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公开(公告)号：CN119905480A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906660.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基板结构、智能功率模块、控制器、电器及基板制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷覆铜基板和多个衔接柱体，陶瓷覆铜基板上设置有至少两个上芯区域。衔接柱体固定连接于陶瓷覆铜基板上，且多个衔接柱体对每个上芯区域形成围绕，衔接柱体与键合线的中间区域形成电性连接。从而可以通过衔接柱体，来作为键合线的中间衔接点，在新增芯片的情况下，键合线能够在电性连接过程中，弯折形成多段线段来减少键合线之间的交叉接触，且避免键合线由于线弧过长导致塌线与其他键合线发生接触的问题，提高了智能功率模块的基板结构的结构兼容性，降低了智能功率模块在产品迭代时的生产成本和缩短了研发周期。
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公开(公告)号：CN119901974A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906652.1
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管电容检测电路和方法，该电路包括：控制器、绝缘栅双极晶体管、电容表、第一电容和第二电容；第一电容的一端与绝缘栅双极晶体管的栅极连接，第一电容的另一端与电容表的一端连接；电容表的另一端与绝缘栅双极晶体管的发射极连接；第二电容的一端与绝缘栅双极晶体管的发射极连接，第二电容的另一端与绝缘栅双极晶体管的集电极连接；控制器，用于获取第一电容的电容值和电容表检测的电容值，并根据第一电容的电容值和电容表检测的电容值，确定绝缘栅双极晶体管的输入电容的电容值，从而可以精准检测出输入电容的电容值，为绝缘栅双极晶体管的开关速度和开关损耗的动态参数测试提供准确的设计方向。
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公开(公告)号：CN119891690A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411893451.2
申请日：2024-12-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02M1/00 , H01L23/52 , H01L23/495 , H01L21/60 , H02M1/42 , H02M7/00 , H02M7/5387 , H02M5/458
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块、智能功率模块的制作方法和芯片，该智能功率模块，包括：基板，以及集成在基板上的逆变功率芯片、功率因数校正功率集成电路、多个驱动芯片和引线框架；引线框架包括多个独立管脚；逆变功率芯片，分别与多个独立管脚中对应的独立管脚和多个驱动芯片连接；多个驱动芯片，分别与多个独立管脚中对应的独立管脚连接；功率因数校正功率集成电路，分别与多个独立管脚中对应的独立管脚连接。提高了智能功率模块的集成度，只需要少量的外围电子元器件完成配合工作，同时也缩短了电路的长度，减少了系统的杂散电感，起到了降本增效的作用，极大的提高了市场竞争力。
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公开(公告)号：CN119815878A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411738751.3
申请日：2024-11-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型金氧半场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。其包括外延基底、栅组件以及第一埋层，外延基底具有一外延表面，由外延表面向内设置有多级沟槽，多级沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，且外延基底采用N型离子掺杂。栅组件包括两个栅极，且两个栅极分布于第二沟槽的两侧。第一埋层位于多级沟槽的底部且向外延基底内延伸设置，第一埋层为P型离子掺杂结构，且P型离子的掺杂浓度大于外延基底的N型离子的掺杂浓度。晶体管在承担反向耐压时，第一埋层与外延基底之间形成内建电场，且由于第一埋层的浓度较大，电场拓展速率慢，从而降低晶体管的沟槽拐角处对栅组件的栅氧化层造成损伤的风险。
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公开(公告)号：CN119521686A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411322869.8
申请日：2024-09-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种二极管、功率模块及电子设备，二极管包括基体层和设于基体层上的第一金属层和至少两个电阻；第一金属层包括第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极用于形成二极管的第一连接端子；第二金属电极与至少一个电阻连接，用于形成二极管的第二连接端子。从而，在第一金属电极电连接构成的电路结构中，二极管的阻值为二极管的自身的内阻，在第二金属电极电连接构成的电路结构中，二极管的阻值为二极管自身的内阻与第二金属电极所连接的电阻的阻值之和，因此使得二极管可以具有至少两种不同的阻值档位，适用于至少两种阻值范围的电路结构，有助于扩大二极管的适用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118738105B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411210428.9
申请日：2024-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和用电器，涉及半导体领域。绝缘栅双极型晶体管包括：超结结构、场截止层、P型集电极、背面金属、N型载流子存储层、P型基区、N型发射极、第一栅、第二栅、介质层以及正面金属；超结结构由漂移区和半导体区组成，场截止层、P型集电极和背面金属依次层叠，位于超结结构的第二侧，且场截止层靠近超结结构；N型载流子存储层、P型基区、介质层和正面金属依次层叠，位于超结结构的第一侧，且N型载流子存储层靠近超结结构。本申请超结结构形成的横向电场会加快空穴的移除进而减少了空穴在P型基区和介质层底部的积累，进而优化了绝缘栅双极型晶体管的EMI，减小了正向开通损耗。
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公开(公告)号：CN117872084A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311766236.1
申请日：2023-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请公开一种电路板测试数据分析系统及方法，包括：工控机、PXI集成机箱和接口适配器，工控机与PXI集成机箱通信连接，PXI集成机箱与接口适配器连接，接口适配器用于连接待测电路板；工控机用于响应于待测电路板与接口适配器的连接操作，为待测电路板分配PXI集成机箱中的PXI测试通道；PXI测试通道与待测电路板的第一测试项对应；PXI集成机箱用于基于PXI测试通道，获取待测电路板对应PXI测试通道的测试数据；工控机用于将测试数据输入训练后的网络模型，输出待测电路板的第二测试项的预测测试结果；第二测试项为在第一测试项之后进行的测试项；工控机用于显示预测测试结果。该系统能对PCBA的多个测试内容进行全面测试，同时预测可能测试结果，提升测试效率。
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公开(公告)号：CN117293034A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311192697.2
申请日：2023-09-14
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L27/07 , H01L21/82
Abstract: 本申请提供了一种UMOSFET器件制备方法及器件。方法包括：在预处理后的衬底原料的上表面进行离子注入处理得到嵌入衬底原料的P型基区注入区、第一P+注入区和N+注入区；在N型外延层的上表面进行刻蚀处理形成碳化硅沟槽；对碳化硅沟槽进行多晶硅沉积，得到填充碳化硅沟槽的多晶硅栅电极；在第一P+注入区的上表面、N+注入区的上表面和多晶硅栅电极的上表面进行沉积处理得到正面欧姆金属接触区；在N型外延层的不存在正面欧姆金属接触区的上表面进行肖特基金属沉积处理得到肖特基接触区；在预处理后的衬底原料的下表面进行金属化得到背面漏极金属区。由于JBS二极管的P+和N‑结形成的耗尽区接触，优化器件的反向恢复性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN115633478A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211288556.6
申请日：2022-10-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及电子器件技术领域，本申请公开一种功率模块及电子器件。其中功率模块，包括盖体、底座及弹性组件，底座开设有容纳芯片的容纳腔，所述容纳腔具有开口，弹性组件设置于盖体与底座之间，所述盖体压缩所述弹性组件封盖所述开口，所述盖体与所述底座可拆卸连接。与现有技术相比，通过在盖体与底座之间设置弹性组件，当需要拆卸盖体时，弹性组件给盖体与底座相对远离的弹力，进而提高盖体的拆卸效率，减小拆卸盖体过程中的误操作，避免对功率模块造成二次损伤，提高失效分析的检测精度。
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公开(公告)号：CN115295518A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210819321.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点。基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险。
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