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公开(公告)号：CN107346975A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710488915.5
申请日：2017-06-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种SAR型ADC的高精度校准装置，包括比较器，比较器的负向输入端和正向输入端之间一次连接有高位电容阵列和低位电容阵列；高位电容阵列与高位和偏移误差校准模块连接，低位电容阵列与低位和桥接电容校准模块连接；高位电容阵列和低位电容阵列通过开关阵列控制与数字控制逻辑的导通；其中开关阵列通过refp/refn方式连接；所述高位和偏移误差校准模块包括第一增益电容，便宜误差校准与多个高位电容校准并联，第一增益电容与其连接；所述低位和桥接电容校准模块包括第二增益电容，第二增益电容余低位校准单元连接。能够对电容的匹配性误差、寄生电容引入的误差以及桥接电容的精度误差进行全方位校准，大幅度提高了ADC的整体转换精度。
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公开(公告)号：CN120016824A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510227092.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明属于模拟集成电路设计技术领域，具体涉及一种通用型低功耗片上负压产生电路，本发明主要包括包括负压电荷泵产生模块、环形振荡器、第一电容、第二电容和低通滤波器；不需要基准电压、反馈网络、非交叠时钟及复杂的振荡电路，通过反相器互联产生振荡输出，输出频率不影响负压电荷泵输出值；通过多路选通二极管阵列，将幅值介于二极管阈值电压和‑vdd之间的周期信号转化为较为稳定的负压信号；然后通过低通滤波，给运算放大器提供一个稳定的负压地。
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公开(公告)号：CN119946459A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510004210.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/706
Abstract: 本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法；所述控制电路包括用于输出光电信号的输出电路和用于输入光电信号的读出电路，所述输出电路包括复位管S4、传输管S5、输出管S6、源跟随管S10、比较单元、开关S8、开关S7以及光电信号存储电容；本发明采用像素级光电信号存储和比较方式，确定后一次图像与前一次图像在单个像素的上变化情况，对变化信号进行量化并标识位置信息，极大的缩短了量化和处理时间，大幅降低了功耗和提升了帧频，对目标检测、跟踪、边境监测等事件发现应用场景具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113992871B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111277400.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器芯片级ADC的双位移位校正系统，包括依次连接的SH电路、多级串联的编码器电路和flash ADC电路，SH电路用于电荷分享或者电容翻转结构实现，每级编码器电路输出4位数字码，含两位校正码；根据电容的电荷守恒原理，采用电荷分享采样技术，实现了双位移位校正功能，每级4bit输出，两位校正算法，级间闭环增益只有4倍，采用非交叠时钟控制，前级采样，后级放大输出，流水线工作，降低了级间闭环增益，降低了后级量化范围，提升了校正区间，对于ADC的整体性能提升具有显著效果。采用多级串联的编码器电路，可有效降低系统功耗、提升量化输入摆幅并极大提升SFDR等关键动态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN116599533A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310685603.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于DICE和Miller‑C结构的抗辐射采样器电路结构，属于集成电路设计领域，本电路结构包括DICE模块和Miller‑C模块，DICE模块能够通过相邻节点之间的冗余数据恢复被单粒子轰击的存储节点的存储数据，从而提升整个电路结构在求值和保持阶段的抗辐射和抗干扰能力；通过与DICE模块相配合的Miller‑C模块，将采集到的数据样本，即存储节点中的存储数据进行冗余合并以及缓冲并输出，从而避免单粒子瞬态脉冲直接输出，两个模块协同配合下，大大提高了采样器的抗单粒子辐射能力；本采样器电路结构的原理和结构简单，便于制作和实施，具有良好的推广应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992863B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110222735.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L31/02 , H01L25/065 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供了一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器，包括光电探测器本体，所述光电探测器本体包括靠近光线由顶至底设置的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆依次叠加设置；所述第一晶圆上装配有若干个可见光像元和读出电路；所述第二晶圆上装配有若干个红外读出电路；所述第三晶圆上装配有若干个红外像元阵列；第一晶圆与第二晶圆硅片键合设置，所述第三晶圆通过第一晶圆与第二晶圆硅片键合后互联设置，实现可见光波段图像和红外波段图像的探测，该光电探测器结构简单，操作方便，便于在复杂的光照条件下进行成像，满足星体追踪，目标识别，深空探测等多领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN111181564B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202010172482.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种SAR型ADC的增益误差的校准装置及其校准方法，属于ADC转换增益误差的校正领域。本发明的校准装置，引入增益误差校准电容阵列对增益误差进行校准，可有效减小增益误差，提高ADC的转换精度。该增益误差校准技术具有双极性增益误差可校准性；该增益误差校准具有校准精度可调节性，可对不同极性和幅度的增益误差实现调整。本发明的校准方法，在校准时不影响正常的AD转换。
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公开(公告)号：CN110311656B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201910592610.8
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/012 , H03K3/013 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的异步复位和置位D触发器，时钟信号输入电路分别与时钟信号输入端C、可控电阻‑电容滤波结构的主锁存器和可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器连接；SEU监测电路分别与可控电阻‑电容滤波结构的主锁存器及可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器连接；可控电阻‑电容滤波结构的主锁存器分别与数据信号输入端D、复位信号输入端R、置位信号输入端SN及可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器连接；可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器分别与复位信号输入端R、置位信号输入端SN及输出电路连接；输出电路与第一输出端Q及第二输出端QN连接。
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公开(公告)号：CN112019779B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010858423.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明为一种超大阵列图像传感器的校准型面阵驱动电路及方法，包括行驱动电路A、行驱动电路B和驱动校准电路；所述行驱动电路A和行驱动电路B的版图结构相同，分别连接像元面阵，对像元面阵产生驱动信号；所述驱动校准电路的输入端连接产生图像传感器控制信号的状态机的输出端，驱动校准电路的输出端分别连接行驱动电路A和行驱动电路B的输入端；所述驱动校准电路将状态机输入的控制信号分为两路，一路控制信号通过延时校准后输出至行驱动电路A，另一路控制信号直接输出至行驱动电路B。本发明实现了对像元阵列的可靠控制，支持芯片的拼接复用，具有设计结构简单、可移植性强，可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN110232251B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910528445.X
申请日：2019-06-18
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F30/3312
Abstract: 本发明公开了一种适用于时序开关电路的噪声仿真分析方法，包括以下步骤：1)对时序开关电路进行瞬态仿真，并输入一个定频信号，电路的输出端输出仿真结果；2)对仿真结果进行采样，采样间隔为Tsample，得到离散采样序列；3)对离散采样序列进行频域变换，获得其频谱信息；4)根据频谱信息计算电路噪声；其中，Tsample为时序开关电路的工作周期，Tsig/Tsample>2，Tsig为定频信号的周期；定频信号的振幅在时序开关电路的大信号输入摆幅范围内；避免了交流仿真中由于电路大信号工作状态固定造成的噪声采样不完整。
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