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公开(公告)号：CN1304526C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03819937.8
申请日：2003-08-14
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: C09K11/7735 , A61L2/10 , A61L9/20 , C02F1/32 , C02F2201/3226 , C02F2303/04 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7707 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7749 , C09K11/775 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , H01J61/44
Abstract: 本发明涉及一种借助激发物放电产生辐射的装置，装配有其放电空间(2)用气体填充物填充的至少部分透过UV的放电舱(1)、在放电空间内用于激发和保持激发物放电的构件(4，5)，以及包含发光化合物的涂层(3)。发光化合物具有下列组成：(Ca1-x-2ySrK)Li2Si1-zGezO4:LnyMy，其中Ln是选自Ce3+、Pr3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Er3+、Tm3+和Yb3+的阳离子，M是选自Na+、K+和Rb+的阳离子，0≤x≤0.1，0.001≤y≤0.2，以及0≤z≤1。涂层(3)优选包含Ca1-2yLi2SiO4:PryNay，0.001≤y≤0.2。具有包含Ca1-2yLi2SiO4:PryNay，0.001≤y≤0.2的涂层(3)的装置可用于消毒的目的。
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公开(公告)号：CN1855177A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077765.0
申请日：2006-04-21
Applicant: 则武伊势电子株式会社 , 诺利塔克股份有限公司
CPC classification number: H01B1/08 , C09K11/025 , C09K11/55 , C09K11/574 , C09K11/595 , C09K11/612 , C09K11/623 , C09K11/642 , C09K11/7703 , C09K11/7729 , C09K11/7789 , H01J29/20 , H01J2329/20 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明的目的是通过添加作为少量的赋予导电性材料的导电性氧化物纳米粒子，采用简单的制造工序提供可以提高辉度的低速电子射线用荧光体，其制造方法与使用该低速电子射线用荧光体的荧光显示管，该荧光显示管在荧光体粒子表面粘附着导电性氧化物纳米粒子，上述导电性氧化物纳米粒子的平均粒径是5～100nm，上述导电性氧化物纳米粒子相对于荧光体全部含0.01～10重量％，荧光显示管使用上述低速电子射线用荧光体。
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公开(公告)号：CN1821343A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610006782.5
申请日：2006-02-05
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7703 , C09K11/02 , H01J29/20 , H01J2329/20 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
Abstract: 本申请公开了一种SrTiO3∶Pr荧光体，其包括SrTiO3∶Pr荧光材料和以单质和/或化合物的形式包括一种或多种选自W、Mo和V中元素的添加剂。所述添加剂中所述一种或多种元素的总量为所述SrTiO3∶Pr荧光体的0.1重量％至30重量％。所述添加剂是WO3，并且所述WO3的粒径分布满足粒径在0.2至0.4微米之间的WO3颗粒的重量不低于WO3总重量的70％。本申请还涉及包含所述SrTiO3∶Pr荧光体的荧光灯管。
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公开(公告)号：CN1820551A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200380106894.2
申请日：2003-12-05
Applicant: 伊菲雷技术公司
Inventor： 刘国
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/574 , C09K11/7702 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/773 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7745 , C09K11/883 , C09K11/886 , H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/22 , Y10S428/917 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种新颖的结构，以改善用在交流厚膜介电电致发光显示器内的荧光体的亮度和工作稳定性。该新颖结构包括与荧光膜接触的氮化铝阻挡层，用来避免由于与氧的反应而引起的荧光体的恶化。该阻挡层可以采用与用来沉积和退火荧光膜的工艺相适合的真空沉积工艺进行沉积。本发明特别适用于在采用厚介电层的电致发光显示器内使用的荧光体，在高处理温度下形成并激活荧光膜。
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公开(公告)号：CN1682570A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821675.2
申请日：2003-09-09
Applicant: 伊菲雷技术公司
Inventor： 亚历山大·科夏奇科夫
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/886 , H05B33/10 , H05B33/22 , Y10S428/917
Abstract: 提供一种新颖的结构，用以改善在ac厚膜电介质电致发光显示器中使用的基于硫代铝酸盐的磷光体的操作稳定性。该新颖的结构包括，稀土激活的碱土硫代铝酸盐磷光体薄膜层；和氧氮化硅层，其提供在直接相邻于该磷光体薄膜层的顶部和/或底部，其中所述氧氮化硅层包括组分Si3NxOyHz，其中2≤x≤4，0＜y≤2且0≤z≤1。本发明特别适用于电致发光显示器中使用的磷光体，该电致发光显示器使用了经历高工艺温度以形成和激活磷光体膜的厚电介质层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1522291A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN03800454.2
