-
公开(公告)号：CN119255467A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411519066.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05H1/46
Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域，公开了一种远程等离子源腔体，包括环形真空腔、进气口、出气口、磁芯组件和点火线圈；所述环形真空腔包括多个依次首尾连接形成闭环流道的直线腔道，至少一个所述直线腔道上缠绕有所述磁芯组件，所述进气口和所述出气口分别连接在两个不同的所述直线腔道上；任意相邻的两个所述直线腔道的连接处均设置有调节电极对，所述调节电极对用于产生偏转电场，以驱使气流中的带电粒子转向以避免所述带电粒子与所述环形真空腔的周向侧壁接触；能够延长腔体使用寿命、提高等离子体纯度、改善等离子体均匀性和稳定性。
-
公开(公告)号：CN115637490B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211378289.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
-
公开(公告)号：CN116306058A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310608061.5
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
-
公开(公告)号：CN115493744A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
-
公开(公告)号：CN114720048B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210648150.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114964613A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210917065.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括：腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件，所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿，所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室，并与所述外壳围成参考腔，所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽，所述张紧组件设置在所述参考腔内，所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片，且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调；可对感应膜片进行多次张紧，提高真空计的测量精度和使用寿命。
-
公开(公告)号：CN114871941A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210443467.8
申请日：2022-04-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于化学机械抛光技术领域，公开一种抛光头及抛光机，抛光头包括用于安装待抛光工件的安装盘、用于安装安装盘的环形安装板、用于安装环形安装板的底板、用于驱动所述底板向下移动的移动驱动件、用于驱动底板转动的第一转动驱动件及用于驱动安装盘向下变形的电缸，环形安装板的两端分别连接安装盘及底板，移动驱动件的输出端连接底板的上表面，第一转动驱动件的输出端连接底板或移动驱动件，安装盘、环形安装板及底板形成安装空间，电缸设置在安装空间内，电缸的输出端连接有移动板，移动板抵接安装盘上表面的中心区域。本申请的抛光头及抛光机能够使得安装盘在电缸的驱动作用下产生向下的变形，从而改善待抛光工件的平坦度，提高抛光质量。
-
公开(公告)号：CN114486062B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
-
公开(公告)号：CN114486062A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
-
公开(公告)号：CN114323355A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251300.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规，其包括：膜片；陶瓷基体,设置在膜片一侧；固定电极组，设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上，用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息；多个形变检测电极，设置在陶瓷基体上，且圆周阵列在固定电极组外侧，分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息；控制器，与固定电极组和形变检测电极电性连接，用于获取检测电容信息，还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀，还用于在膜片形变均匀时，获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值；有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
73
records
(took 0.036 seconds)
