公开(公告)号：CN1304905C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN98117574.0

申请日：1998-07-15

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 矢萩秀隆 ,  田村幸久 ,  坂口雅章 ,  中岸丰

IPC: G03G5/10 ,  C25D11/24

CPC classification number: C25D11/246 ,  G03G5/10 ,  G03G5/102 ,  G03G5/104 ,  G03G5/144

Abstract: 一种用于电摄影光电导体的基体，其可达到容许值(Y20)为70μS或更低，且膜在垂直方向上的生长受到抑制，并具有均匀的高可湿性的表面。该基体是通过下述方法制得的，即用于在其表面上具有铝阳极氧化膜的电摄影光电导体铝基体，在形成铝阳极氧化膜后，用混合有磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物或双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的封闭剂进行封闭处理。将如此制得用于电摄影光电导体的基体用于电摄影光电导体中。