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公开(公告)号：CN100517471C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510084478.8
申请日：2005-07-07
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/85
Abstract: 本发明的目标是提供垂直介质，像生产连续膜介质的传统工艺那样，用简单方法形成底层的隔离结构，它能抑制排列的分散度，减小磁记录层中的磁簇尺寸。垂直介质还因底层膜的厚度较薄而具有较高的记录密度。垂直磁性记录介质是包含依次层压在非磁性基材上的至少一个底层和一个磁性记录层。底层由晶粒和无定形晶粒边界组成，晶粒的形状满足如下关系：(生长起始阶段底部区域的面积)＞(顶部区域的面积)。
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