申请日：2003-03-20
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/52 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C04B35/44 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/764 , C09K11/0883 , C09K11/77 , C09K11/7702 , C09K11/7703 , C09K11/7728 , C09K11/773 , C09K11/7731 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种氮化物荧光体，其制造方法及发光装置，提供含有较多的红色成份且发光效率和亮度更高，而耐久性也更高的荧光体及其制造方法，为此，在通式LXMYN((2/3)X+(4/3)Y)：R或LXMYOZN((2/3)X+(4/3)Y－(2/3)Z)：R(L选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn所组成的第II族元素的至少1种以上，M选自C、Si、Ge的中Si为必须的第IV族元素的至少1种以上，R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu的中Eu为必须的稀土类元素的至少1种以上)所表示，其吸收具有峰值波长为500nm以下的第1发光光谱的光的至少一部分、并将具有在520～780nm的范围内具备至少1个以上的峰值的第2发光光谱的光发光的氮化物荧光体(基底氮化物荧光体)的中，进而含有不同的元素。
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公开(公告)号：CN1086002C
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN95117108.9
申请日：1995-09-16
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7703 , C09K11/7718 , C09K11/7731 , C09K11/7746
Abstract: 本发明公开的是一种荧光体，它适用作荧光显示器，在1千伏或者更低的驱动电压下驱动，且不含S和Cd。将按预定量的Ti、碱土金属和周期表中第III族中的元素的化合物加热到1100至1400℃锻烧，结果导致在由碱土金属和Ti的氧化物制成的荧光体基质中形成稀土元素和一种第III族中的元素的固溶体。该荧光体的例子是显现红光的SrTiO3:Pr，Al。
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公开(公告)号：CN108117872A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711379240.7
申请日：2017-12-20
Applicant: 大连智讯科技有限公司
Inventor： 谷亚男
IPC: C09K11/66
CPC classification number: C09K11/7746 , C09K11/7703 , C09K11/7731
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，提供一种稀土掺杂的长余辉材料及其制备方法，所述稀土掺杂的长余辉材料的化学组成：CaSnO3:aR,bM，其中，R为Tb、Eu、Tm、Er中的至少一种，M为Li、Na、K中的至少一种；a＝0.1-10mol％，b＝0.1-10mol％。本发明制备的长余辉材料粒径均匀细小、稳定性好，发光颜色更丰富、余辉发光时间更长，发光效率得到了很大提高。
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公开(公告)号：CN107298975A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201610820517.4
申请日：2016-09-13
Applicant: 中原大学
IPC: C09K11/06 , C09K11/80 , C09K11/59 , C09K11/64 , C09K11/56 , C09K11/78 , C09K11/62 , C09K11/79 , H01L33/50
CPC classification number: C09K11/06 , C09K11/08 , C09K11/7721 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , C09K11/7786 , C09K2211/00 , C09K11/7706 , C09K11/562 , C09K11/592 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7784 , H01L33/502
Abstract: 本发明公开了一种荧光粉组成及使用荧光粉组成的发光二极管装置，荧光粉组成包括：第一荧光粉及第二荧光粉，第二荧光粉包括黄柏萃取物，其中，黄柏萃取物以波长300nm至480nm的光源激发后，会放射出波长介于450nm至750nm的光线。荧光粉组成及使用荧光粉组成的发光二极管装置可发出波长介于400nm至800nm的暖白光。
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公开(公告)号：CN106433641A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610801313.6
申请日：2016-09-05
Applicant: 中南大学
Inventor： 张元波 , 苏子键 , 姜涛 , 李光辉 , 韩本来 , 刘兵兵 , 范晓慧 , 黄柱成 , 彭志伟 , 郭宇峰 , 杨永斌 , 李骞 , 陈许玲 , 甘敏 , 徐斌 , 张鑫 , 路漫漫 , 陈迎明 , 杜明辉 , 刘继成 , 欧阳学臻
IPC: C09K11/78
CPC classification number: C09K11/7731 , C09K11/7703 , C09K11/7746
Abstract: 本发明公开了一种低温固相反应法制备稀土掺杂锡酸钙荧光材料的方法，该方法是将锡源、炭粉、钙源及稀土氧化物混合球磨后，造块、干燥；所得干燥块料先置于含CO和CO2的混合气氛中进行一次焙烧，再置于含O2气氛中，进行二次焙烧，即得稀土掺杂锡酸钙荧光材料；该方法与传统高温固相反应法制备稀土掺杂锡酸盐荧光材料的方法相比，焙烧温度低、焙烧时间短，产品荧光性能更优良。
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