公开(公告)号：CN103081076A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040488.5

申请日：2011-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C09K3/1006 ,  C09K2200/0645 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的冲洗液，上述半导体装置的制造方法依次包括以下工序：密封组合物赋予工序，对半导体基板的表面的至少一部分赋予半导体用密封组合物而形成半导体用密封层，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～600000的树脂，并且钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及洗涤工序，利用25℃时的pH值为6以下的冲洗液，将半导体基板的形成有上述半导体用密封层的面进行洗涤。

公开(公告)号：CN100474530C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101015050A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN101010794A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。

公开(公告)号：CN1777560A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480011066.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大池俊辅 ,  高村一夫 ,  村上雅美 ,  洼田武司

IPC: C01B33/12 ,  C09D183/00

CPC classification number: H01L21/02216 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明涉及一种多孔质二氧化硅形成用涂布液，其特征为：较佳含有烷氧基硅烷化合物的部分水解缩合物、界面活性剂、和有机两性电解质，且其金属含量为50ppb或其以下。以往的多孔质二氧化硅形成用涂布液，一旦保存期间变长，就会有所得到的多孔质二氧化硅膜的细孔的排列规则性变低的情形。与此相反，若根据本发明的多孔质二氧化硅形成用涂布液，则可提供一种具有优良的保存稳定性的涂布液。即，所得到的多孔质二氧化硅的性能不易受到上述涂布液的保存期间的影响。因此，期望能贡献于稳定地生产一种多孔质二氧化硅，即使将其暴露于电场，也不会引起电容、电压的偏移，并且具有规则排列的均匀的细孔，可适合用作为光功能材料或电子功能材料的多孔质二氧化硅膜。

公开(公告)号：CN1366509A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN01801051.2

申请日：2001-04-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  冈部晃博 ,  漥田武司 ,  蔵野義人 ,  村上雅美

IPC: C01B33/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/316 ,  H01L21/312

CPC classification number: C01B33/124 ,  B01J20/103 ,  B01J20/2809 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/17 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  C08J9/0004 ,  C08J2300/14 ,  C09C1/3045 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/265

Abstract: 合成的孔隙均匀的防水性多孔二氧化硅,该二氧化硅包括硅石骨架,其中氟原子通过共价键固定,并且碱金属含量不超过10ppb。用该防水性多孔二氧化硅,防水性多孔二氧化硅膜具有均匀的孔隙,适用于光功能性材料或电子功能性材料,还提供了该物质的制备方法,和它的用途。