形成第一电极和第二电极;制备多模硅光波导,所述多模硅光波导的宽度为2.0~5.0μm;在所述探测器和所述多模硅光波导的表面形成保护膜。本申请的硅基多模光接收器件及其制备方法,采用多模硅光波导与光纤耦合,不仅光纤的基本光模可以耦合到多模硅光波导,高阶光模也可以耦合到多模硅光波导。

    微环电光调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112230448A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202011102516.9

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本发明提供一种微环电光调制器及其制备方法,微环电光调制器包括从下至上的硅衬底、埋氧层、辐射加固层、硅层及氧化硅层;本发明将掺杂离子注入埋氧层中形成辐射加固层,以在辐射加固层中产生大量电子陷阱,从而可俘获电子,以补偿由于高能电离辐射所导致的Si/SiO2界面和体氧化物中所累积的正电荷,以此可降低绝缘埋氧层中正电荷数量,从而在对微环电光调制器施加偏置电压之后,可以有效地减缓P型掺杂板被夹断的速度,增加载流子浓度变化的时长,使得有效折射率可以持续改变,从而可增加微环电光调制器的调制时长,使得微环电光调制器可以在辐射环境中工作更长时间。

    硅基光调制器
    76.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105629522B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201410620813.0

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器,至少包括:脊型波导,所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条,所述凸条高于所述平板部;所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区,所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间,且沿所述凸条的延伸方向延伸;所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中;所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中,在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结,在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区,弥补解决离子注入对准误差的问题,并且提高了硅基光调制器的调制效率。

    一种基于硅光子晶体的三光束分光器

    公开(公告)号:CN108152886A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201611100701.8

    申请日:2016-12-05

    Abstract: 本发明提供一种基于硅光子晶体的三光束分光器,包括:二维硅光子晶体波导;偏振选择缺陷,设置于所述二维硅光子晶体波导的输入通道,使三光束分光器具有偏振选择功能;功率控制缺陷,设置于所述二维硅光子晶体波导的十字交叉区域,使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明通过在二维硅光子晶体波导的输入通道引入不同的偏振选择缺陷,使得分光器具有偏振选择功能,对于TE分光器而言,TE波能够进入并在分光器中传播,而TM波不能进入,对于TM分光器则恰好相反;并且,同时通过在波导的十字交叉区域引入功率控制缺陷,使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明具有传输效率高、适用波长范围大、结构简单、易于级联以及工作带宽较大等重要优势。

    一种具有周期结构的半导体及其制备方法

    公开(公告)号:CN102693900B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201210174632.0

    申请日:2012-05-31

    Abstract: 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法,首先提供一的AAO模板,所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层,于各该孔道内填充光刻胶,并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层,然后去除所述铝基底,接着去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔,接着键合一半导体衬底及所述氧化铝层,并去除光刻胶,接着于所述通孔内填充半导体材料,最后去除所述氧化铝层,以完成所述具有周期结构的半导体的制备。本发明利用AAO模板实现了半导体周期结构的制备,工艺简单,成本低、可靠性和重复性好、且与半导体工艺兼容,采用本方法可制备出具有纳米级周期结构的半导体,适用于工业生产。

Patent Agency Ranking