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公开(公告)号：CN101075442A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710106328.1
申请日：2007-05-14
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Abstract: 一个目的是提供一种玻璃基板，该基板具有低模塑温度，制造之后具有极佳的耐久性，还具有更少的表面缺陷；并提供信息记录介质，其具有极佳的低温加工性能和极佳的耐候性。提供了一种信息记录介质基板，其特征是该基板为包含碱金属的玻璃材料的模塑制品，所述玻璃材料的组成中至少包含B，Al，碱金属R，Zn和Si，而且它们以氧化物计摩尔比满足以下关系式：(I)0.8≤(R2O含量－Al2O3含量)/B2O3含量≤1.2，(II)9.0摩尔％≤B2O3含量≤14.0摩尔％，(III)3.0摩尔％≤Al2O3含量≤7.0摩尔％，(IV)6.0摩尔％≤ZnO含量≤18.0摩尔％，(V)40.0摩尔％≤SiO2含量其中R表示碱金属原子；该信息记录介质包括基板和形成于所述基板上的磁性层，本发明还涉及制造所述信息记录介质基板和信息记录介质的方法。
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公开(公告)号：CN1304905C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN98117574.0
申请日：1998-07-15
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: C25D11/246 , G03G5/10 , G03G5/102 , G03G5/104 , G03G5/144
Abstract: 一种用于电摄影光电导体的基体，其可达到容许值(Y20)为70μS或更低，且膜在垂直方向上的生长受到抑制，并具有均匀的高可湿性的表面。该基体是通过下述方法制得的，即用于在其表面上具有铝阳极氧化膜的电摄影光电导体铝基体，在形成铝阳极氧化膜后，用混合有磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物或双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的封闭剂进行封闭处理。将如此制得用于电摄影光电导体的基体用于电摄影光电导体中。
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公开(公告)号：CN1920962B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610116000.3
申请日：2006-08-22
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种使磁记录介质外周部的润滑层膜厚均匀化、使磁头上浮稳定化的方法。该方法用于制造具有润滑层的磁记录介质，其特征在于，在保护层上涂布液体润滑剂后，一边使磁记录介质(20)旋转，一边利用带按压器件(16)，将含有溶剂的加工带(11)同时按压在所述磁记录介质的端面和数据面的外周部，擦去所述液体润滑剂。非磁性基板的厚度优选为0.635mm以下。另外，涂布液体润滑剂后，进一步施加加热处理，再利用加工带进行擦去。
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公开(公告)号：CN101677215A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910168718.0
申请日：2009-09-07
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33592 , Y02B70/1433 , Y02B70/1475
Abstract: 本发明提供开关电源装置、开关电源控制电路和开关电源装置的控制方法，能够在任意一种动作模式中都防止电流的逆流，实现稳定的同步整流功能。在最大导通宽度控制电路(4)中，与一次侧的MOSFET的导通时刻同步对于作为同步整流元件的MOSFETQs指示最大导通宽度的开始，并且生成在规定时间后指示最大导通宽度的结束的最大导通宽度结束信号(Tmot2)。在同步控制电路(5)中，当生成Qs的同步驱动信号(Vgs)时，使Qs导通的时刻，与指示最大导通宽度的开始的时刻、或者通过Qs的漏极·源极间电压(Vds)检测的内置二极管Ds的导通时刻的任意一个较迟的时刻同步而确定，使Qs关断的时刻，与一次侧的MOSFET的关断时刻、或者指示最大导通宽度的结束的时刻的任意一个较早的时刻同步而确定。
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公开(公告)号：CN101582643A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910138680.2
申请日：2009-05-14
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 西川幸广
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/3376 , H02M2001/0058 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明提供一种开关电源，抑制开关电源中特别是开关频率的增加，使变换效率提高。作为形成开关电源的开关元件(Q1、Q2)的开关控制控制电路，设置：将直流输出电压控制在一定的设定值的误差放大部；用于根据该误差放大部的输出信号控制开关频率的振荡电路；根据输出信号，按照使元件(Q1、Q2)的接通时间彼此相等的方式进行脉冲宽度控制的脉冲宽度控制部PWM等，在输出信号为阈值电平以上时，基于振荡电路(VCO)的输出控制元件(Q1、Q2)的开关，在输出信号低于阈值电平时，将开关频率固定，并基于脉冲宽度限制部(PWM)的输出控制元件(Q1、Q2)的开关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101540321A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910138719.0
