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公开(公告)号：CN101159171A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710092110.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
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公开(公告)号：CN100371809C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN02816648.5
申请日：2002-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286
Abstract: 在制造TFT阵列基板的方法中，在绝缘基板上形成栅线路。栅线路含有栅线、栅电极和与栅线相连的栅垫。依次形成栅绝缘层和半导体层。形成包括多个与栅线交叉的数据线、多个与数据线相连并位于栅电极附近的源电极、多个依照栅电极与源电极正对的漏电极以及与数据线相连的数据垫的数据线路。沉积形成保护层，在保护层上形成图案以形成至少使漏电极暴露的接触孔。在保护层上沉积银或银合金导电层。用包括磷酸、硝酸、乙酸、过氧一硫酸钾和超纯水的蚀刻液或包括硝酸、乙酸、乙二醇和超纯水的蚀刻液在保护层上形成图案，因此形成反射层。反射层是通过接触孔与漏电极连接的。
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公开(公告)号：CN101118750A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710008044.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
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公开(公告)号：CN1979346A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610161859.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴弘植
IPC: G03F7/42 , G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/321
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/263 , C11D7/3281
Abstract: 薄膜晶体管阵列面板的制造方法包括：在基板上沉积包含铝的第一薄膜、通过光刻法和蚀刻法对第一薄膜进行图案化、清洁包括第一薄膜的基板、以及在已清洁的基板上沉积第二薄膜。清洁是通过使用包含超纯水、环胺、焦酚、苯并三唑、以及乙二醇一甲醚的清洁材料进行的。该清洁材料包含大约85wt％至大约99wt％的超纯水、大约0.01wt％至大约1.0wt％的环胺、大约0.01wt％至1.0wt％的焦酚、大约0.01wt％至1.0wt％的苯并三唑、以及大约0.01wt％至1.0wt％的乙二醇一甲醚。
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公开(公告)号：CN1877448A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610067407.1
申请日：2006-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: C23F1/30 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂，一种使用该蚀刻剂制造布线的方法，以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。该蚀刻剂包括具有分子式1的材料、乙酸铵和余量的去离子水，其中，所述分子式1表示为：M(OH)XLY…(1)，M表示Zn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、Si或B，X表示2或3，L表示H2O、NH3、CN、COR或NH2R，Y表示0、1、2或3，以及R表示烷基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1808710A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510127641.4
申请日：2005-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴弘植
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/283
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L51/5228
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；栅极线，形成在绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在栅极线上；漏电极和具有源电极的数据线，形成在栅极绝缘层上，其中，漏电极面对源电极，且在其间具有间隙；以及像素电极，连接至漏电极。栅极线、数据线、以及漏电极中的至少一个包括由导电氧化物制成的第一导电层和邻近第一导电层沉积的银的第二导电层。
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公开(公告)号：CN119946173A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411916973.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/02 , G09F9/30 , G06F3/041 , G06F3/04817 , G06F3/0484 , G06F3/0488
Abstract: 本公开提供了一种电子装置及非暂时性存储介质。根据各种实施例的电子装置，包括：第一结构，其能够相对于第二结构在关闭状态和打开状态之间移动；第二结构；柔性触摸屏显示层，其包括平面部分和可弯曲部分；处理器，其可操作地连接到柔性触摸屏显示层；以及存储器，其可操作地连接到处理器。该存储器存储有指令，该指令在被执行时，使得处理器：在关闭状态下，在平面部分的第一区域中显示至少一个第一对象并在平面部分的第二区域中显示至少一个第二对象，以及在打开状态下，在第一区域中显示至少一个第一对象并在可弯曲部分的第三区域中显示至少一个第二对象。
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公开(公告)号：CN111971734A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201980025577.9
申请日：2019-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种包括柔性显示器的电子装置。电子装置可以包括：第一结构；包括第一板，第一板包括第一表面和面向与第一表面相反的方向的第二表面；第二结构，包括面向第一板的第二表面的第二板和从第二板延伸的第一侧壁；柔性触摸屏显示器；以及设置在第一结构和第二结构之间的相机装置。
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公开(公告)号：CN1979346B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200610161859.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴弘植
IPC: C11D7/26 , C11D7/32 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/321
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/263 , C11D7/3281
Abstract: 薄膜晶体管阵列面板的制造方法包括：在基板上沉积包含铝的第一薄膜、通过光刻法和蚀刻法对第一薄膜进行图案化、清洁包括第一薄膜的基板、以及在已清洁的基板上沉积第二薄膜。清洁是通过使用包含超纯水、环胺、焦酚、苯并三唑、以及乙二醇一甲醚的清洁材料进行的。该清洁材料包含大约85wt％至大约99wt％的超纯水、大约0.01wt％至大约1.0wt％的环胺、大约0.01wt％至1.0wt％的焦酚、大约0.01wt％至1.0wt％的苯并三唑、以及大约0.01wt％至1.0wt％的乙二醇一甲醚。
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公开(公告)号：CN1752852B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200510105132.1
申请日：2005-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42 , G02F1/1368
CPC classification number: G03F7/425 , H01L21/31133 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至20wt％的醇胺、约40wt％至70wt％的乙二醇醚、约20wt％至40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至6wt％的螯合剂。
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