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公开(公告)号：CN109560163B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811405317.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点修饰的GaAs纳米线探测器及这种探测器的制备方法，该方法是用Sb2S3量子点修饰采用(NH4)2S钝化液钝化处理后的GaAs纳米线，然后用这种硫钝化处理且包覆有Sb2S3量子点的GaAs纳米线进行探测器器件的制备。对GaAs纳米线进行表面硫钝化处理，降低了GaAs纳米线的表面态密度，提高探测器中载流子寿命，进而提高GaAs纳米线探测器的响应度，用量子点对GaAs纳米线包覆这使量子点与GaAs纳米线材料间构成Ⅱ型能带结构，光照下量子点的光载流子注入到GaAs纳米线中，提高GaAs纳米线探测器器件响应度，同时防止了钝化层被再次氧化，进而提高GaAs纳米线探测器的探测性能，解决现有GaAs纳米线探测器器件响应度较差的问题。
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公开(公告)号：CN109534279B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811411998.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米线阵列器件的制备方法，该方法通过在生长纳米线的衬底上制备AlxGa1‑xAs薄膜作为牺牲层，纳米线生长在AlxGa1‑xAs上，用溶于丙酮溶液中的PMMA材料旋涂在纳米线样品表面完成PMMA对纳米线的固定。将被PMMA固定的纳米线样品放入HF酸腐蚀液中，利用HF酸对AlxGa1‑xAs具有腐蚀作用，而HF酸对GaAs或InAs、PMMA没有腐蚀作用，从而使衬底表面的AlxGa1‑xAs被腐蚀掉，GaAs纳米线及PMMA材料不与HF酸反应被完整的保留而得到可迁移的GaAs或InAs纳米线阵列。随后，在可迁移的纳米线阵列材料上表面制备p型金属电极，下表面制备n型金属电极，完成电极制备后将样品放进丙酮或甲苯溶液中浸泡除去PMMA并清洗干净后自然风干，获得GaAs或InAs纳米线阵列器件，解决现有技术中获得纳米阵列器件存在工艺困难的难题。
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公开(公告)号：CN111009497A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911421077.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01S5/024
Abstract: 本发明涉及新型衬底材料技术领域，提供了一种高导热率半导体衬底，所述高导热率半导体衬底中半导体基底背面为连续沟槽结构，所述连续沟槽结构的内表面被类金刚石薄膜覆盖；所述连续沟槽结构的深度为8～12μm。本发明将高导热率半导体衬底的沟槽结构设计成连续的，然后在连续沟槽的内表面覆盖类金刚石薄膜，利用类金刚石薄膜的高热导特性以及连续沟槽结构，使得本发明提供的半导体衬底在具有纵向高效散热的同时，兼具横向散热的优势，有效提高了半导体衬底的导热效率。本发明提供的半导体衬底在纵向及横向均能高效散热，大大提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN111009496A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911411742.2
申请日：2019-12-31
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法。本发明提供的衬底背面具有周期孔洞结构，周期孔洞结构中制备了表面和衬底背面齐平的金刚石薄膜，增加了衬底材料与金刚石的接触面积，提高了衬底的热导率，利用本发明提供的衬底制备光电子器件，器件背面周期孔洞结构中的的金刚石薄膜可以将器件芯片产生的废热快速的传递到热沉中，提高器件的散热效率，提高器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN110658576A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910969924.5
申请日：2019-10-12
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本申请属于光栅技术领域，特别是涉及一种亚波长光栅及其制备方法。目前用于VCSEL的HCG，其材料通常采用Si/SiO2等材料，可以在提供高反射率的同时达到很大的带宽，但因与广泛使用的GaAs基VCSEL的材料体系不同，需要额外通过PECVD等其他方式进行Si/SiO2等薄膜的制备，且存在由于不同材料体系之间热膨胀系数的差异大而导致材料之间的应力问题以及薄膜的牢固度问题，影响器件的稳定性。本申请提供了一种亚波长光栅，包括依次设置的低折射率亚层、应力缓冲层和高折射率亚波长光栅层。应力缓冲层可有效改善氧化过程产生的收缩应力，这些对提高HCG长期工作的稳定性具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106785915B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201611100374.