公开(公告)号：CN108153001A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611103311.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 上海新微科技服务有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中科院南通光电工程中心

Inventor： 武爱民 ,  何兵 ,  仇超 ,  盛振 ,  高腾 ,  甘甫烷 ,  王曦

IPC: G02F1/05

Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫-曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。

公开(公告)号：CN108153001B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201611103311.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 上海新微科技服务有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中科院南通光电工程中心

Inventor： 武爱民 ,  何兵 ,  仇超 ,  盛振 ,  高腾 ,  甘甫烷 ,  王曦

IPC: G02F1/05

Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。

公开(公告)号：CN108152886A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611100701.8

申请日：2016-12-05

Applicant: 上海新微科技服务有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中科院南通光电工程中心

Inventor： 武爱民 ,  何兵 ,  仇超 ,  盛振 ,  高腾 ,  甘甫烷 ,  王曦

IPC: G02B6/125 ,  G02B6/126

Abstract: 本发明提供一种基于硅光子晶体的三光束分光器，包括：二维硅光子晶体波导；偏振选择缺陷，设置于所述二维硅光子晶体波导的输入通道，使三光束分光器具有偏振选择功能；功率控制缺陷，设置于所述二维硅光子晶体波导的十字交叉区域，使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明通过在二维硅光子晶体波导的输入通道引入不同的偏振选择缺陷，使得分光器具有偏振选择功能，对于TE分光器而言，TE波能够进入并在分光器中传播，而TM波不能进入，对于TM分光器则恰好相反；并且，同时通过在波导的十字交叉区域引入功率控制缺陷，使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明具有传输效率高、适用波长范围大、结构简单、易于级联以及工作带宽较大等重要优势。

公开(公告)号：CN108155562B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201611100728.7

申请日：2016-12-05

Applicant: 上海新微科技服务有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中科院南通光电工程中心

Inventor： 武爱民 ,  何兵 ,  仇超 ,  盛振 ,  高腾 ,  甘甫烷 ,  王曦

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法，包括步骤：步骤1），提供一基底，采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜；步骤2），采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶，所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中；步骤3），对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理，以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂，扩大了硅纳米晶发光的光谱范围，降低了由于俄歇效应产生的光子吸收，提高了硅纳米晶发光效率，同时，本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调，结晶质量好，是一种理想的硅基片上光源。

公开(公告)号：CN108155562A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611100728.7

申请日：2016-12-05

Applicant: 上海新微科技服务有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中科院南通光电工程中心

Inventor： 武爱民 ,  何兵 ,  仇超 ,  盛振 ,  高腾 ,  甘甫烷 ,  王曦

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法，包括步骤：步骤1），提供一基底，采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜；步骤2），采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶，所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中；步骤3），对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理，以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂，扩大了硅纳米晶发光的光谱范围，降低了由于俄歇效应产生的光子吸收，提高了硅纳米晶发光效率，同时，本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调，结晶质量好，是一种理想的硅基片上光源。