公开(公告)号：CN101015050A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN101010794A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。

公开(公告)号：CN101010794B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。

公开(公告)号：CN101015050B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN103236350A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201210365915.3

申请日：2012-09-27

Applicant: 清华大学 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 刘仿 ,  许骐 ,  黄翊东 ,  奥良彰 ,  迁村讫裕

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及新能源技术领域，本发明公开了一种染料敏化太阳能电池，其包括透明电极和对电极及位于所述透明电极和对电极之间的电解质层；所述透明电极的内侧表面设有纳米多孔半导体薄膜，所述透明电极的外侧设有透明衬底，所述对电极的外侧设有对透明衬底；所述电解质层包括电解液和染料敏化剂的混合液体；所述纳米多孔半导体薄膜中吸附有具有表面等离子体效应的核壳结构纳米颗粒。其中，所述核壳结构纳米颗粒包括PVP有机物壳体和内嵌于所述PVP有机物壳体内部的金属核体。本发明的核壳结构纳米颗粒的添加提高了电池整体的光吸收效率，最终达到提高染料敏化太阳电池的光电转化效率的目的。

公开(公告)号：CN101884108A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118746.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 奥良彰

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供一种具有低电压驱动、高驱动电流的有机薄膜晶体管、适于集成化的有机半导体装置。该有机半导体装置具有有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管具备：基板(10)；设置在基板(10)上的门极(12)；设置在门极(12)上的第1门极绝缘膜(15)；设置在第1门极绝缘膜(15)上的第2门极绝缘膜(17)；设置在第2门极绝缘膜(17)上、由第1金属层(16、18)与第2金属层(20、22)的叠层结构构成的源极(16、20)及漏极(18、22)；以及设置在源极(16、20)和漏极(18、22)之间、第2门极绝缘膜(17)之上的有机半导体层(24)。其中，第1门极绝缘膜(15)由介电常数高于第2门极绝缘膜(17)的绝缘膜构成，第2门极绝缘膜(17)由薄于第1门极绝缘膜(15)的硅氧化物膜、或低温成膜的薄的硅氧化物膜构成，且它们整体上具有叠层式门极绝缘膜结构。

公开(公告)号：CN103236350B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210365915.3

申请日：2012-09-27

Applicant: 清华大学 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 刘仿 ,  许骐 ,  黄翊东 ,  奥良彰 ,  迁村讫裕

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及新能源技术领域，本发明公开了一种染料敏化太阳能电池，其包括透明电极和对电极及位于所述透明电极和对电极之间的电解质层；所述透明电极的内侧表面设有纳米多孔半导体薄膜，所述透明电极的外侧设有透明衬底，所述对电极的外侧设有对透明衬底；所述电解质层包括电解液和染料敏化剂的混合液体；所述纳米多孔半导体薄膜中吸附有具有表面等离子体效应的核壳结构纳米颗粒。其中，所述核壳结构纳米颗粒包括PVP有机物壳体和内嵌于所述PVP有机物壳体内部的金属核体。本发明的核壳结构纳米颗粒的添加提高了电池整体的光吸收效率，最终达到提高染料敏化太阳电池的光电转化效率的目的。

公开(公告)号：CN101884108B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200880118746.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 奥良彰

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供一种具有低电压驱动、高驱动电流的有机薄膜晶体管、适于集成化的有机半导体装置。该有机半导体装置具有有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管具备：基板(10)；设置在基板(10)上的门极(12)；设置在门极(12)上的第1门极绝缘膜(15)；设置在第1门极绝缘膜(15)上的第2门极绝缘膜(17)；设置在第2门极绝缘膜(17)上、由第1金属层(16、18)与第2金属层(20、22)的叠层结构构成的源极(16、20)及漏极(18、22)；以及设置在源极(16、20)和漏极(18、22)之间、第2门极绝缘膜(17)之上的有机半导体层(24)。其中，第1门极绝缘膜(15)由介电常数高于第2门极绝缘膜(17)的绝缘膜构成，第2门极绝缘膜(17)由薄于第1门极绝缘膜(15)的硅氧化物膜、或低温成膜的薄的硅氧化物膜构成，且它们整体上具有叠层式门极绝缘膜结构。

公开(公告)号：CN101489783A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027309.8

申请日：2007-07-12

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  先锋股份有限公司

Inventor： 矢野浩之 ,  能木雅也 ,  阿部贤太郎 ,  伊福伸介 ,  下地规之 ,  奥良彰 ,  奥山优

IPC: B32B27/10 ,  B32B5/02 ,  D06M15/263 ,  D21H21/26

CPC classification number: D21H21/26 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/269 ,  Y10T442/20 ,  Y10T442/614

Abstract: 本发明提供可抑制原材料的用量、使制备步骤简化、还可以保持纤维材料的优异功能、高柔软性、低热膨胀的高透明性纤维复合材料。该纤维复合材料是具备平均纤维直径为4－200nm、50μm厚度可见光透射率为3％以上的纤维集合体，以及涂布该纤维集合体表面、使其平滑的涂层，该纤维复合材料的50μm厚度可见光透射率为60％以上。上述纤维集合体中，通过涂层涂布表面，使其平滑，由此可抑制表面的凹凸形状产生的光的散射，可获得高透明的纤维复合材料。

公开(公告)号：CN1327497C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03805149.4

申请日：2003-03-03

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 西山宪和 ,  奥良彰 ,  田中俊辅 ,  上山惟一

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明公开了一种薄膜形成方法，其制作工序包括：在基板表面形成含有表面活性剂的薄膜的表面活性剂膜形成工序、使基板和含有二氧化硅衍生物的气相接触从而形成含有二氧化硅衍生物的薄膜的气相生长工序、煅烧所述的薄膜形成的基板从而分解除去所述的表面活性剂的工序。本发明形成的电介质薄膜空孔度高，机械强度好，生产率高。