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体光放大器，特别涉及一种具有抛物线形曲面波导结构的GaAs基半导体光放大器。该半导体光放大器材料为GaAs基材料体系，在N型GaAs衬底上依次外延N型AlxGa1‑xAs缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、N型N‑AlxGa1‑xAs下波导层、InxGa1‑xAs量子阱有源区、P型AlxGa1‑xAs上波导层、P型AlGaAsSb上限制层。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层为具有抛物线形曲面结构，该结构可使抛物线形曲面尖端具有更高的光子密度，提高半导体光放大器的模式体积，使其具有更高的增益，同时该抛物线形曲面波导结构有利于压缩半导体光放大器的发散角，实现高功率输出，提高光纤耦合效率。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层的抛物线形曲面结构通过电子束曝光或紫外光刻，然后采用干法与湿法相结合的刻蚀工艺制备得到。
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公开(公告)号：CN106410605B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201611091156.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明公开了一种发光效率增强的半导体激光器。该激光器是在传统半导体激光器制备工艺基础上，采用高真空设备在超高真空环境中对激光器外延片进行解理并进行腔面金属纳米颗粒及腔面膜制备。本发明公开的这种激光器在激光器谐振腔面制备均匀分布的金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒的自由电子与入射电磁波耦合，引起自由电子集体震荡，产生增强的局域电场，提供强大的近场增强效应，增强激光器有源区载流子的辐射复合，实现半导体激光器器件发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN109267300A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811304132.8
申请日：2018-11-05
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种紫外LED洗衣球，包括洗衣球球体、多个内外连接的通光小孔、磁感线圈、整流电路、若干紫外LED、多块天然磁石、石英玻璃。本发明的主体为新型软透明PVC材料的洗衣球球体。所述球体上分布着许多LED通光小孔，用于固定紫外光LED和辅助光线传播。所述球体外球面有大小不一的摩擦凸起。根据紫外光波长杀死细菌与病毒的效率，最终选择紫外光波段为200～280nm，由于该波段光线穿透能力弱，本发明采用LED通光小孔，作用固定紫外LED与辅助紫外光传播。所述电源供给装置通过晃动发电，解决了洗衣球电池不易更换的缺点。天然磁石可对水流产生磁化作用，抑制细菌及病毒生长在水中的生长。本洗衣球在具有良好的洗衣效果的同时，也具有高效消毒杀菌的能力。
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公开(公告)号：CN103545706B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201310389409.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S3/109
Abstract: 本发明提供的一种全固态355nm激光器包括反射镜A(1)、泵浦源(2)、Nd:YAG晶体(3)、调制器(4)、偏振分光镜(5)、非线性光学晶体A(6)、输出镜A(7)、输出镜B(8)、45度反射镜A(9)、45度反射镜B(10)、二向色镜(11)、聚焦光学系统(12)、紫外分光镜(13)、非线性光学晶体B(14)、反射镜B(15)和紫外激光输出镜(16)；利用偏振分光镜(5)将Nd:YAG晶体(3)发射的1064nm波长光分解成两个偏振方向相互垂直的o光和e光，并各自形成激光器的谐振腔，其中的1064nm波长e光倍频获得532nm绿光，该532nm绿光与1064nm波长o光通过非线性光学变换来产生355nm激光。与现有技术相比，本发明的优点在于：该激光器解决了Nd:YAG晶体三倍频时偏振失配问题，具有高的三倍频转换效率。
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公开(公告)号：CN108183391A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810006341.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置，使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流，解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题，以Te单原子分子形式可实现掺杂浓度达到1×1019cm-3及以上，满足2μm波段GaSb基半导体激光器器件制作要求。
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