申请日：2009-02-06
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/36
Abstract: 主要半导体元件的表面结构和第一P阱24b位于N－漂移层23的主表面中。温度检测二极管22由位于第一P阱24b中的N阱25中的P+阳极区26以及位于P+阳极区26中的N+阴极区27构成，以使得温度检测二极管22通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25和P+阳极区26短路以阻止由寄生晶闸管引起的闩锁击穿。温度检测二极管22′位于N－漂移层23′的第一主表面中的第一P阱24b′中的N阱25′中。主要半导体元件位于N－漂移层23′中。温度检测二极管22′通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b′具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25′的一侧被具有比第一P阱24b′浓度高的P+高浓度区28′围绕，以使得横向npn晶体管的激活能够被抑制。结果，可以提供一种装备有主要半导体元件和温度检测元件的半导体器件，其中：温度检测元件的温度特性能够与主要半导体元件的元件状态无关而保持不变；能够获得高闩锁容限；以及获得高温度检测精度。
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公开(公告)号：CN100541714C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710137935.4
申请日：2007-07-17
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 加藤勉
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/308 , G03F7/00 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供了半导体装置的制造方法及其制造装置。本发明的课题为在制造半导体装置时抑制制造成本，同时形成高精度的图案。印刷器具(100)具备贴付有形成图案的乳剂(3)的丝网结构(2)。丝网结构(2)的下侧配置晶片(6)，从丝网结构(2)的上侧滴下具有触变性的包含颗粒成分的印刷抗蚀剂材料(9)。接着，一边施加压力一边刮扫刮浆板(8)，在丝网结构(2)上牵拉印刷抗蚀剂材料(9)，在晶片(6)上转印印刷抗蚀剂材料(9)。接着，对印刷抗蚀剂材料(9)进行加热，形成印刷抗蚀膜(11)。然后以印刷抗蚀膜(11)为掩模对晶片(6)进行加工。其后使用N-甲基-2-吡咯烷酮(16)等抗蚀剂去除溶剂，从晶片(6)上去除印刷抗蚀膜(11)。
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公开(公告)号：CN100530645C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610095926.9
申请日：2006-06-23
Applicant: LG电子株式会社 , 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 野见山贵弘
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L23/50 , G09G3/296 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种设有用于外部连接的端子的半导体器件，其中输入端子11、电源端子12和接地端子13被彼此紧靠地设置在两个相对边缘部分中的一个边缘部分10b的一部分上。输出端子14x被设置在该两个边缘部分中的一个边缘部分10a的两端附近以及另一边缘部分10b上。接地布线17从另一边缘部分10b开始布线并连接到接地端子13。如此，连接到输入端子11的构成器件彼此紧靠地设置，由此不会在构成器件之间出现无用的间隙。还通过接地布线提供接地电势。
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公开(公告)号：CN101494421A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910126710.8
申请日：2009-01-22
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 西川幸广
CPC classification number: H02M3/337 , H02M2001/0058 , Y02B70/1433 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明提供开关电源装置，该开关电源装置的变换效率高且能够实现小型化。在直流电源之间连接由开关元件(Q1)和(Q2)的串联连接电路构成的半桥电路，在其输出端连接2个晶体管(T1、T2)的初级电感(Lr1、Lr2)和电容器(Cr)的串联电路，使其进行串联共振动作，并以导通占空比0.5控制开关元件(Q1、Q2)，由此，能够降低次级侧整流二极管(D1、D2)的耐压，提高变换效率。
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公开(公告)号：CN100517471C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510084478.8
申请日：2005-07-07
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/85
Abstract: 本发明的目标是提供垂直介质，像生产连续膜介质的传统工艺那样，用简单方法形成底层的隔离结构，它能抑制排列的分散度，减小磁记录层中的磁簇尺寸。垂直介质还因底层膜的厚度较薄而具有较高的记录密度。垂直磁性记录介质是包含依次层压在非磁性基材上的至少一个底层和一个磁性记录层。底层由晶粒和无定形晶粒边界组成，晶粒的形状满足如下关系：(生长起始阶段底部区域的面积)＞(顶部区域的面积)。
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