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公开(公告)号：CN105652371B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201410664561.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本发明提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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公开(公告)号：CN105866885A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510031371.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
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公开(公告)号：CN105629522B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410620813.0
申请日：2014-11-06
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN104570207A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510028170.5
申请日：2015-01-20
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1225
Abstract: 本发明提供一种大角度准自准直光子晶体及其准直度定量方法，所述大角度准自准直光子晶体至少包括：矩形晶格光子晶体介质柱；位于该光子晶体外起抗反射层作用的单排抗反射介质柱；所述光子晶体介质柱及所述抗反射介质柱处在空气介质中，可通过刻蚀SOI衬底的顶层硅得到。本发明的优点包括：基于最小二乘法来定量光子晶体等频线的准直度，改变光子晶体晶格对称性可实现准自准直光束传播，同时通过优化单排光子晶体介质柱的结构参数，可使得大角度入射光束能高效耦合进入准自准直光子晶体，制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN102879858A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210419042.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有光栅的单纤三向复用器。该单纤三向复用器至少包括：用于接入第一波长及第二波长的光波信号的输入波导；用于接入第三波长的光波信号的上传波导；第一输出波导；第二输出波导；及多模波导耦合器；该多模波导耦合器用于分离所述第一波长信号及第二波长信号，并使两者分别由第一输出波导及第二输出波导输出；此外，该多模波导耦合器所具有的光栅，能反射所述第三波长的光波信号，并使该光波信号由输入波导输出。优选地，输入波导、上传波导、第一输出波导、第二输出波导及多模波导耦合器均通过对半导体基底的刻蚀来形成。本发明的优点包括：结构紧凑小巧，且制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105629519B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410621547.3
申请日：2014-11-06
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，包括平板部和位于所述平板部中间，且高于所述平板部的凸条；所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区包括形成在凸条中间，且沿着所述凸条的延伸方向的纵向第一轻掺杂区和至少一个形成在所述凸条和所述平板部上，且与所述凸条相交的横向第一轻掺杂区；第二轻掺杂区和第一轻掺杂区的掺杂类型相反，且形成于第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中，以与第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。本发明的技术方案中提供的硅基光调制器利用多个横向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区、纵向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区形成PN结，可以增加模场中耗尽区的面积，从而提高硅基光调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN104570207B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510028170.5
申请日：2015-01-20
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种大角度准自准直光子晶体及其准直度定量方法，所述大角度准自准直光子晶体至少包括：矩形晶格光子晶体介质柱；位于该光子晶体外起抗反射层作用的单排抗反射介质柱；所述光子晶体介质柱及所述抗反射介质柱处在空气介质中，可通过刻蚀SOI衬底的顶层硅得到。本发明的优点包括：基于最小二乘法来定量光子晶体等频线的准直度，改变光子晶体晶格对称性可实现准自准直光束传播，同时通过优化单排光子晶体介质柱的结构参数，可使得大角度入射光束能高效耦合进入准自准直光子晶体，制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN105785507A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410829315.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，所述偏振分束旋转器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和非对称Y分支波导；双刻蚀波导包括一端与所述单模输入波导尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，第一刻蚀区的高度大于第二刻蚀区的高度；非对称Y分支波导包括根波导、第一分支波导和第二分支波导，根波导与第一刻蚀区的尾端相连，第一Y分支波导的宽度大于第二Y分支波导的宽度。由于双刻蚀波导的模式转换和非对称Y分支波导的模式分配是宽带的，本发明提供的偏振分束旋转器中利用了这两个基本结构的宽带特性，解决传统偏振分束旋转器带宽较窄的缺点。
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公开(公告)号：CN105652371A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410664561.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本发明提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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公开(公告)号：CN105629522A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410620813.0
申请日：2014-11-06
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
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